Untuk menghasilkan polikristal AIBIIIC2 vI maka dilakukan penumbuhan bahan semikonduktor ternary compounds seperti A9GaSe2 ini dengan menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal. Dalam penelitian ini tungku tersebut telah mengalami modifikasi dan kalibrasi., sehingga diperoleh suatu tungku vertikal termperatur zona tunggal yang layak digunakan untuk proses penumbuhan polikristal ini. Untuk melihat sifat-sifat dari bahan yang dihasilkan maka dilakukan karakterisasi diantaranya adalah komposisi & struktur kristal . Struktur Polikristal ini dikarakterisasi menggunakan XRD (X Ray Diffraction) dengan metode Rietvield. Hasilnya memperlihatkan bahwa terdapat 3 phase yaitu : AgGaSei struktur Kristal I Center Tetragonal (Chalcopyrite) dengan parameter kisi a= b = 4,4480 A, c = 8,9291 A dan %= 2,0070. Phase 2 : Ag9GaSes. Phase 3 : Ag2Se. Hasil ini juga didukung oleh karakterisasi yang dilakukan dengan XRF dan SEM.

---

To obtain polycrystals AgGaSes of ternary semiconductor compounds of AIBIII VI, the modified simple vertical single zone temperature furnace has been used. The properties of obtained polycrystals were then characterized by XRF, XRD, and SEM for competition and crystal structure. X-ray diffractograms , showed that there were three phases coexisting. The main phase was AgGaSe2 anc lattice parameters a and c of 4,4480 A and 8,9291 A respectively soc/a = 2,0070. The second phase was Ag9GaSes and the rest was Ag2Se.