Dengan menggunakan metode evaporasi termal telah dibuat lapisan tipis dari bahan ingot AglnSe2. Dari hasil karakterisasi dengan menggunakan difraktometer sinar-X didapatkan dua fasa yaitu AglnSe2 dan Agln5Sea. Parameter kisi dari lapisam tipis ini adalah a = b =5,9097 angstrom, c = 11,8146 angstrom dan c/a = 1, 9993 sedangkan struktur kristalnya adalah chalcopyrite. Dari hasil XRF didapatkan perbandingan komposisi unsurnya adalah Ag:ln: Se= 52,12 %:34,86 % : 3,00 %. Lapisan tipis AglnSe2 mempunyai ketebalan ( 0,23 dan 0,41 )μm. Dari spektrum reflektansi dengan panjang gelombang (300 - 800) nm didapatkan nilai indeks bias riel (n) antara ( 2, 14 -3,00 ), indeks bias imajiner (k) (5,78 - 9,23 )x 10-2 . Nilai fungsi dielektrik riel dan imajiner berturut-turut adalah 4,57 - 8,99 dan 0,163 - 0.235 serta koeffisien absorpsi S€besar (1,2 - 3,0 )x104 /cm. Resistivitas lapisan tipis yang didapatkan dari perhitungan adalah (1,1 -6,62 )x10-4 n.cm.