ABSTRAK
Teknologi elektronika dalam bidang sensor sidik jari telah banyak macam pengembangannya , salah satunya adalah sensor sidik jari yang memanfaatkan efek kapasitansi dari MOS untuk dapat mendeteksi bentuk sidik jari manusia. Secara umurn prinsip kerjanya adalah dengan memanfaatkan kapasitansi sistem MOS yang bekerja berdasarkan tegangan gerbang (gate voltage). Maka apabila pencatuan tegangan gerbang kita ganti dengan sidik jari manusia yang selalu mempunyai ridge (bukit) dan valley-nya (Iembah) maka nilai kapasitansi yang terjadi pada sistem MOS akan tidak sama nilainya. Biia sensor tepat dikenai pleb pola unique ridge dari sidik jari maka kapasitansi yang terjadi tepat dicatu pleb arus listrik tubuh manusia, dan apabila tepat dikenai pleb pola unique valley-nya berarti dielektrik udara mempengaruhi nilai kapasitansi yang terjadi.Pada tulisan ini akan disampaikan analisa sensor sidik jari melalui basil simulasi untuk mendapatkan nitai kapasitansi sebagai fungsi dari sidik jari (ridge dan valley) yaitu: C f(ridge) + f(valley) + c ; dengan c adalah konstanta fixed parasitic capacitance dan nilai Vsens ^ f(Q)/f(C); dengan Q adalah besaran muatan listrik. Selain itu diperlihatkan basil simulasi berupa grafik fungsi kapasitansinya dan juga analisa mengenai keakuratan sensor sidik jari yang dibahas dibandingkan dengan referensi.Dengan hasil dari simulasi dan analisa yang dibahas daiam tulisan ini didapat basil peningkatan keakuratan sensor sebanyak 2,5 kali dari referensi[2] yang digunakan dilihat dan tegangan output (Vsens) yang dihasilkan.

---