Pada penetitian ini dilakukan simulasi kurva C-V akibat efek deplesi polisilikon yang dipengaruhi oleh bentuk geometri gale dan dopant profile pada pMOS yang diperkecil. Dopant profile yang tidak seragam baik secara vertikal rnaupun lateral konsentrasi doping polisilikon (10 111 - 1020)/cm3 menimbulkan drop tegangan yang memiliki kapasitansi 0,4 sampai 4,2 )JF/cm 2 Saat panjang dan lebar gate diperkecil menyebabkan bertambabnya daerah deplesi yang menyebabkan drop tegangan. Akibat adanya daerah deplesi pada gate tersebut menimbulkan kapasitansi baru yang terhubung seri dengan kapasitansi aksida dan deplesi semikonduktor. Dari hasil simulasi yang diiakukan kurva C- V dengan beberapa variasi doping dengan menggunakan perangkat lunak MATLAB 6.1.0, memperlihatkan bahwa nilai kapasitansi total pada MOS terdegradasi akibat timbulnya kapasitansi tarnbahan (Cp) pada gate sccara seri. Timbulnya kapasitansi tambahan (Cp) pada gate secara seri menghasilkan nilai degradasi kapasitansi total pada MOS sebesar 11,83% pada Vg = Vth = 0,6964 Volt dibandingkan dengan kapasitansi total dengan tanpa memperhitungkan efek polideplesi daerah inversi.