Skripsi ini membahas perancangan dan simulasi power amplifier yang beroperasi pada channel 87 yaitu frekuensi 860 MHz dengan menggunakan transistor push-pull dan Saluran mikrostrip yang berfungsi sebagai pengganti induktor. Rangkaian input matching dan output matching dirancang khusus agar beresonansi pada frekuensi tersebut. Tujuan dari perancangan ini adalah mencapai VSWR ± 1, S21 pada nilai antara 8-11 dB dan S11 dan S22 dibawah -10 dB. Spesifikasi penting untuk perancangan power amplifier ini antara lain: daya keluaran 100 mWatt, daya masukan 5 - 20 mWat, arus drain yang kecil dengan tegangan supply 25 Volt, memenuhi standar kestabilan (K > 1), dan return of loss (ROL < -10 dB). Transistor yang digunakan yaitu TPV7025, sebuah transistor silikon frekuensi tinggi tipe NPN. Rancangan ini disimulasikan menggunakan program Advanced Design System (ADS).

---

This thesis discusses specific frequencies on channel 87 is 860 MHz simultaneously is designed. This amplifier using a transistor pushpull there and a microstrip line that serves as a substitute for an inductor. The input matching and output matching circuit is designed with a special matching network which resonates at two frequencies.

The objective of this design is to achieve VSWR ± 1, S21 at a point range 8-11 dB and S11 and S22 below -10 dB for both frequencies. The other important specification for this dual band high power amplifier is: 100 mWatt output power, 5 - 20 mWatt input power, low drain flow with 25 Volt supply voltage, fulfill the stability standard (K > 1), and return of loss (ROL < -10 dB). The transistor used is TPV7025, a NPN silicon high frequency transistor. The design is simulated with Advanced Design System (ADS) software.