UI - Skripsi Membership :: Kembali

UI - Skripsi Membership :: Kembali

Desain GaN based S-bend Y-branch power splitter = Design of gan based S-bend Y-branch power splitter

Arviza Azhar; Retno Wigajatri Purnamaningsih, supervisor; ; Purnomo Sidi Priambodo, examiner ([Publisher not identified] , 2014)

 Abstrak

[ABSTRAK
Kebutuhan akan divais optik terus mengalami peningkatan yang cukup pesat belakangan ini. Material Gallium Nitride merupakan material yang menarik banyak peneliti, karena memiliki beberapa kelebihan, antara lain: stabil terhadap perubahan suhu, memiliki tingkat epitaxial growth yang tinggi, konsumsi daya yang rendah dan memiliki direct band gap yang tinggi. Namun riset dibidang passive waveguide hingga kini belum banyak ditekuni para peneliti. Oleh karena itu, pada skripsi ini, dikembangkan power splitter dengan rugi-rugi yang rendah dan memiliki distribusi medan optik yang uniform, dengan memanfaatkan bentuk pandu gelombang S-Bend. Desain Y-branch power splitter dilakukan dengan menggunakan OptiBPM 12 free trial. Dari hasil simulasi diperoleh Y-branch power splitter terbaik saat tebal dan lebar pandu gelombang lurus adalah 4 μm, panjang pandu gelombang multimode sebesar 25 μm dan radius pandu gelombang S-Bend 10,5 μm.

ABSTRACT
, Recently, demand of optical devices are growing termendously, Gallium Nitride is
become attractive by many researchers, because of its advantages, such as:
temperature stability, high rate of epitaxial growth, low power consumption and
large direct band gap. But nowadays, there is not much research about passive
waveguide GaN based. Thats why, this final project of Y-branch power splitter
which has low power consumption and uniformity of distribution optical
waveguides distribution using S-Bend waveguides is designed. OptiBPM 12 free
trial is used for the design purpose in this final project. From the simulation, it can
be concluded that the best S-Bend Y-branch power splitter is when straight
waveguide both thickness and width are 4 μm, multimode waveguide length is 25
μm and radius of S-Bend is 10,5 μm.]

 File Digital: 1

Shelf
 S56759-Arviza.pdf :: Unduh

LOGIN required

 Metadata

Jenis Koleksi : UI - Skripsi Membership
No. Panggil : S56759
Entri utama-Nama orang :
Entri tambahan-Nama orang :
Entri tambahan-Nama badan :
Program Studi :
Subjek :
Penerbitan : [Place of publication not identified]: [Publisher not identified], 2014
Bahasa : ind
Sumber Pengatalogan : LibUI ind rda
Tipe Konten : text
Tipe Media : unmediated ; computer
Tipe Carrier : volume ; online resource
Deskripsi Fisik : xii, 54 pages : illustration ; 30 cm + appendix
Naskah Ringkas :
Lembaga Pemilik : Universitas Indonesia
Lokasi : Perpustakaan UI, Lantai 3
  • Ketersediaan
  • Ulasan
  • Sampul
No. Panggil No. Barkod Ketersediaan
S56759 14-18-105255964 TERSEDIA
Ulasan:
Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20387297
Cover