Material perovskite LaFe_1-xMn_xO₃ (x = 0,05, 0,10, 0,15, 0,20) telah disintesis dengan menggunakan metode sol-gel. Hasil karakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) menunjukan struktur kristal orthohombic dengan fase tunggal untuk semua sampel. Nilai crystallite size menurun seiring dengan meningkatnya substitusi Mn, dari 79,5 nm – 58,7 nm.  Karakterisasi FTIR menunjukan adanya vibrasi bending Fe/Mn – O – Fe/Mn dan stretching Fe/Mn – O pada sampel. Hasil X-Ray Fluorescence (XRF) komposisi unsur sampel LaFe_1-xMn_xO₃ telah sesuai dengan komposisi unsur hasil perhitungan. Sifat mikrostruktur hasil karakterisasi Scanning Electron Microscopy (SEM) menunjukan permukaan sampel dengan bentuk grain homogen bulat dengan adanya porositas. Nilai grain meningkat seiring meningkatnya subtitusi Mn dan menyebabkan porositas berkurang. Karakteriasi sifat listrik material LaFe_1-xMn_xO₃ dilakukan dengan menggunakan metode spektroskopi impedansi pada rentang frekuensi 100 Hz – 1 MHz. Karakterisasi dilakukan pada temperatur kamar dan  temperatur tinggi (100^oC – 275^oC). Data hasil karakterisasi disajikan dalam grafik nyquist plot dan bode plot. Pada temperatur kamar nyquist plot menunjukan penurunan ukuran semisirkular seiring bertambahnya konsentrasi substitusi Mn. Nilai konstanta dielektrik pada suhu kamar menunjukan typical colossal dielectric constant. Nyquits plot pada temperatur tinggi menunjukan sifat negative temperatur coefficient of resistance (NTCR). Hasil fitting energi aktivasi dari slope log ( ) versus 10³/T plots menunjukan bahwa nilai energi aktivasi (Ea) grain menurun dengan meningkatnya konsentrasi subtitusi Mn. Bode plot menunjukan fenomena relaksasi yang bergantung pada temperatur. Nilai waktu relaksasi menurun seiring dengan meningkatnya temperatur menunjukan typical semiconductor behavior. Energi aktivasi (Ea) yang dihitung dari waktu relaksasi menunjukan kecenderungan yang sama dengan energi aktivasi (Ea) grain. Nilai band gap energy meningkat seiring meningkatnya konsentrasi substitusi Mn.

---

Perovskite material LaFe_1-xMn_xO₃ (x = 0.05, 0.10, 0.15, 0.20) has been synthesized using the sol-gel method. The results of characterization using X-Ray Diffraction (XRD) show a single phase orthohombic crystal structure for all samples. The crystallite size value decreases with increasing Mn substitution, from 79.5 nm - 58.7 nm. FTIR characterization shows the presence of vibrations bending Fe/Mn – O – Fe/Mn and stretching Fe/Mn – O in the sample. The results of X-Ray Fluorescence (XRF) composition of LaFe_1-xMn_xO₃ sample elements are in accordance with the composition of the calculated elements. The microstructure of the the characterization results by Scanning Electron Microscopy (SEM) shows the surface of the sample in the form of a round homogeneous grain in the presence of porosity. Grain value increases with increasing Mn substitution cause decreasing porosity. The electrical properties of LaFe_1-xMn_xO₃ material is carried out using impedance spectroscopic methods in the frequency range of 100 Hz - 1 MHz. Characterization are carried out at room temperature and high temperature (100^oC – 275^oC). Data from characterization results are presented in nyquist plot and bode plot charts. The nyquist plot at room temperature shows decreasing impedance semicircle with increasing Mn substitution. The dielectric constant at room temperature shows colossal dielectric constant behavior. The nyquist plot at high temperature shows a negative temperature coefficient of resistance (NTCR). The result of energy fitting activation of the slope log ( ) versus 10³/T plots shows that the activation energy value (Ea) grain decreases with increasing Mn substitution concentration. Bode plots show the phenomenon of relaxation which depends on temperature. The value of relaxation time decreases with increasing temperature indicating typical semiconductor behavior. The activation energy (Ea) calculated from the relaxation time shows a tendency similar to the activation energy (Ea) grain. The band gap energy value increases with increasing concentration of Mn substitution.