ABSTRAK
Bi 2 Se 3 merupakan salah satu material topologi insulator (TI) yang telah menjadi
topik yang menarik untuk menyelidiki sifat-sifat dari bahan tersebut, bukan hanya
karena sifatnya namun karena aplikasi untuk masa depan. Selama bertahun-tahun,
penelitian bahan topologi insulator telah menjadi target pengembangan fotode-
tektor untuk telekomunikasi, gambar medis, dan penciuman gas. Bahan topologi
insulator berbeda dengan metal dan insulator biasanya. Di bagian permukaan,
bahan ini bersifat seperti metal, dan di sisi luarnya, bahan ini menunjukkan ciri
seperti insulator dengan celah pita yang kecil. Dalam riset kali ini, DFT digunakan
untuk memperhitungkan sifat-sifat ground-state bahan ini. Sementara, untuk
sifat excited-state menggunakan teori many-body perturbation dikoreksi dengan
menggunakan aproksimasi GW dan perhitungan spektrum absorpsi di terapkan
melalui persamaan BSE (Bethe-Salpeter Equation)untuk melengkapi studi efek
dari interaksi elektron-elektron dan elektron-hole.

---

ABSTRACT
Bi 2 Se 3 , one of the topological insulators (TIs) has spawned a lot of interest to
further investigate properties of this material, not only because of its natural
importance, but also its applications for future devices. Over the past few years ap-
plied research on TIs has been targeted to develop photodetectors of near-infrared
wavelengths for telecommunication, medical imaging, and gas sensing. TI is
different from simple metal or insulator in the sense that the inside part is insulating
while its surface is metallic due to the presence of gapless surface states, meaning
that electrons can only move along the surface of the material. In this work, Density
functional theory (DFT) is used to calculate the ground state properties of Bi 2 Se 3
.While its excited state properties are corrected within GW approximation and the
calculation on optical spectra are implemented by Bethe-Salpeter Equation (BSE)
using many body perturbation theory (MBPT) to complete the study of the effect
of electron-electron and electron-hole interactions.