ZnO merupakan salah satu material semikonduktor yang unggul untuk aplikasi fotodetektor Ultraviolet (UV) karena memiliki celah pita yang lebar, sifat transparasi yang baik, tidak beracun, dan biaya produksi rendah dengan proses sintesis yang sederhana. Namun, mobilitas elektron fotodetektor UV masih rendah sehingga photocurrent dan responsivitas yang dihasilkan belum optimal. Oleh karena itu dalam penelitian ini dibuat heterostructure ZnO nanorods dengan MoSe₂ nanosheets. MoSe₂ nanosheets disintesis dengan metode liquid phase exfoliation dan dideposisi di atas permukaan ZnO nanorods yang ditumbuhkan di atas substrat kaca berelektroda Indium Tin Oxide (ITO) dengan metode spin coating. Penelitian ini menghasilkan MoSe₂ nanosheets dan ZnO/MoSe₂ dengan celah pita masing-masing sebesar 1,92 dan 3,17 eV. Penambahan MoSe₂ nanosheets pada permukaan ZnO nanorods dapat meningkatkan responsivitas, detektivitas, dan sensitivitas fotodetektor UV berbasis ZnO nanorods, yaitu masing-masing sebesar 1,25 A/W, 1,9 Jones, dan 5701%. Peningkatan kinerja ini mungkin akibat pengurangan rekombinasi elektron-hole hasil fotoeksitasi oleh sinar UV dan penurunan arus gelap mungkin karena elektron terperangkap oleh MoSe₂. Sedangkan, fotodetektor ZnO nanorods dan ZnO/MoSe₂ tidak berfungsi di bawah penyinaran cyan dan red, karena photocurrent yang dihasilkan sangat kecil.

ZnO is one of the semiconductor materials that has been received much attention and also considered as a promising candidate for the photodetector due to its wide bandgap, good transparencey, non-toxicity, low-cost and simple preparation. However, photocurrent and responsivity of ZnO-based photodetector based on nanorods is less optimal because of its low electron mobility. Therefore, this study propose the heterostructure of ZnO nanorods and MoSe₂ nanosheets. MoSe₂ nanosheets were synthesized by the liquid phase exfoliation method and deposited on the surface of ZnO nanorods grown on Indium Tin Oxide electrode coated glass substrate (ITO) via the spin coating method. MoSe₂ nanosheets and ZnO/MoSe₂ show a bandgap of 1,92 and 3,2 eV, respectively. Responsivity, detectivity, and sensitivity of ZnO/MoSe₂ heterostructures is is 1,25 A/W; 1,9 Jones; and 5701%, respectively. The increase in performance may be due to a reduction in the recombination of UV photoexcitated electron-holes and a decrease in dark currents possibly due to electrons being trapped by MoSe₂. Whereas, ZnO nanorods and ZnO/MoSe₂ photodetectors do not function under cyan and red irradiation, because the generated photocurrent is very small.