UI - Tesis Membership :: Kembali

UI - Tesis Membership :: Kembali

Pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap konduktivitas listrik pada lapisan tipis In203 : Sn yang dibuat secara Dc Magnetron sputtering

Muslimin; Na, Peng Bo, supervisor; Dedi Suyanto, examiner; Muhammad Hikam, examiner (Universitas Indonesia, 1998)

 Abstrak

Telah dibuat lapisan tipis Indium Tin Oxide (In2O3 : SnO2 ; ITO) pada substrat kaca dengan cara dc magnetron sputtering. Perbandingan gas Argon dan oksigen dalam sputter divariasikan dari 3.1%, 5.1%, 8.0% dan 8.9%. Sampel yang dibuat digunakan untuk mempelajari pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis Indium Tin Oxide, pengukuran resistivitas listrik lapisan tipis dilakukan di luar vakum dengan metode four point probe untuk rentang temperatur 11°K sampai 300°K, sedangkan penentuan jumlah pembawa muatan dilakukan dengan metode efek Hall pada lapisan tipis. Energi aktivasi sebagai fungsi temperatur pada lapisan tipis ITO yang diperoleh pada penelitian ini berkisar antara 9.6 x 10.3 eV sampai 1.5 x 10-5 eV. Jika tekanan partial oksigen makin besar maka resistivitas listrik lapiasa tipis ITO makin besar sedangkan jumlah pembawa muatannya makin kecil.

 File Digital: 1

Shelf
 T4659-Muslimin.pdf :: Unduh

LOGIN required

 Metadata

Jenis Koleksi : UI - Tesis Membership
No. Panggil : T-Pdf
Entri utama-Nama orang :
Entri tambahan-Nama orang :
Entri tambahan-Nama badan :
Program Studi :
Subjek :
Penerbitan : Depok: Universitas Indonesia, 1998
Bahasa : ind
Sumber Pengatalogan : LibUI ind rda
Tipe Konten : text
Tipe Media : computer
Tipe Carrier : online resource
Deskripsi Fisik : iiii, 41 pages : illustration ; 28 cm + appendix
Naskah Ringkas :
Lembaga Pemilik : Universitas Indonesia
Lokasi : Perpustakaan UI, Lantai 3
  • Ketersediaan
  • Ulasan
  • Sampul
No. Panggil No. Barkod Ketersediaan
T-Pdf 15-18-246913072 TERSEDIA
Ulasan:
Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 77864
Cover