Penelitian ini bertujuan memperoleh informasi karakteristik lapisan tipis GaSb. Bahan yang digunakan adalah bagian ujung ingot GaSb. Penumbuhan lapisan tipis GaSb dilakukan secara evaporasi termal, sedangkan karakterisasi micro menggunakan diliaksi sinar-X dan four point probe. Hasil analisis lapisan tipis GaSb substrat kaca pada temperatur pemanasan substrat 150°C dan 200°C menunjukkan bahwa sistem kristal adalah kubus, struktur kristal kubus terpusat sisi (FCC) dengan konstanta kisi (a) berkisar antara 6,52 A - 6,58 A; dan 6,52 A - 6,53 A. Hasil analisis kelistrikan menunjukkan bahwa resistivitas (p) 4,225 - 5,385 X 104 Ώ cm, dengan tipe n; dan 1,105 X 10-4 0 cm dengan tipe p. Pada pernanasan substrat 200°C resistivitas (p) = 1,26 X Ώ cm dengan tipe n; 1,40 X 104 Ώ cm dengan tipe p dan 1,40 X 10--l Ώ cm dengan tipe n-p. Hasil analisis substrat corning pada temperatur pemanasan substrat 150°C dan 200°C menunjukkan bahwa sistem kristal adalah kubus, strukiur kristal kubus terpusat sisi (-FCC) dengan konstanta kisi a= 6,56 A; dan 6,24 A.