Dalam rangka menunjang program pemerintah mengenai penyediaan listrik bagi penduduk yang tidak terjangkau PLN dan mendukung pendirian pabrik sel surya di Indonesia, telah dilakukan penelitian penumbuhan kristal poli CuInSez, Penumbuhan bahan semikonduktor temary compounds AIBmCC"` seperti CuInSe2 dapat dibuat dengan menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal, dimana sebelumya tungku tersebut telah mengalami modifikasi dan kalibrasi. Sebagai hasil dari modifikasi dan kalibrasi tersebut diperoleh suatu tungku vertikal temperatur zona tunggal yang layak digunakan untuk proses penumbuhan kristal poli CulnSe2. Dengan metoda tersebut dapat diperoleh ingot kristal poli CuInSe2 yang cukup bagus.Karakterisasi orientasi struktur kristal telah dilakukan terhadap ingot kristal poli Cu1nSe, ini, dimana ingot diiris menjadi beberapa buah wafer dengan ketebalan 2 mm dan diameter 13 mm. Dari ingot yang diperoleh dengan panjang 35 mm ini diambil 5 buah wafer untuk kepertuan karakterisasi (2 dari bagian atas, 2 dari bagian tengah dan 1 dari bagian bawah). Kelima buah wafer ini masing-masing dikarakterisasi dengan menggunakan - difraktometer sinar-x yang berada di RATAN - Serpong, dimana setelah dilakukan analisa dan perhitungan hasilnya sesuai dengan referensi yang aria. Berdasarkan data pola difraksi sinar-x, puncak-puncak yang muncul untuk CuInSe2 menunjukkan orientasi dari bidang kristal : (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) dan (316, 332). Sedangkan parameter kisi rata-ratanya adalah : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° dan c = 2,0049, dimana parameter kisi seperti itu adalah chalcopyrite.

---

To support the government program about the electric available for the people in the village is not coverage by PLN and to support the built up of solar cells factory in Indonesia, the research about grow of poly crystals CuInSer were to do. To grow materials of ternary compounds semiconductor AIBut2 I such as CuInSe2, can be made using the simple vertical single zone tempereture furnace which has previously been modified and calibrated. As a result of the above modifications and calibration, a single zone temperatur furnace can be obtained. It can then be used to grow the poly crystal CuInSe2 which this method will results a good ingot of poly crystal CuInSe2.

Characterization of the structural orientation has been made for the CulnSe2 ingot of crystal poly by slicing the ingot into five wafers with 2 mm thickness and 13 mm its diameter From the resulting ingot with 35mm in length, was obtained five wafers for the purpose of characterization (2 from the top portion, 2 from the middle and 1 from the bottom). All of these wafers were characterized using x-ray difiractometer located in BATAN - Serpong. It was found from the calculation and analysis that the result was satisfactory. According to the result of x-ray diffraction data patern, the peaks of CuInSez which founded is an orientation of the crystal fields; (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) and (316, 332). And the lattice parameters of CulnSe2 are : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° and c = 2,0049, which is the lattice parameter like that is chalcopyrite.