UI - Tesis Membership :: Kembali

UI - Tesis Membership :: Kembali

Simulasi spektrum emisi spontan relatif dari semikonduktor dengan lapisan aktif struktur jamak ganda IN-GA-AS-P/INP 1,55 UM

Marpaung, Parlindungan P.; Djoko Hartanto, supervisor ([Publisher not identified] , 1997)

 Abstrak

ABSTRAK
Pada senyawa semikonduktor InGaAsP (Indium - Galium - Arsenit-Phosfor) yang ditumbuhkan diatas substrat InP (Indium-Phosfor), lapisan aktif Ins-xGaxAsyPI-y akan menentukan emisi foton pada panjang gelombang L untuk harga x dan y tertentu.


Lapisan aktif yang mempunyai energi gap Eg = 0,8 eV ditumbuhkan sesuai kisi substrat p-InP dari struktur jamak ganda InGaAsP/InP akan menghasilkan spektrum emisi spontan pada daerah panjang gelombang X = 1,55 mm. Doping konsentrasi aseptor Na lapisan p-InP akan menentukan puncak panjang gelombang Xp dari pada spektrum emisi spontan. Spektrum emisi spontan pada puncak panjang gelombang Xp = 1,55 pm memungkinkan untuk ditransmisikan melalui media serat optik yang terbuat dari bahan serat silika optik mode tunggal.


Pada penulisan tugas thesis ini dilakukan simulasi spektrum emisi spontan relatif R dari lapisan aktip terhadap perubahan dari konsentrasi aseptor Na menggunakan perangkat lunak Borland delphi.


Analisa hasil simulasi menunjukkan spektrum emisi spontan relatif R pada puncak panjang gelombang 7-p = 1,55 pm terjadi pada konsentrasi aseptor Na = 150 x 1017 Cm-9 dan parameter band tail = 0,072 eV.

In semiconductor compound of InGaAsP (Indium--Gallium--Arsenit-Phosfor) being growing on InP (Indium--Phosfor) substrate, the active layer of Ini-xGaxAsyPI-y is going to determine photon emission at wavelength of k for values certain of x and y.


The active layer having gap energy of Eg = 0.8 eV lattice-matched to InP of double heterostructure InGaAsP/InP yield spontaneous emission spectrum at wavelength region of X = 1.55 pm. Doping acceptor concentration of Na for p--InP layer would determine on peak wavelength of kp for spontaneous emission spectrum. The spontaneous emission spectrum on the peak wavelength of Xp = 1.55 pm is possible for use as transmitted through single mode fiber optic which made of optic silica material.
In the writing this thesis, the relative spontaneous emission spectrum of R from active layer simulated with various of Na acceptor concentrations by using delphi borland software.


Simulation result analyzing show that relative spontaneous emission of R on peak wavelength of Xp = 1.55 pm is happened for acceptor concentration of Na = 150 x 1017 Cm-3 and band tail parameter of 77 = 0.072 eV.

 File Digital: 1

Shelf
 T4545-Parlindungan P. Marpaung.pdf :: Unduh

LOGIN required

 Metadata

Jenis Koleksi : UI - Tesis Membership
No. Panggil : T-Pdf
Entri utama-Nama orang :
Entri tambahan-Nama orang :
Entri tambahan-Nama badan :
Program Studi :
Subjek :
Penerbitan : [Place of publication not identified]: [Publisher not identified], 1997
Bahasa : ind
Sumber Pengatalogan : LibUI ind rda
Tipe Konten : text
Tipe Media : computer
Tipe Carrier : online resource
Deskripsi Fisik : xi, 61 pages : illustration ; 28 cm + appendix
Naskah Ringkas :
Lembaga Pemilik : Universitas Indonesia
Lokasi : Perpustakaan UI, Lantai 3
  • Ketersediaan
  • Ulasan
  • Sampul
No. Panggil No. Barkod Ketersediaan
T-Pdf TERSEDIA
Ulasan:
Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 79590
Cover