Telah dibuat kapasitor lapisan tipis Ta205 dengan evaporasi berkas elektron Tantalum, yang dilanjutkan dengan elektrolisa oksidasi anodik secara arus konstan dalam elektrolit Amonium Borat ( 0,25 M, pH 8,2 ). Laju oksidasi pada rapat arus 0,33 mA cm-2 adalah sebesar 0,5 Ås-1. Dibuat beberapa sampel dengan leas berbeda ( 50, 100 dan 150 mm2 ), juga ketebalan yang bervariasi dart 229.67 --414,70 nm. Pengukuran kapasitansi dilakukan dengan tiga Cara yaitu 1.) RCL Bridge, 2.) Arus AC / Reaktansi Kapasitif dan 3.) Muatan tersimpan. Kapasitansi bervariasi antara 21,88 s/d 151,22 nF dan konstanta dielektrik 23,62 ( ± 5 % ). Faktor disipasi dapat bervariasi antara 0,01 s/d 0,39 dalam interval frekuensi 50 sampai 40.000 Ha. Kuat dielektrik salah satu sampel mencapai 0,6 MV cm-1. Kemasan kapasitor dalam resin ditemukan mengalami degradasi. Walaupun menunjukan sifat-sifat kapasitor yang baik, masih dapat disempurnakan pada eksperimen mendatang, terutama dalam usaha mengurangi porositas lapisan Tipis yang terbentuk.