Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Indeks bias (n) dan koefi sien absorpsi optis (α) lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-SiC:H) telah diteliti dari hasil pengukuran refl eksi dan transmisi. Lapisan tipis a-SiC:H dihasilkan dengan metode deposisi dc sputtering menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Indeks bias (n) berkurang dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Koefi sien absorpsi optis (α) bergeser ke energi yang lebih tinggi dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Lapisan tipis cenderung makin tidak teratur dan memiliki gap optis yang lebih lebar pada fl ow rate gas metan tinggi. Relasi komposisi terhadap sifat?sifat optik lapisan tipis akan didiskusikan demikianpula terhadap ketidakteraturan jaringan amorf.

---

Methane Flow Rate Effects On The Optical Properties of Amorphous Silicon Carbon (a-SiC:H) Films Deposited By DC Sputtering Methods. We have investigated the refractive index (n) and the optical absorption coeffi cient (α) from refl ection and transmission measurements on hydrogenated amorphous silicon carbon (a-SiC:H) fi lms. The a-SiC:H fi lms were prepared by dc sputtering method using silicon target in argon and methane gas mixtures. The refractive index (n) decreases as the methane fl ow rate increase. The optical absorption coeffi cient (α) shifts to higher energy with increasing methane fl ow rate. At higher methane fl ow rate, the fi lms tend to be more disorder and have wider optical gap. The relation of the optical properties and the disorder amorphous network with the compositional properties will be discussed."

"Defek dangling bond dari lapisan tipis amorf silikon karbon (a-SiC:H) hasil deposisi metode dc sputtering telah dipelajari dengan spektroskopi ESR (electron spin resonance). Densitas spin berkurang tidak terlalu besar dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Pengaruh kehadiran karbon dan hidrogen terhadap harga-g menunjukkan bahwa sampai fl ow rate gas metan 8 sccm, sinyal ESR didominasi oleh karakteristik defek a-Si:H, sedangkan untuk fl ow rate gas metan lebih besar dari 8 sccm, harga-g berkurang mendekati harga-g dari a-C:H. Hasil analisis inframerah menunjukkan semakin banyak karbon dan hidrogen yang membentuk ikatan Si-H, Si-C dan C-H dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Relasi hasil yang diperoleh dari inframerah dengan densitas defek dan harga-g akan dipelajari.

---

The dangling bond defect density in sputtered amorphous silicon carbon alloys have been studied by electron spin resonance (ESR). The results show that the spin density decreased slightly with increasing methane fl ow rate (CH4). The infl uence of carbon and hydrogen incorporation on g-value revealed that for CH4 fl ow rate up to 8 sccm, the ESR signal is dominated by defects characteristic of a-Si:H fi lms and for CH4 fl ow rate higher than 8 sccm the g-value decreased towards those usually found in a-C:H fi lms. Infrared (IR) results suggest that as CH4 fl ow rate increases more carbon and hydrogen is incorporated into the fi lms to form Si-H, Si-C and C-H bonds. A direct relation between the IR results and the defect density and g-value is observed."

"SiOC@C adalah kandidat anoda lithium ion LIB yang diharapkan dapat menekan ekspansi volume tinggi silikon Si melalui penambahan karbon aktif sebagai lapisan penyangga. Silicon oxycarbide SiOC diperoleh dari minyak silikon kaya fenil melalui pirolisis pada 900 C dalam mengalirkan gas Ar. Variasi sampel yang digunakan adalah 4, 7, 10 wt. SiOC dan sampel karbon murni juga disiapkan untuk perbandingan. Dari melakukan tes karakterisasi, ditemukan bahwa puncak ditampilkan dalam hasil XRD milik SiOC. Gambar SEM menunjukkan mikro berpori dengan pemetaan unsur Si, C, dan O. Menurut tes Brunner-Emmet-Teller BET, luas permukaan terbesar 542.738 m2g-1 diperoleh pada 10 berat SiOC. Berdasarkan hasil pengujian kinerja, kapasitas discharge yang diperoleh pada kondisi prima 10 wt SiOC adalah 223,3 mAh g-1.

---

SiOC C is a lithium ion battery LIB anode candidate that is expected to suppress the high volume expansion of silicon Si through the addition of activated carbon as a buffer layer. Silicon oxycarbide SiOC was obtained from phenyl rich silicone oil through pyrolysis at 900oC in flowing Ar gas. The variation of samples used were 4, 7, 10 wt SiOC and a pure carbon sample was also prepared for comparison. From conducting the characterisation tests, it is discovered that the peaks displayed in XRD result belong to SiOC.

SEM images show a porous microstructure with a few agglomerates present and the EDS result exhibits an elemental mapping of Si, C, and O. According to Brunner Emmet Teller BET test, the largest surface area of 542.738 m2g 1is obtained at 10 wt SiOC. Based on the performance test result, the discharge capacity obtained at the prime condition of 10 wt SiOC is 223.3 mAh g 1."

"Lithium Titanate LTO adalah salah satu material anoda yang memiliki performa cukup baik karena sifatnya yang zero-strain. Pada penelitian ini, LTO disintesis menggunakan metode sol-gel dan hidrotermal mekanokimia dengan LiOH sebagai sumber ion litium. Silicone Oxycarbide SiOC merupakan material keramik yang disintesis melalui proses pirolisis sederhana prekursor silicone oil. Karbon yang digunakan pada penelitian ini merupakan karbon yang telah dilakukan proses aktivasi sehingga diperoleh karbon aktif dengan ukuran pori yang tinggi. Penambahan karbon aktif ke LTO dilakukan pada saat proses sol-gel, sedangkan penambahan SiOC ke LTO-C dilakukan pada saat proses pembuatan slurry. SEM-EDS menunjukkan perserbasaran dari unsur-unsur pada sampel dimana terdapat Ti, F, Si, O, dan C. Selain itu karakterisasi SEM-EDS juga memperlihatkan adanya peningkatan jumlah karbon pada setiap sampel. XRD menunjukkan adanya fasa spinel LTO dan fasa pengotor seperti TiO2 rutile dan anatase, serta Li2TiO3. Pada pengujian performa EIS, resistivitas rendah menyatakan konduktivitas tinggi. Pada penelitian ini konduktivitas tinggi dimiliki oleh LTO-1 C/SiOC. Selain itu dilakukan pengujian performa CV dan CD dimana diperoleh kapasitas spesifik tertinggi yaitu pada sampel LTO-5 /SiOC.

---

Lithium Titanate LTO is one of the anode material that has good performance because of its unique properties which is zero strain. In this study, LTO was synthesized using sol gel method and mechanochemical hydrothermal with LiOH as the source of lithium ion. Silicone Oxycarbide SiOC is a ceramic material synthesized through a simple pyrolysis process of silicone oil precursors. Carbon used in this study is a carbon activated process so that activated carbon is obtained with high pore size. The addition of activated carbon to the LTO is done during the sol gel process, while the addition of SiOC to LTO C is performed during the slurry making process. SEM EDS shows the extent of the elements in the sample where Ti, F, Si, O, and C. are present. Also, SEM EDS characterization also shows an increase in the amount of carbon in each sample. XRD shows the presence of LTO spinel phase and impurity phases such as TiO2 rutile and anatase, and Li2TiO3. In EIS performance testing, low resistivity expresses high conductivity. In this research, high conductivity is owned by LTO 1 C SiOC. In addition, CV and CD performance tests were performed where the highest specific capacity was obtained in the LTO 5 SiOC samples."

"Lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi telah dibuat dengan metode depasisi DCRMS (dc magnetron sputtering). Spektrum inframerah lapisan tipis amorf silikon karbon yang dihasilkan pada penelitian ini memiliki tiga daerah absorpsi yang terletak di sekitar 600-900 cm2, 1900-2200 cm2 dan 2800-3000 cm2. Mode-mode vibrasi struktur ikatan yang terdapat pada lapisan tipis meliputi mode vibrasi wagging Si-H di sekitar 640 cm-1; doublet mode vibrasi bending Si-H2 di sekitar 850 dan 890 cm-1; doublet mode vibrasi stretching Si-H di sekitar 2000 dan 2100 cm'1; mode vibrasi stretching Si-C di sekitar 720 dan 780 cm-1; mode vibrasi stretching C-H di sekitar 2800 cm-1. Peningkatan flowrate gas metan menggeser posisi mode-mode vibrasi ke bilangan gelombang yang lebih tinggi dan meningkatkan integral absorpsi dari mode-mode vibrasi tersebut. Pengaruh peningkatan flowrate gas metan terhadap mode vibrasi di sekitar 2000 dan 2100 cm./ menyebabkan terjadinya transisi dari 2000 ke 2100 cm-1 yang disebabkan oleh peningkatan hidrogen bukan karena peningkatan konsentrasi karbon.Hasil evolusi dan implantasi hidrogen menunjukkan kehadiran void di dalam lapisan tipis. Kuat absorpsi mode vibrasi stretching dan wagging Si-H tidak bergantung pada flowrate gas metan. Harga kuat absorpsi mode vibrasi stretching Si-H di sekitar 2000 dan 2100 cm.' tidak jauh berbeda. Mode vibrasi di sekitar 720 dan 780 cm'1 diperkirakan merupakan hasil kopling mode vibrasi wagging Si-H dan mode vibrasi stretching Si-C. Mode vibrasi di sekitar 720 cm-1 merupakan mode vibrasi stretching Si-C yang melibatkan hidrogen sedangkan mode vibrasi di sekitar 780 cm"' tanpa hidrogen. Kedua mode vibrasi ini mewakili mode vibrasi stretching Si-C bukan hanya salah satu dari keduanya. Struktur ikatan silikon dengan karbon dominan berada dalam gugus H-Si-C pada flowrate gas metan rendah. Atom hidrogen pada lapisan tipis hanya berikatan dengan satu atom karbon saja. Atom hidrogen cenderung berikatan dengan atom silikon dibandingkan dengan atom karbon. Selain peningkatan konsentrasi karbon, peningkatan hidrogen juga berpengaruh terhadap berkurangnya indeks bias rill dan peningkatan gap optis. Struktur ikatan hidrogen yang berpengaruh terhadap berkurangnya indeks bias dan bertambahnya gap optis adalah struktur ikatan hidrogen di void.

---

Infrared Spectroscopy and Optical Properties of Amorphous Silicon Carbon Films (a-Six_x C1:H) Produced by DC Magnetron Sputtering MethodsHydrogenated Amorphous Silicon Carbon films were prepared by dc reactive magnetron sputtering (DCRMS) methods. The infrared spectra have three absorption regions at 600-900 cm 1, 1900-2200 cm-1 and 2800-3000 cm-1. These three features shift to higher wavenumber for the methane flowrate increased. The absorption band near 640 cm-1 is assigned to the wagging band of Si-H SiH2 bonds have a bending outlet at 850 and 890 cm-1, the stretching doublet modes of Si-H are around 2000 and 2100 cm-1, the stretching modes of Si-C are near 720 and 780 cm -l and the absorption around 2800 cm-1 is attributed to the C-H stretching mode. The integrated absorption of these modes increases with the methane flowrate. The transition from 2000 to 2100 cm 1 is due to an increasing hydrogen content not carbon concentration.The hydrogen evolution and implantation support the void formation on films. The absorption strength of Si-H stretching and wagging absorption is found to be independent of the methane flowrate. The two Si-H stretching modes around 2000 and 2100 cm'1 have almost the same absorption strength values. The vibrational modes near 720 and 780 cm -1 are presumably as the result of coupling of the Si-C stretching mode with the Si-H wagging mode. The 720 and 780 cm'1 absorption presumably related to H-Si-C groups and unhydrogenated Si-C, respectively. Both 720 and 780 cm-1 absorptions is related to Si-C vibrations. Al low methane flowrate, silicon-carbon bonding structure predominantly in H-Si-C groups. Hydrogen atom is predominantly bound to silicon not to carbon. Roughly one hydrogen atom is incorporated for one carbon atom. The decreasing of the real refractive index and the increasing of the optical gap are not due to carbon concentration alone but also hydrogen concentration. The Si-H bonds covering the inner surfaces of voids have a contribution to decreasing the real refractive index and increasing the optical gap."