Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Polymeric insulators are widely used now days due to some advantages such as compact design.light,handy and easy to instalk therefore less installatio cost....."

"ABSTRAKBerbeda dengan metode disain kapasitas dimana gedung menyerap seluruhgaya gempa, dasar pemikiran dan sistem isolasi seismik adalah mereduksi gaya gempasebesar mungkin melalui sistim isolator yang fleksibel, dengan memperbesar periodealami bangunan agar tidak berada pada periode gempa bumi, sehingga respons sertadaktilitas yang dibutuhkan struktur cukup kecil, dan otomatis akan mengurangi biayakonstruksi.Berdasarkan sifat dan kelakuannya isolator dapat dibeclakan atas 2 _pnis yaituisolator linier clan non-linier. Pada isolator linier lendutan yang terjadi sebandingdengan gaya, dengan demikian kekakuan dan periode isolator konstan, sedangkanisolator non-linier sebaliknya. Non-linieritas dari isolator bisa berasal dari sifat material, dari bentuk geometrik atau dari gabungan keduanya.Kelebihan isolator non-linier dalam mengontrol respon struktur bersifat semiaktif karena kemampuannya untuk mengatur fleksibilitas bangunan, dimana pada saatgaya kecil struktur memiliki kelcakuan besar dan periode kecil, sedangkan pada saatgaya besar lcekakuan menjadi keeil, dan periode strulctur membesar. Karena itu isolator non-linier memberikan tingkat kenyamanan yang lebih lnaik karena fleksibilitas struktur berubah menurut kebutuhan. Disamping itu sifat non-linieritas lebih mewakili keadaan yang sebenarnya.Skripsi ini akan membahas isolator non-linier geometrik dan pengaruhnyaterhadap strulrtur balok geser. Pada skripsi ini non-linieritas isolator berasal dari bentuk geometri bukan dari material. Model non-linier geometrik dipilih karena kemudahannya dalam mengidealisasikan bentuk non-linier yang diinginkan, Untuk mendapatkan hubungan antara beban dan lendutan dibuat program sederhana menggunakan bahasa Fortran 5.2, sedangkan analisa respon struktur balok geser (lendutan atas, percepatan atas, Iendutan bawah, percepatan bawah dan base shear) berdasarkan pengembangan program sebelumnya, Tujuan akhir dari skripsi ini adalah mernodelkan lsolator non linier geometrik dan melakukan pengujian eksperimental.

---

"

"Ada beberapa metode kontrol struktur dalam perencanaan struktur tahan gempa, salah satunya adalah sistem base isolation yang merupakan teknologi yang relatif baru di Indonesia. Dengan menggunakan base isolation, efek gempa akan direduksi melalui sistem yang fleksibel dan teredam. Fleksibilitas base isolation akan memperbesar periode struktur sehingga menjauhi periode getar predominan gempa dan redaman akan memperkecil amplitude respon struktur terhadap beban gempa. Untuk mengetahui kineria base isolation, penelitian dilakukan dalam 3 variasi. Variasi pertama merupakan variasi ketinggian struktur dengan menggunakan struktur beraturan 4, 6, dan 8 lantai serta menggunakan struktur tidak beraturan 8 lantai dengan loncatan bidang muka dari lantai 2, 4, dan 6 lantai. Variasi kedua dilakukan untuk mengetahui pengaruh karakteristik base isolation terhadap kinerjanya. Kekakuan horizontal dari Base isolation yang digunakan divariasikan sehingga menghasilkan periode isolator 1,5-3 detik. Sedangkan variasi ketiga merupakan variasi periode gempa dari 0,6-1,4 detik dengan menggunakan gempa sinusoidal. Dalam setiap variasi, perilaku dan respon struktur terisolasi dibandingkan dengan struktur terjepit. Perilaku dan respon struktur yang dianalisa meliputi: pola getar dan periode getar struktur, gaya geser tingkat, rasio simpangan antar tingkat, lendutan, percepatan total, dan gaya dalam elemen struktur.Dari hasil analisa, terlihat bahwa respon struktur terhadap beban gempa bumi dapat direduksi dengan memperbesar periode getar alami struktur sehingga menjauhi periode getar predominan gempa dan memperbesar redaman struktur. Base isolation cukup efektif dalam memperbesar periode getar alami struktur, khususnya struktur yang pendek. Efektivitas base isolation semakin berkurang seiring dengan bertambahnya ketinggian struktur karena periode struktur bertambah besar dengan bertambahnya ketinggian struktur. Struktur dengan bentuk yang berbeda namun memiliki periode yang hampir sama, jika menggunakan base isolation dengan karakteristik yang sama akan memiliki efektivitas yang hampir sama. Karakteristik base isolation mempengaruhi efektivitasnya. Semakin fleksibel base isolation yang digunakan maka akan semakin besar periode struktur terisolasinya sehingga kinerjanya semakin baik."

"Riset ini difokuskan pada karakteristik linier arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dalam rentang temperatur dari 50K hingga 250 K serta karakteristik arus-tegangan dan konduktansi dioda P-N Silikon skala nano doping tinggi pada temperatur 5,5K. Untuk itu dioda P-N dan P-I-N dengan konsentrasi doping tinggi difabrikasi pada wafer ultra tipis berstruktur silicon-oninsulator (SOI). Dari hasil fabrikasi telah diperoleh konsentrasi doping tinggi Boron dan Phosphorus pada divais dioda mencapai 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, berturut-turut. Pengukuran karakteristik arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dilakukan pada beberapa divais dengan lapisan intrinsik sepanjang 200 nm dan 700 nm. Linieritas arus pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan rentang temperatur dari 50 K hingga 250 K menunjukkan divais ini sesuai untuk sensor temperatur rendah. Pada pengukuran juga diperoleh data bahwa dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi menghasilkan arus yang lebih tinggi saat temperatur diturunkan dalam rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V. Selain itu juga diperoleh data bahwa divais skala nano dengan lapisan intrinsik yang lebih panjang dan lebih lebar akan menghasilkan arus yang lebih tinggi pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan temperatur dari 50K hingga 250K. Hasil pengukuran pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi pada rentang forward bias hingga 0,1 Volt maupun rentang reverse bias hingga -0,1 Volt menghasilkan beberapa puncak konduktansi yang menunjukkan kesesuaian nilai dengan level energi density of state dua dimensi (2D DOS) dan level energi kombinasi phonon pada temperatur 5,5K. Pada forward bias, level energi diskret heavy hole, light hole, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga 0,1 Volt. Demikian juga halnya pada reverse bias, level energi diskret elektron 2-fold valley, 4-fold valley, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga -0,1 Volt. Transport elektron pada dioda P-N Silikon dalam skala nano doping tinggi akan mengalami puncak konduktansi saat elektron memiliki energi yang sama dengan level diskret energi 2D DOS. Hal ini membuktikan adanya phonon-assisted tunneling pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi.

---

This report is focused on linier current-voltage (I?V) characteristic of highly-doped nanoscale Silicon P-I-N diodes at temperature from 50K to 250K and also I-V and conductance characteristics of highly-doped nanoscale Silicon P-N diode at temperature 5.5K. For that purpose, we fabricated nano scale P-I-N and P-N diodes within ultra thin silicon-on-insulator (SOI) structures. From fabrication, we achieved high doping concentrations of Boron and Phosphorus in SOI diodes, 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, respectively.

Measurement of current-voltage characteristics of highly-doped nanoscale silicon PIN diode is performed on devices with intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm. The current linearity under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature range from 50K to 250K shows that these devices are suitable for lowtemperature sensor. The measurement data shows also that highly-doped nanoscale silicon PIN diode produces higher current when the temperature is lowered under forward bias from 1.5 V to 2.0 V. In addition, the data shows that nanoscale devices with longer and wider intrinsic layer would generate higher current under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature from 50K to 250K.

Measurement of highly-doped nanoscale silicon P-N diode under forward bias to 0.1 Volt and also reverse bias to -0.1 Volt results conductance peaks that show relationship with two-dimensional density of state (2D DOS) and phonon combination energy level at temperature 5.5K. Under forward bias, discrete energy level of heavy hole, light hole and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range 0.1 Volt. Also under reverse bias, discrete energy level of electron 2-fold valley, 4-fold valley and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range -0.1 Volt. Electron transport of highly-doped nanoscale silicon P-N diode will experience conductance peaks when it has equal energy with 2D DOS discrete energy level. It proves the existence of phonon-assisted tunneling on highly-doped nanoscale silicon P-N diode."

"ABSTRACTThe complex and fascinating properties of a material often arises due to interactions among electrons as well as between electrons and other constituents of the material. A common model to describe the strongly correlated electronic system with strong on site Coulomb interaction is Hubbard model. It is usually aimed to theoretically address physical properties resulting from the strong correlations in the system. As Hubbard model generally cannot be solved exactly, one very powerful approximation method having been widely used over the last few decades is Dynamical Mean Field Theory DMFT . The theory maps the original lattice problem into an effective single impurity problem embedded in a self consistent bath. Apart from the many variants of the implementation of the method, it relies on using an impurity solver as part of its algorithm. In this work, rather than solving a Hubbard model, we aim to explore the impurity solver itself for solving a problem of metallic host doped with correlated elements which is described with Anderson Impurity Model AIM . In particular, we use the stochastic distributional exact diagonalization method. Here we try to understand more about how the metal insulator transition MIT in the system occurs, and how the MIT phenomenon reflects in its optical conductivity for various physical parameters.

---

ABSTRAKProperti dari sebuah material yang begitu kompleks sering muncul karena interaksi antar elektron atau juga antara elektron dengan komponen pengganti lain dari material. Suatu model umum untuk menjelaskan sistem elektronik terkorelasi kuat dengan interaksi Coulomb dalam situs elektron yang kuat adalah model Hubbard. Model ini biasanya ditujukan untuk secara teori menunjukkan properti fisis yang dihasilkan dari korelasi kuat di dalam sistem. Karena model Hubbard secara umum tak dapat diselesaikan secara eksak, ada satu metode pendekatan yang sangat baik yang dipakai beberapa dekade belakangan yaitu Dynamical Mean-Field Theory DMFT . Teori ini memetakan problem kisi asli menjadi problem impuritas tunggal efektif yang tertanam dalam suatu bath yang konsisten pada dirinya sendiri. Terlepas dari adanya berbagai varian dari implementasinya, metode ini bergantung pada penggunaan impurity solver sebagai bagian dari algoritmanya. Pada penelitian ini kami tidak bertujuan menyelesaikan model Hubbard. Yang kami ingin capai dalam penelitian ini adalah mengeksplorasi impurity solver itu sendiri untuk menyelesaikan problem dari suatu host metallic yang di-doped dengan elemen-elemen terkorelasi yang dideskripsikan dengan Anderson Impurity Model AIM . Secara khusus, kami menggunakan metode stochastic distributional exact diagonallization. Di sini kami mencoba untuk memahami lebih lanjut bagaimana metal-insulator transition MIT terjadi di dalam sistem, dan bagaimana fenomena MIT tercermin dalam konduktivitas optisnya untuk berbagai macam parameter fisis."

"Contents : - Editor - Authors - Abbreviations - Chapter 1: Introduction - Chapter 2: Overview of SIMOX technology: historical perspective - Chapter 3: Fundamental processes in SIMOX layer formation: ion implantation and oxide growth - Chapter 4: SIMOX/SOI processes: flexibility based on thermodynamic considerations - Chapter 5: Electrical and optical characterisation of SIMOX substrates - Chapter 6: SIMOX material technology from R&D to advanced products - Subject Index "

"Terjadinya Partial Discharge merupakan indikasi dari suatu kegagalan yang terjadi akibat kondisi dari transformator daya. Indikasi kegagalan dari karakteristik PD yang terjadi disebabkan oleh kesalahan desain/produksi dan penggunaan material yang kurang baik pada transformator daya. Pengidentifikasian kegagalan yang terjadi pada saat ini dilakukan dengan metoda investigasi setelah pengukuran PD. Metode yang digunakan tersebut sering menimbulkan interpretasi yang salah dalam mengatasi masalah yang terjadi sehingga berakibat lamanya pembuatan transformator daya. Penulisan tesis ini menunjukkan analisis menggunakan metoda berdasarkan kasus dari pengumpulan data karakteristik pola partial discharge yang dihasilkan dari pengujian didapatkan indikasi kegagalan dari kondisi transformator yang kurang baik terdeteksi dari pola pulsa yang muncul pada kuadran 1 dan 3 pada diagram sinusoidal. Selanjutnya dengan dipadukan karakteristik tingkatan hasil pengujian dan pengolahan secara statistik didapatkan kondisi transformator daya yang kurang baik memiliki kecenderungan kenaikan melebihi nilai 200 pC dan korelasi yang kuat antara tegangan dan tingkat partial discharge. Metoda tersebut juga bisa membedakan indikasi penyebab kondisi yang kurang baik pada transformator daya yang didapat dari analisis karakteristik tingkatan hasil pengujian dan pengolahan data penerapan tegangan dalam interval waktu tertentu dimana kondisi yang kurang baik yang disebabkan oleh kesalahan desain/produksi memiliki kecenderungan kenaikan yang lebih tinggi daripada akibat yang ditimbulkan dari penggunaan material yang kurang baik.

---

Partial Discharge is an early indication for the condition of power transformer that can make a failure. The failure is detected from PD characteristic could be made from design and material of power transformer. Nowadays failure identification is using investigation after partial discharge test measurement. This method usually makes wrong interpretation for solving problem so it takes along time for producing it.

This thesis will show the analyst using Base-Case Reasoning Method from collecting pattern characteristic from PD test measurement is resulting failure indication from bad condition of power transformer is detected from the appearance pulse in 1 and 3 quadrants at sinusoidal diagram. After that allied with level characteristic from testing and statistic processing is resulting indication of bad condition power transformer have a growing trend up to 200 pC and strong correlation between voltage and partial discharge level.

This method also can differ cause of bad condition power transformer from the characteristic testing and statistic processing from applying voltage in interval of time where the bad condition cause of wrong design have a rapid growing trend data than bad condition cause of using material."

"Fenomena yang sering ditemukan di lapangan adalah masalah partial discharge pada isolasi khususnya bushing transformator yang seharusnya mampu untuk menahan tegangan tembus yang telah ditentukan. Namun pengukuran dan pendeteksian partial discharge sebagai langkah preventif masih jarang dijumpai, sehingga berakibat pada kegagalan total pada isolasi. Pada penelitian ini dibahas tentang kegagalan isolasi baik padat, cair maupun gas yang merupakan faktor penting terjadinya partial discharge.Bushing merupakan peralatan persambungan yang merupakan titik lemah dari sistem tenaga listrik dan rentan terhadap kegagalan. Sehingga disusunlah berbagai metode untuk pendeteksian partial discharge ini seperti Dissolved Gas Analysis (DGA), pendeteksian emisi akustik, ultrasonik dan infra merah. Pada penelitian ini digunakan kombinasi monitoring partial discharge dengan menggunakan metode emisi akustik dan infra merah yang menunjukkan kemunculan sinyal emisi akustik dengan frekuensi-frekuensi tinggi pada partial discharge dengan energi yang lebih rendah.

---

In field work, the most occurrance phenomene is partial discharge on isolation especially for isolation in bushing transformator which should able to resist the penetration voltage that have determined before. However, measurement and detection of partial discharge as preventive step is rare to do, so it can cause a total failure in isolation. This research is purposed to explain more about a total failure on solid, liquid, and gas isolation which is an important factor in partial discharge occurance.

Bushing is a conjuction tool which is a weak point from electricity energy system and vulnurable with failure. Therefore, there are several method to detect partial discharge such as Dissolved Gas Analysis (DGA), acoustic emission, ultrasonic dan infra red. In this study used monitoring partial discharge with combining acoustic emission and infrared that show partial discharge of low energy create acoustic emission signal of higher frequency. "

"ABSTRAKGas Insulated Switchgear (GIS) mulai banyak digunakan pada sistem tenaga listrik. GIS digunakan untuk menggantikan gardu induk konvensional yang memiliki banyak kekurangan. GIS dipilih karena kehandalannya, perawatan yang mudah, dan ukurannya yang kecil hanya 10% dari gardu induk konvensional. Tetapi dengan bentuknya yang compact diperlukan suatu isolasi yang dapat dihandalakan, bekerja cepat ketika terjadi gangguan, atau dapat memutuskan segitiga api ketika terjadi gangguan seperti spark.Menurut penelitian CIGRE Partial dischargemenjadi salah satu penyebab kegagalan isolasi pada GIS. Untuk itu diperlukan pemantauan terhadap Partial discharge di dalam GIS. Pengukuran kualitas GIS Paiton sejak 2010 sampai 2015 menunjukan bahwa Partial discharge sebesar 1 mV/ pC pada unit A menyebabkan penurunan kemurnian gas SF6 sebesar 0.89% per tahun dan menaikan titik embun sebesar 5.80C per tahun. Pada unit B menyebabkan penurunan kemurnian gas SF6 sebesar 0.26% per tahun dan menaikkan titik embun sebesar 9.570C per tahun. Karena itu perlu terjadi pergantian isolasi gas pada unit A setiap 3 tahun sekali dan pada unit B setiap 5 tahun sekali.

---

ABSTRACT

Gas Insulated Switchgear (GIS) have been widely used in the power system. GIS is used to replace conventional substation has many shortcomings. GIS been reliability, easy maintenance, and its small size of only 10% of conventional substation. But with a compact shape required an isolation that can work quickly when there is disruption, or it can decide when the fire triangle spark interference occurs. According to research CIGRE,partial discharge to be one cause insulation failure in GIS. It is necessary for the monitoring of the partial discharge in GIS. Paiton GIS quality measurements from 2010 to 2015 shows that the partial discharge of 1 mV / pC at unit 1 causes a decrease in SF6 gas purity of 0.89% per year and raise the dew point of 5.80C per year. On unit 2 caused a decrease in SF6 gas purity of 0.26% per year and raise the dew point of 9.570C per year. Because of that, it is necessary to replace the gas isolation of unit A every 3 years and the unit B every 5 years."

"Metode Diagnosa Partial Discharge telah dipelajari lebih dari seratus tahun dan hingga sekarang metode diagnosa PD terus dikembangkan. Analisa Partial Discharge menjadi bagian penting didalam assessmen peralatan listrik, analisa partial discharge menentukan kondisi terkini dari peralatan listrik. Diagnosa data sinyal Partial Discharge menggunakan Metode Weibull terbukti tepat untuk mendiagnosa dan memisahkan sumber-sumber Partial Discharge yang berbeda, noise, dan gangguan (disturbances). Pengujian Goodness of Fit dilakukan dengan tujuan menentukan karakteristik distribusi data. Jenis data yang dipergunakan dalam studi ini adalah Distribusi Nilai Partial Discharge (Partial Discharge Height Distribution) yang diperoleh dari data pengukuran jurnal-jurnal Partial Discharge dan data pembimbing. Tujuan dari studi diagnosa ini adalah: menentukan akurasi dari prosedur diagnosa dengan membandingkan parameter statistik yang telah ada dengan hasil prosedur rancangan penulis, mengambil kesimpulan karakteristik sumber Partial Discharge dari nilai-nilai shape parameter dari beragam jurnal. Hasil akhir menyimpulkan bahwa parameter- parameter Weibull dapat menjelaskan karakter Partial Discharge dari sumber yang berbeda, sedangkan Pengujian Goodness of Fit belum dapat mendukung parameter-parameter Weibull untuk menjelaskan keragaman data distribusi.

---

Partial discharge diagnosis methods have been studied for more than a century and until now its diagnosis method is still developing. Partial Discharge Analysis become an important part in electrical utility assessment, partial discharge analysis determine the actual condition of electrical utility. Partial Discharge signal data diagnosis using Weibull Method are proven proper to diagnose and separate among Partial Discharge origin sources, noises, and disturbances. Goodness of Fit Tests usage are practiced in order to determine characteristics of data distribution. Data type utilized in this study is Partial Discharge Height Distribution Data which acquired from Partial Discharge measurement data from journals and supervisor data. The purpose of this diagnosis study are : to determine diagnosis procedure accuracy by comparing existing statistical parameter result with the self-designed procedure, to take conclusion related to Partial Discharge source characteristics by shape parameter from various journals. Final results concludes that Weibull parameters are able to characterise Partial Discharge sources variety, while Goodness of Fit Tests have not yet been able to support the Weibull parameters to define data distributions variety."