Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat lapisan tipis ZnS tanpa tambahan Sulfur dan dengan tambahan Sulfur dengan metode evaporasi termal. Pola difraksi yang didapat dengan karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis ZnS yang dibuat dengan dan tanpa tambahan Sulfur memiliki struktur kristal kubik (Zincblende) dengan preferred orientation [111] untuk laju deposisi 6 A/s dan struktur kristal hexagonal (wurtzite) dengan preferred orientation [0021 untuk laju deposisi 20 Vs. Lapisan tipis yang didapat berbentuk polikristal, hal ini menunjukkan struktur kolumnar yang memang biasanya dimiliki oleh lapisan tipis yang dibuat dengan metode PVD. Juga diamati untuk sampel dengan laju deposisi lebih tinggi mempunyai ukuran butir yang lebih kecil.Dari analisa EDAX diketahui semua sampel kelebihan sulfur baik yang dibuat dengan tambahan Sulfur maupun tanpa tambahan Sulfur. Pengukuran konduktivitas terhadap temperatur menunjukkan lapisan tipis ZnS yang dibuat mempunyai perilaku semikonduktor. Sampel dengan laju deposisi rendah mempunyai hambatan jenis ~106 Ωcm dan sampel dengan laju deposisi tinggi mempunyai hambatan jenis ~107Ωcm untuk ZnS tanpa tambahan sulfur dan ~109Ωcm untuk ZnS dengan tambahan sulfur. Karakterisasi I-V menunjukkan adanya sifat ohmik, non ohmik dan destructive breakdown pada medan ± 3 MV/cm. Mekanisme yang terjadi pada medan rendah adalah tunneling dan pada medan tinggi (>1 MV/cm) terjadi pula electron avalanching."

"ABSTRAKPada eksperimen telah dibuat lapisan tipis Karbon pada substrat kaca dengan variasi ketebalan 800A, 900A, 1000A, 1500A, 1800A dengan metode Evaporasi Berkas Elektron dalam Vakum.Kemudian dilakukan pengukuran resistansi listrik lapisan tipis Karbon. di luar Vakum, pada temperatur ruang dan variasi temperatur. Pada temperatur ruang, ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Jika dibandingkan dengan resistivitas bulk, sekitar 9 kali lebib besar untuk ketebalan lapisan 1800Ǻ. Hal ini diperkirakan akibat dari tumbukan pada permukaan lapisan tipis yang tidak rata ρs, kontribusi impuritas ρi, dan hamburan pada batas butir (Grain Boundries) pg.Proses pengujian selanjutnya dilakukan dengan pemeriksaan konduktivitas akibat pengaruh temperatur, sedangkan arus yang melewati sampel multi dari 0.25 mA sampai 2.5 mA dengan rentangan temperatur dari -25°C sampai 100°C. Dengan menggunakan rumus konduktivitas listrik σ = σ ∩exp(-∆E/kT, diperoleh harga energi aktivasi pada lapisan tipis Karbon berkisar antara 0.025 - 0.04 eV.Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa pembawa muatan pada lapisan tipis Karbon adalah elektron yang berasal dari atom - atom pengotor yang masuk ke dalam sampel lapisan tipis Karbon."