Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat lapisan tipis In2O3: Sn (ITO) dengan metode DC Magnetron Sputtering diatas substrat soda-lime yang mudah diperoleh dan murah. Hasil pengujian menunjukkan bahwa nilai resistivitas tidak homogen pada suatu permukaan lapisan tipis. Resisitivitas minimum diperoleh bernilai 1.6 x 10-4 Ω cm. Resistivitas minimum ini umumnya diperoleh pada titik pengukuran yang berjarak 40 mm sumbu x negatif, 27 mm sumbu y negatif dari titik pada sampel yang berada tepat di atas titik pusat target. Struktur mikro menunjukkan preferred orientation pada (400). Ukuran batas butir lebih mempengaruhi resistivitas. Umumnya grain yang besar akan memiliki nilai resistivitas yang kecil.

---

In2O3 :Sn (ITO) thin film has been using DC Magnetron Sputtering method on soda-lime substrate which is easy to get and the price is cheap. The result show the inhomogeniety of resistivity value on the surface of thin fim. The minimum resistivity is 1.6 x 10 -4Ω cm. This value is generally obtained at the point of which is 40 mm to the left, 27 mm down of a point at the sample which is exactly on top of the target center point. The microstructure shows preferred orientation at (400), but resistivity is not depend on this. This value is determined more of the size of grain boundary. Generally, a bigger grain will result in a smaller value of resistivity. It is hypothesized that the conductivity process is caused by donors which are localized at grain boundaries. This hypothesis explained which shows the amount of grain is increase, resistivity will decrease."

"Resistansi listrik lapisan tipis tin doped indium oxide (In203:Sn, ITO) yang dibuat dengan cara dc magnetron sputtering telah diteliti. Resistivitas yang diukur dengan cara empat titik berkisar dari 1.2 x 10'3 Slcm sampai 7.9 x 10-3 SZcm tergantung dari kadar oksigen pada temperatur ruangan. Di bawah temperatur 100 K, kerapatan pembawa muatan mendominasi konduktivitas sehingga dapat dikatakan bahwa ITO bersifat sebagai semikonduktor dengan energi aktivasi dari 2 x 10-6 eV sampai 1 x 104 eV. Dan pengaruh mobilitas menjadi konstan sehingga koefisien temperatur a dapat dianggap nol. Karenanya itu di bawah temperatur 100 K konduktivitas dapat ditulis sebagai d = o-o exp(-AE 1 kT) . Di atas temperatur 150 K mobilitas pembawa muatan mendominasi konduktivitas, sehingga ITO menyerupai logam dengan temperatur koefisien a dari 1.7 x 10K-1 sampai 4.2 x 104 K"1. Di atas 150 K, bentuk konduktivitas sebagai fungsi temperatur, dapat ditulis sebagai o = o exp(-dE/ kT) 1(1 + aT).Pengaruh kadar oksigen yang dimasukkan pada waktu sputtering sangat besar terhadap resistivitas maupun energi aktivasi. Resistivitas bertambah besar sebanding kenaikan kadar oksigen yang dimasukkan pada waktu sputtering. Namun, energi aktivasi bertambah besar sebanding kenaikan kadar oksigen hanya di bawah 100 K. Di atas 150 K, energi aktivasi mulai menjadi konstan yakni dengan harga sekitar 2 x 104 eV. Resistivitas paling kecil dan cenderung lebih bersifat logam ketika tidak dimasukkan gas oksigen ( 0 % ), sedangkan resistivitas paling besar dan lebih bersifat semikonduktor ketika dimasukkan gas oksigen 8.1 %."