Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Lapisan tipis merupakan salah satu produk rekayasa material modern. Keburuhan penggunaan lapisan tipis meluas ke berbagai bidang,terutama bidang elektronik. Cerium Oksida sebagai salah satu material logam tanah jarang memiliki peluang pengembangan yang cukup menjanjikan untuk aplikasi lapisan. tipis di Indonesia. Teknologi yang digunakan untuk menghasilkan lapisan tipis yang cukup berkualitas adalah teknik sputtering. Teknologi ini relatif mudah dan murah. Penelitian ini berusaha menemukan penga~h durasi waktu pemrosesan terhadap struktur mikro dari lapisan tipis Ce02 Lapisan tipis diperoleh dengan proses deposisi sputtering diatas substrat kaca dengan variabel waktu 1,75 jam, 2 jam dan 3 jam. Suhu substrat 30f1'C. Kemudinn setelah proses deposisi selesai, sampel diberi perlakuan panas 30/fC selama 1 jam untuk memudahkan pengamatan struktur mikronya. Karakterisasi struktur mikro dila/mkon dengan pengujian SEM dan XRD, pengujian EDAXS dilakukan untuk memastikan unsur elemen yang menyusun lapisan tipis. Hasil pengujian dari setiap sampel dibandingkan dari segi krista/initas dan morfologi permukaannya. Dari perbandingan hasil XRD d,an standar JCPDS diperoleh kesesuaian parameter kisi, indeks miller, kemudian komposisi dari variasi ' orientasi kristal yang ada dihitung dari luas daerah dibawah puncak. Hasil penelittan menunjukkan bahwa penurunan variasi orientasi krisJal dan penghalusan butir muncul seirin;i dengan bertambahnya durasi waktu deposisi/pemrosesan. Kristal yang terbentuk adalah polikristalin, kubik dan kompleks (FCC-Iwmp/eks/ non-bravais). Kristalinitas terbaik diperoleh pada sampel 3 jam pada orientas i(200). Selama proses penwnbuhan, terjadi rekristalfsasi dan evolusi bidang kristal."

"ABSTRAKTiN material yang popular sebagai protective coating pada tools karena mempunyai hardness sekitar 2200 VHN. Pelapisannya pada Stainless steel kami lakukan dengan metoda sputtering reaktif dimana selain gas Argon sebagai gas sputter juga diniasukkan gas Nitrogen yang diharapkan bereaksi Nitridasi dengan atom atom tersputter Titanium menjadi Titanium Nitrida pada substrat yang dipanaskan. Pada penelitian tahap kedua ini dibuat beberapa sampel Stainless Steel dilapisi lapisan tipis TiN Titanium Nitrida secara sputtering reaktitf dengan menggunakan modifikasi pada Universal Coating Machine Leybold Haeraus UNIVEX 300. Dengan menggunakan modifikasi geometris lingkungan terbatas dan penyempumaan sistim pemanasan sampel dihasilkan beberapa sampel yang baik. Secara umum peningkatan kekerasan melebih 200persen max. 669persen pada Stainless Steel; yang mana jauh lebih baik dari hasil penelitian Tahap I yang hanya menghasilkan peningkatan maksimum 95persen. Demikian pula hasil-hasil ini jauh lebih reprodusibel dibandingkan dengan hasil penelitian Tahap I hampir semua sampel jadi. Karakterisasipun telah bertambah dengan XRD dengan hasil yang memuaskan. Sekalipun demikian dijumpai kendala-kendala baru yang semakin menantang: 1 Daya lekat beberapa sampel tidak baik mengelupas. 2. Pemanasan hanya mencapai 300 C dan berefek samping kerusakan beberapa komponen penting sistim vakum. 3. Flowmeter gas kurang peka kalanya. Ini semua akan diupayakan jalan pemecahannya pada penelitian Tahap III yang akan di titik beratkan pada penyempumaan teknik fabrikasi dan solusi kendala kendala tersebut. Demikian pula akan ditambahkan karakterisasi dengan SEM."

"Telah dibuat lapisan tipis In2O3: Sn (ITO) dengan metode DC Magnetron Sputtering diatas substrat soda-lime yang mudah diperoleh dan murah. Hasil pengujian menunjukkan bahwa nilai resistivitas tidak homogen pada suatu permukaan lapisan tipis. Resisitivitas minimum diperoleh bernilai 1.6 x 10-4 Ω cm. Resistivitas minimum ini umumnya diperoleh pada titik pengukuran yang berjarak 40 mm sumbu x negatif, 27 mm sumbu y negatif dari titik pada sampel yang berada tepat di atas titik pusat target. Struktur mikro menunjukkan preferred orientation pada (400). Ukuran batas butir lebih mempengaruhi resistivitas. Umumnya grain yang besar akan memiliki nilai resistivitas yang kecil.

---

In2O3 :Sn (ITO) thin film has been using DC Magnetron Sputtering method on soda-lime substrate which is easy to get and the price is cheap. The result show the inhomogeniety of resistivity value on the surface of thin fim. The minimum resistivity is 1.6 x 10 -4Ω cm. This value is generally obtained at the point of which is 40 mm to the left, 27 mm down of a point at the sample which is exactly on top of the target center point. The microstructure shows preferred orientation at (400), but resistivity is not depend on this. This value is determined more of the size of grain boundary. Generally, a bigger grain will result in a smaller value of resistivity. It is hypothesized that the conductivity process is caused by donors which are localized at grain boundaries. This hypothesis explained which shows the amount of grain is increase, resistivity will decrease."

"Lapisan tipis indium timah oksida (ITO) dideposisikan pada substrat gelas corning dengan metode sputtering menggunakan gas argon. Parameter deposisi dan penambahan oksigen dalam gas sputtering dioptimasi untuk mendapatkan tingkat transparansi lapisan tertinggi dan resistivitas listrik terendah melalui pengamatan struktur, sifat listrik dan sifat optik. Peningkatan laju deposisi dan ketebalan lapisan menghasilkan perubahan orientasi kristalografi dari (222) ke (400) dan (440), serta peningkatan kekasaran permukaan lapisan. Pemanasan substrat sangat diperlukan untuk mendapatkan lapisan tipis dengan kristalinitas yang lebih baik. Nilai resistivitas lapisan cenderung naik dengan penambahan oksigen hingga 2% dalam gas sputtering , dengan nilai resistivitas terendah sebesar 5.36 x 10-4Ω?cm dapat dicapai pada ketebalan lapisan 750 nm. Semua lapisan tipis yang dideposisi pada penelitian ini menunjukkan transparansi lebih dari 85% sehingga memungkinkan untuk diaplikasikan pada divais fotovoltaik dan display.

---

Indium tin oxide (ITO) films were sputtered on corning glass substrate. Oxygen admixture and sputtering deposition parameters were optimized to obtain the highest transparency as well as lowest resistivity. Structural, electrical and optical properties of the films were then examined. In creasing deposition rate and film thickness changed the crystallographic orientation from (222) to (400) and (440), as well as higher surface roughness. It was necessary to apply substrate heating during reposition to get films with better crystallinity. The lowest resistivity of 5.36 x 10-4Ω?cm was obtained at 750 nm film thickness. The films resistivity was increased by addition of oxygen up to 2% in the argon sputtering gas. All films showed over 85% transmittance in the visible wavelength range, possible for applications in photovoltaic and display devices."