Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada penelitian ini dirancang sebuah sensor dari rangkaian elektronik yang dinamakan osilator. Rangkaian osilator adalah suatu rangkaian elektronik yang dapat menghasilkan osilasi tanpa diberikan sinyal secara eksternal. Sinyal tersebut timbul karena adanya noise pada setiap komponen yang digunakan. Osilasi tersebut timbul juga karena adanya rangkaian resonator yang menyebabkan sinyal tersebut beresonansi dan amplifier yang menguatkan sinyal tersebut sehingga tidak teredam. Osilator yang digunakan adalah jenis LC dimana rangkaian penyusun resonatornya yaitu induktor dan kapasitor. Dengan mengubah nilai induktansi dan kapasitansi pada resonatornya, maka frekuensi osilasinya akan berubah. Perubahan frekuensi terhadap perubahan nilai komponen induktor dan kapasitor tersebut dijadikan sebagai karakteristik sensor induktif dan kapasitif dalam hal sensitivitas, range, dan linieritas dari perubahan tersebut. Osilator yang digunakan yaitu tipe Colpitts dan Hartley, dimana setiap tipe memiliki konfigurasi resonator yang berbeda dengan amplifier yang sama. Karakteristik dari setiap tipe osilator akan dibandingkan sehingga akan didapat karakteristik sensor yang baik dalam penggunaannya. Dari hasil penelitian, didapat karakteristik sensor induktif yang baik pada tipe Colpitts dengan nilai sensitivitas yaitu -78 kHz/μH pada range perubahan induktansi 2-40 μH dan perubahan frekuensi sekitar 3.889-0.921 MHz. Untuk sensor kapasitif memiliki karakteristik yang baik pada tipe Hartley dengan sensitivitas yaitu -1.983 MHz/nF pada range perubahan kapasitansi 0.05-1.5 nF dan perubahan frekuensi 3.695-0.819 MHz.

---

In this research was design an electronic sensor is called oscillator. Oscillator circuit is an electronic circuit produce oscillation without signal from external. Signal exist in this circuit because the noise signal from the components of the circuit. Signal will resonance because the resonator and will amplify by the amplifier. Oscillator circuit using LC oscillator. When the inductive and capacitive components are changed, oscillation frequency will change. Change of frequency and component value will be taken for sensor characteristic. Type of oscillators will be used are Colpitts and Hartley. Each of type is different in resonator configuration but same in amplifier. Each of characteristic is compared which is one better. Colpitts has a good characteristic in inductive sensor with sensitivity value is -78 kHz/μH at inductive range 2-40 μH and frequency range is 3.889-0.921 MHz. For capacitive sensor, Hartley has a good characteristic with sensitivity value is -1.983 MHz/nF at capacitive range is 0.05-1.5 nF and frequency range is 3.695-0.819 MHz."

"ABSTRAKBerbagai sensor tekanan dengan memanfaatkan defleksi pada diafragma, telah terdapat dalam kehidupan kita sehari-hari.Pada skirpsi ini, dilakukan penelitian yang bertujuan untuk menunjukkan bahwa sensor tekanan kapasitif dengan menggunakan diafragma center boss memiliki non lineantas yang lebih baik dibandingkan dengan diafragma konvensional, yaitu diafragma lingkaran. Usaha untuk meningkatkan sensitivitas dilakukan dengan memperkecil nilai jarak antar pelat awal (do), sehingga didapatkan sensor tekanan cenrer boss memiliki sensitivitas dan non linearitas yang lebih optimal dibandingkan dengan sensor konvensional. Selain itu pada skripsi, dilakukan perancangan dan perencanaan fabri kasi sensor tekanan dengan diafragma center boss.Pada penelitian ini, berbagai parameter sensor tekanan dengan menggunakan center boss disimulasikan memakai program MathCad. Dari hasil simulasi dapat disimpulkan bahwa sensor tekanan center boss yang dirancang untuk tekanan 0-12000 Pa memiliki sensitivitas 2,52 E-14 F/kPa dan non Iinearitas 3,68 E-5.

---

"

"Fabrikasi kompleks Tb[EO4-Pic] ke dalam bentuk mikropartikel dengan metode represipitasi-penguapan telah berhasil dilakukan dalam penelitian ini, dimana EO4 = tetraetilena glikol, Pic = anion pikrat. Untuk perbandingan dikaji juga fabrikasi dengan metode In situ. Mikropartikel kompleks Tb[EO4-Pic] yang dihasilkan didispersikan ke dalam matriks polimer polimetilmetaakrilat (PMMA) menjadi komposit Tb[EO4-Pic]/PMMA. Komposit dilapiskan pada substrat dengan teknik spin-coating. Pada penelitian ini dikaji juga pengaruh polimer dan substrat terhadap sifat luminesensi dari mikropartikel kompleks Tb[EO4-Pic] dan kompositnya. Ukuran partikel dan fluoresensi dari mikropartikel kompleks Tb[EO4-Pic] dan kompositnya masing-masing diukur dengan Particle Size Analyzer dan spektrofluorometer. Partikel komposit yang dibuat dengan metode represipitasi-penguapan berukuran lebih kecil (191,0 nm) dibandingkan yang diperoleh dengan metode In situ (431,8 nm). Puncak hipersensitif pada 548 nm (transisi 5D4 à 7F5) sebagai karakter ion terbium(III) meningkat dengan kenaikan rasio intensitas transisi 5D4 à 7F5 terhadap transisi 5D4 à 7F6 dari 9,31 menjadi 11,87 yang disebabkan oleh adanya polimer dan kenaikan rasio intensitas dari 7,38 menjadi 48,50 yang disebabkan oleh pelapisan komposit pada substrat aluminum permukaan kasar. Mikropartikel kompleks Tb[EO4-Pic] dan kompositnya dapat digunakan sebagai pusat luminesensi untuk aplikasi fotosensor emisi hijau.

---

Fabrication complex of Tb[EO4-Pic] into microparticle size with reprecipitation-evaporation method has been studied, where EO4 = tetraethylene glycol, Pic = picrate anion. For comparison purpose, the In situ method was also investigated. The result of the Tb[EO4-Pic] microparticle complex was dispersed into polymethylmethaacrylate (PMMA) polymer matrix to be a composite Tb[EO4-Pic]/PMMA. The composite is coated to substrate by using spin-coating technique. In this research is also studied the effect of polymer and substrates to the luminescence property of the Tb[EO4-Pic] microparticle complex and its composite. Particle size and fluorescence of the Tb[EO4-Pic] microparticle complex and its composite were carried out by Particle Size Analyzer and spectrofluorometer, respectively. The particle composite that prepared by reprecipitation-evaporation method is smaller (191.0 nm) than that in the In situ method (431.8 nm). The hypersensitive peak at 548 nm (5D4 à 7F5 transition) is character of the terbium(III) ion increased with increasing intensity ratio of the 5D4 à 7F5 / 5D4 à 7F6 transitions from 9.31 to 11.87 due to the polymer and increasing intensity ratio from 7.38 to 48.50 due to the composite coating on aluminum substrate rough surface. Microparticle complex of Tb[EO4-Pic] and its composite can be applied as luminescent center in photosensor application for green emission."

"Pada penelitian ini dirancang multifrekuensi osilator yang bekerja pada frekuensi 0,9 GHz, 1,8 GHz, dan 2,7 GHz menggunakan multi-resonant series pada base transistor dan multi filter sehingga dihasilkan multi frekuensi osilator. Jenis filter yang dipergunakan filter Chebysev karena memiliki response lebih tajam. Topologi yang dipergunakan menggunakan bias common base untuk dapat berosilasi. Hasil pada frekuensi sebesar 0,9 GHz memiliki phase noise sebesar -135 dBc/Hz pada 1 MHz frekuensi carrier. Power fundamental sebesar 9,6 dBm, power harmonik pertama sebesar -33,5 dBm dan power harmonik kedua sebesar -51,8 dBm. Hasil pada frekuensi sebesar 1,8 GHz memiliki phase noise sebesar -135 dBc/Hz pada 1 MHz frekuensi carrier. Power fundamental sebesar 7,8 dBm, power harmonik pertama sebesar -36,8 dBm dan power harmonik kedua sebesar -49,49 dBm. Hasil pada frekuensi sebesar 2,7 GHz memiliki phase noise sebesar -135 dBc/Hz pada 1 MHz frekuensi carrier. Power fundamental sebesar 1,65 dBm, power harmonik pertama sebesar -38 dBm dan power harmonik kedua sebesar -44 dBm. Selain itu, hasil simulasi S11 pada frekuensi 0,9 GHz sebesar 2,5 dB dengan pengukuran S11 sebesar 2 dB. Hasil simulasi S11 pada frekuensi 1,8 GHz sebesar 1,5 dB dengan pengukuran S11 sebesar 0,8 dB. Hasil simulasi S11 pada frekuensi 2,7 GHz sebesar 1 dB dengan pengukuran S11 sebesar 0,7 dB. Selain itu nilai isolation baik S21, S32, dan S31 memiliki nilai kurang dari -20 dB baik pada simulasi maupun pada pengukuran.

---

In this paper was designed multifrequency oscillator working at a frequency of 0.9 GHz, 1.8 GHz and 2.7 GHz using multi-resonant series at the base of the transistor and the multi-filter so that the resulting multi-frequency oscillator. Filter type filter Chebysev used because it has a sharper response. Topology using bias common base used to be able to oscillate. The results on the frequency of 0.9 GHz has phase noise of -135 dBc / Hz at 1 MHz carrier frequency. Fundamental power of 9.6 dBm, the power of -33.5 dBm first harmonic and second harmonic power of -51.8 dBm.

Results at a frequency of 1.8 GHz has phase noise of -135 dBc / Hz at 1 MHz carrier frequency. Fundamental power of 7.8 dBm, the power of -36.8 dBm first harmonic and second harmonic power of -49.49 dBm. Results at a frequency of 2.7 GHz has phase noise of -135 dBc / Hz at 1 MHz carrier frequency. Fundamental power of 1.65 dBm, power of -38 dBm the first harmonic and second harmonic power of -44 dBm. In addition, the simulation results at a frequency of 0.9 GHz S11 is 2.5 dB with S11 measurements by 2 dB. S11 simulation results at a frequency of 1.8 GHz of 1.5 dB to 0.8 dB for S11 measurements. S11 simulation results at a frequency of 2.7 GHz at 1 dB with S11 measurements of 0.7 dB. In addition both the isolation S21, S32, and S31 has a value of less than -20 dB in both the simulation and measurement."