Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat rancang bangun alat uji untuk mengetahui konstantadielektrik sampel dengan metode arus konstan yang tampilannyamenggunakan piranti lunak LabVIEW (National Instruments, Texas).Pengontrolan dilakukan oleh PC dengan memberikan output dari 0 voltsampai 5 volt. Sample yang digunakan pada pengujian ini adalah kacacorning yang dilapisi bahan dielektrik PZT (Lead Zirkonat Titanat) yang telahdidoping. Lapisan tipis PZT yang telah didoping terdiri dari PGZT, PIZT,PNZT, dan PVZT. Lapisan tipis ini ditempatkan pada elektroda yang diberitegangan listrik sebesar 1000 VDC. Pada penelitian ini didapat teganganoutput dari masing-masing lapisan tipis tersebut. Konstanta dielektrik didapatdengan menggunakan RLC meter, berikut adalah konstanta dielektrik darimasing-masing bahan lapisan tipis : PGZT 8% = 20.062, PIZT 8% = 20.178,PNZT 8% = 22.211, PVZT 8% = 22.923, corning = 2.061."

"Telah dibuat suatu alat ukur untuk menetukan konstanta dielektrik lapisantipis dengan metode arus konstan. Alat itu, dicoba untuk mengukur lima sampelyaitu substrat corning dideposisi lapisan tipis dengan teknik spin coating dariPIZT 8%, PVZT 8%, PNT8%, dan PGZT 8%. Hasil yang diperoleh daripengukuran mengalami problem sehingga tidak sesuai dengan hasil yangdiharapkan. Oleh karena itu penghitungan konstanta dielektrik dilakukan denganmenggunakan bantuan RCL meter tipe Fluke PM6306. Hasil penghitungankonstanta memakai alat yang dibuat yang diprogram dengan Labview diperolehHasil penghitungan konstanta masing-masing sampel tersebut adalah denganprogram Labview diperoleh K substrat corning = 3,33; K PIZT 8% = 9,97; K PVZT 8% =19,88; K PNZT 8% = 11,60 dan K PGZT 8% = 8,06. Dibandingkan dengan hasilpengukuran memakai RCL meter Fluke PM 6306 diperoleh K substrat corning = 2,061;K PIZT 8% = 20,178; K PVZT 8% = 22,923; K PNZT 8% = 22,211 dan K PGZT 8% = 20,062.Hal ini menunjukkan ada perbedaan yang berarti. Untuk itu perlu dilakukanpenelitian yang lebih lanjut."

"Abstract Spectral decomposition is an established technique for stratigraphic analysis from seismic reflection data. Interpretation is usually purely qualitative, but in some circumstances the technique can also provide quantitative information about bed thickness, especially near or below seismic resolution. This thesis describes a novel extension of the spectral decomposition technique that improves the accuracy of bed thickness estimation. Thin beds produce periodic notches in the spectrum of the seismic trace. The spacing of these notches, which is inversely proportional to bed thickness, can be accurately measured by calculating the Fourier transform of the spectrum. This so-called cepstrum has local maxima corresponding to the thickness of the thin bed or beds. Since the technique does not rely on picking a single frequency, but instead detects tuning effects from the entire spectrum, it copes better with noise and is also able to resolve overlapping and interfering thin-bed effects. In this thesis, I present examples from two-dimensional synthetic seismic traces, three-dimensional synthetic seismic models and three-dimensional synthetic real data. The result show that in two-dimensional synthetic seismic traces that using this technique can separate reflector better than classic data processing. in three-dimensional seismic traces this technique also work well to show channel possibility and predict their thickness. Cepstral peaks are also a better predictor of thickness than the time difference between the top and base interpreted from the seismic trace. Key Word: Spectral decomposition; bed thickness; cepstrum; spectrum (xii+62) hlm; gbr; lamp; Daftar Acuan : 20 (1963-2006)"

"Abstrak Lapisan Tipis Ba0,5Sr0,5TiO3 IM dengan variasi suhu pemanasan proses pembuatan telah dihasilkan. Menggunakan teknik CSD (chemical solution deposition ) pada spin coating yang diputer 3000 rpm selama 30 detik. sampel yang ada diberikan perlakuan panas beberapa tahap (pengeringan-pirolisis-annealing). Struktur dari lapisan tipis BST dianalisis dengan menggunakan XRD ..."

"Abstrak Mikrostruktur lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-Sich) telah dianalisis dengan menggunkan pendekatan medium efektif (PME) Bruggemann. Lapisan tipis dihasilakan dengan metode deposisi dc magnetron sputtering menggunakan dua jenis target : silikon dan grafit. Mikrosstruktur lapisan tipis ini dimodelkan terdiri atas tiga komponen: amorf tetrahedral (a-SicCH), amorf grafitik (a-C), dan microvoid. Untuk memperoleh respon optis komponen amor ..."

"Fungsi dieiektrik kompleks lapisan tipis amorfsilikon karbon (a-Sii.xCx:H) hasit deposisi sputtering telah ditentukan dengan menggunakan hasil pengukuran spektroskopi ellipsometer. Besaran optis lapisan tipis a-Si/.,Cx:H diperoleh dengan prosedur MSE terhadap tan i// dan cos A hasil eksperimen dengan tan y/ dan cos A model matematis sistem lapisan tipis. Mode! sistem tiga media digunakan untuk mendiskripsikan lapisan tipis a-Sii.xCx:H di alas substrat corning 7059 yang terletak di udara. Fungsi dieiektrik kompleks yang diperoleh merupakan kurva yang mulus terhadap energi dan memperlihatkan kehadiran maksimum kurva. Fungsi dieiektrik bagian riil si merefleksikan kuadrat bagian riil indeks bias n sedangkan fungsi dieiektrik bagian imajiner £2 mewakili karakteristik bagian imajiner indeks bias k. Peningkatan konsentrasi karbon mengurangi tinggi maksimum dan menggeser posisi maksimum kurva ke energi yang lebih tinggi. Gap optis bertambah dengan peningkatan konsentrasi karbon sedangkan parameter B berkurang dengan meningkatnya konsentrasi karbon. Berkurangnya harga parameter B berhubungan dengan peningkatan ketidak-teratwan dari sistem amorf. Pengaruh peningkatan konsentrasi karbon terhadap fungsi dieiektrik, gap optis dan parameter B merupakan akibat dari berkurangnya ikatan Si-Si dan bertambahnya ikatan Si-C. Pengaruh konsentrasi karbon terhadap pseudo-fungsi dieiektrik kompleks mirip dengan fungsi dieiektrik kompleks.

---

The complex dielectric functions of the a-Si/.,Cx:H films deposited by sputtering methods have been determined by spectroscopy ellipsometry. Optical constants of the a-Sii.xCx:H films are obtained from the MSE procedure for the experimental and model parameters y/ and A. Model of three medium systems is used to describe the a-Si/.^C^H films on corning 7059 substrate in air ambient- The complex dielectric function curves are smooth and show a maximum. The real part of dielectric function reflects the behavior of n2 and the imaginary part reflects the dependence of k on energy. The curve maximum decrease in magnitude and shift to the higher energies with the carbon concentration increase. The optical gap becomes higher with the carbon contained increase in the films but the B parameter decreases. The decrease of this parameter has been related to the increase of compositional disorder. The influence of carbon concentration on the dielectric function, optical gap and B parameter is the result of replacing Si-Si bonds by Si-C bonds. The influence of carbon concentration to the pseudo-dielectric function is similar to the dielectric function.

---

The complex dielectric functions of the a-Si/.,Cx:H films deposited by sputtering methods have been determined by spectroscopy ellipsometry. Optical constants of the a-Sii.xCx:H films are obtained from the MSE procedure for the experimental and model parameters y/ and A. Model of three medium systems is used to describe the a-Si/.^C^H films on corning 7059 substrate in air ambient- The complex dielectric function curves are smooth and show a maximum. The real part of dielectric function reflects the behavior of n2 and the imaginary part reflects the dependence of k on energy. The curve maximum decrease in magnitude and shift to the higher energies with the carbon concentration increase. The optical gap becomes higher with the carbon contained increase in the films but the B parameter decreases. The decrease of this parameter has been related to the increase of compositional disorder. The influence of carbon concentration on the dielectric function, optical gap and B parameter is the result of replacing Si-Si bonds by Si-C bonds. The influence of carbon concentration to the pseudo-dielectric function is similar to the dielectric function

;Fungsi dieiektrik kompleks lapisan tipis amorfsilikon karbon (a-Sii.xCx:H) hasit deposisi sputtering telah ditentukan dengan menggunakan hasil pengukuran spektroskopi ellipsometer. Besaran optis lapisan tipis a-Si/.,Cx:H diperoleh dengan prosedur MSE terhadap tan i// dan cos A hasil eksperimen dengan tan y/ dan cos A model matematis sistem lapisan tipis. Mode! sistem tiga media digunakan untuk mendiskripsikan lapisan tipis a-Sii.xCx:H di alas substrat corning 7059 yang terletak di udara. Fungsi dieiektrik kompleks yang diperoleh merupakan kurva yang mulus terhadap energi dan memperlihatkan kehadiran maksimum kurva. Fungsi dieiektrik bagian riil si merefleksikan kuadrat bagian riil indeks bias n sedangkan fungsi dieiektrik bagian imajiner £2 mewakili karakteristik bagian imajiner indeks bias k. Peningkatan konsentrasi karbon mengurangi tinggi maksimum dan menggeser posisi maksimum kurva ke energi yang lebih tinggi. Gap optis bertambah dengan peningkatan konsentrasi karbon sedangkan parameter B berkurang dengan meningkatnya konsentrasi karbon. Berkurangnya harga parameter B berhubungan dengan peningkatan ketidak-teratwan dari sistem amorf. Pengaruh peningkatan konsentrasi karbon terhadap fungsi dieiektrik, gap optis dan parameter B merupakan akibat dari berkurangnya ikatan Si-Si dan bertambahnya ikatan Si-C. Pengaruh konsentrasi karbon terhadap pseudo-fungsi dieiektrik kompleks mirip dengan fungsi dieiektrik kompleks.

---

Abstract

The complex dielectric functions of the a-Si/.,Cx:H films deposited by sputtering methods have been determined by spectroscopy ellipsometry. Optical constants of the a-Sii.xCx:H films are obtained from the MSE procedure for the experimental and model parameters y/ and A. Model of three medium systems is used to describe the a-Si/.^C^H films on corning 7059 substrate in air ambient- The complex dielectric function curves are smooth and show a maximum. The real part of dielectric function reflects the behavior of n2 and the imaginary part reflects the dependence of k on energy. The curve maximum decrease in magnitude and shift to the higher energies with the carbon concentration increase. The optical gap becomes higher with the carbon contained increase in the films but the B parameter decreases. The decrease of this parameter has been related to the increase of compositional disorder. The influence of carbon concentration on the dielectric function, optical gap and B parameter is the result of replacing Si-Si bonds by Si-C bonds. The influence of carbon concentration to the pseudo-dielectric function is similar to the dielectric function."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis dengan ketebalan bervariasi antara 3000 - 10.000 A. Pembuatan dilakukan dalam ruang vakum dengan metoda termal evaporasi. Lapisan Aluminium terlebih dahulu didepositkan pada substrat kaca sebagai elektroda bawah, kemudian dengan lapisan tipis Silikon monoksida sebagai bahan dielektrik, dan dilapisi lagi dengan Aluminium sebagai elektroda atas, sehingga terbentuk struktur kapasitor Al-SiO-Al. Karakterisasi dilakukan terhadap kapasitansi sehingga diperoleh konstanta dielektrik er = 6,2 + 0,4 , dan faktor disipasi sebesar 0,07% pada 1 kHz, Berta nilai kuat dielektrik dari 0,14 - 0,36 10° V cm-4. Harga kuat dielektrik terjadi penurunan dari harga standart, Ed = 1 3 10¢ V hal ini diperkirakan akibat impurity gas residu yang terjebak maupun yang teroksidasi sehingga terbentuk lapisan tipis campuran antara SiO dan SiO2. Peristiwa ini erat hubungannya dengan parameter deposisi seperti tekanan gas 02 dalam ruang vakum dan laju deposisi."

"(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 telah dihasilkan dari Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) yang doping Cu (x=1%, 2%, 4%) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan proses spin coating (3000 rpm, selama 30 detik), di atas permukaan substrat Si (1 0 0) dan Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). Proses thermal hydrolisis, pyrolisis dilanjutkan dengan annealing pada suhu 8000C untuk pembentukan kristal. Hasil karakterisasi XRD dengan penghalusan GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) sudah masuk dalam BST menjadi kristal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 dan menyebabkan perubahan jarak antar kisi dari kristal. Analisa struktur, mikrostruktur, morfologi dan topografi lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 berpengaruh terhadap hasil karakterisasi sifat listrik (polarisasi dan konstanta dielektrik). Polarisasi (spontan dan remanen) untuk BST murni lebih besar dibandingkan dengan BST yang di-doping Cu, tetapi doping Cu memperkecil medan koersif lapisan. Penggunaan substrat Pt/TiO2/SiO2/Si untuk penumbuhan lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, dapat memperkecil medan koersif dibandingkan dengan substrat Si. Telah dihasilkan konstan dielektrik dari lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 sebesar 900. Karakterisitik dielektrik dan medan koersif yang rendah dari penumbuhan lapisan BST diatas permukaan substrat, sangat baik untuk switching pada aplikasi memori ferroelektrik.

---

(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 fabricated from Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) with doping Cu (x=1%, 2%, 4%) used Chemical Solution Deposition (CSD) method and spin coating (3000 rpm, 30 second) process, on substrate Si (1 0 0) and Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). The Thermal process, hydrolisis, pyrolisis and annealing at temperature 8000C for crystallization. Characterization used XRD with refinement GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) doped in BST became crystal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 and changed lattice parameter of crystal. The structure, microstructure, morphology and topography of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 were analyzed and correlated to electronic properties of film (Polarization and Dielectric). The undoped BST had more high polarization (spontant and remanent) than BST with doping Cu, but doping Cu made decrease coersive field of film. The used substrate Pt/TiO2/SiO2/Si for growthing of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, could more decrease coersive field than used substrate Si. The dielectric constant of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 are 900. The dielectric properties, low coersive field of growth BST films on substrate propose for utilization in switching ferroelectric memory."