Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat suatu alat ukur untuk menetukan konstanta dielektrik lapisantipis dengan metode arus konstan. Alat itu, dicoba untuk mengukur lima sampelyaitu substrat corning dideposisi lapisan tipis dengan teknik spin coating dariPIZT 8%, PVZT 8%, PNT8%, dan PGZT 8%. Hasil yang diperoleh daripengukuran mengalami problem sehingga tidak sesuai dengan hasil yangdiharapkan. Oleh karena itu penghitungan konstanta dielektrik dilakukan denganmenggunakan bantuan RCL meter tipe Fluke PM6306. Hasil penghitungankonstanta memakai alat yang dibuat yang diprogram dengan Labview diperolehHasil penghitungan konstanta masing-masing sampel tersebut adalah denganprogram Labview diperoleh K substrat corning = 3,33; K PIZT 8% = 9,97; K PVZT 8% =19,88; K PNZT 8% = 11,60 dan K PGZT 8% = 8,06. Dibandingkan dengan hasilpengukuran memakai RCL meter Fluke PM 6306 diperoleh K substrat corning = 2,061;K PIZT 8% = 20,178; K PVZT 8% = 22,923; K PNZT 8% = 22,211 dan K PGZT 8% = 20,062.Hal ini menunjukkan ada perbedaan yang berarti. Untuk itu perlu dilakukanpenelitian yang lebih lanjut."

"Telah dibuat rancang bangun alat uji untuk mengetahui konstantadielektrik sampel dengan metode arus konstan yang tampilannyamenggunakan piranti lunak LabVIEW (National Instruments, Texas).Pengontrolan dilakukan oleh PC dengan memberikan output dari 0 voltsampai 5 volt. Sample yang digunakan pada pengujian ini adalah kacacorning yang dilapisi bahan dielektrik PZT (Lead Zirkonat Titanat) yang telahdidoping. Lapisan tipis PZT yang telah didoping terdiri dari PGZT, PIZT,PNZT, dan PVZT. Lapisan tipis ini ditempatkan pada elektroda yang diberitegangan listrik sebesar 1000 VDC. Pada penelitian ini didapat teganganoutput dari masing-masing lapisan tipis tersebut. Konstanta dielektrik didapatdengan menggunakan RLC meter, berikut adalah konstanta dielektrik darimasing-masing bahan lapisan tipis : PGZT 8% = 20.062, PIZT 8% = 20.178,PNZT 8% = 22.211, PVZT 8% = 22.923, corning = 2.061."

"Fungsi dieiektrik kompleks lapisan tipis amorfsilikon karbon (a-Sii.xCx:H) hasit deposisi sputtering telah ditentukan dengan menggunakan hasil pengukuran spektroskopi ellipsometer. Besaran optis lapisan tipis a-Si/.,Cx:H diperoleh dengan prosedur MSE terhadap tan i// dan cos A hasil eksperimen dengan tan y/ dan cos A model matematis sistem lapisan tipis. Mode! sistem tiga media digunakan untuk mendiskripsikan lapisan tipis a-Sii.xCx:H di alas substrat corning 7059 yang terletak di udara. Fungsi dieiektrik kompleks yang diperoleh merupakan kurva yang mulus terhadap energi dan memperlihatkan kehadiran maksimum kurva. Fungsi dieiektrik bagian riil si merefleksikan kuadrat bagian riil indeks bias n sedangkan fungsi dieiektrik bagian imajiner £2 mewakili karakteristik bagian imajiner indeks bias k. Peningkatan konsentrasi karbon mengurangi tinggi maksimum dan menggeser posisi maksimum kurva ke energi yang lebih tinggi. Gap optis bertambah dengan peningkatan konsentrasi karbon sedangkan parameter B berkurang dengan meningkatnya konsentrasi karbon. Berkurangnya harga parameter B berhubungan dengan peningkatan ketidak-teratwan dari sistem amorf. Pengaruh peningkatan konsentrasi karbon terhadap fungsi dieiektrik, gap optis dan parameter B merupakan akibat dari berkurangnya ikatan Si-Si dan bertambahnya ikatan Si-C. Pengaruh konsentrasi karbon terhadap pseudo-fungsi dieiektrik kompleks mirip dengan fungsi dieiektrik kompleks.

---

The complex dielectric functions of the a-Si/.,Cx:H films deposited by sputtering methods have been determined by spectroscopy ellipsometry. Optical constants of the a-Sii.xCx:H films are obtained from the MSE procedure for the experimental and model parameters y/ and A. Model of three medium systems is used to describe the a-Si/.^C^H films on corning 7059 substrate in air ambient- The complex dielectric function curves are smooth and show a maximum. The real part of dielectric function reflects the behavior of n2 and the imaginary part reflects the dependence of k on energy. The curve maximum decrease in magnitude and shift to the higher energies with the carbon concentration increase. The optical gap becomes higher with the carbon contained increase in the films but the B parameter decreases. The decrease of this parameter has been related to the increase of compositional disorder. The influence of carbon concentration on the dielectric function, optical gap and B parameter is the result of replacing Si-Si bonds by Si-C bonds. The influence of carbon concentration to the pseudo-dielectric function is similar to the dielectric function.

---

The complex dielectric functions of the a-Si/.,Cx:H films deposited by sputtering methods have been determined by spectroscopy ellipsometry. Optical constants of the a-Sii.xCx:H films are obtained from the MSE procedure for the experimental and model parameters y/ and A. Model of three medium systems is used to describe the a-Si/.^C^H films on corning 7059 substrate in air ambient- The complex dielectric function curves are smooth and show a maximum. The real part of dielectric function reflects the behavior of n2 and the imaginary part reflects the dependence of k on energy. The curve maximum decrease in magnitude and shift to the higher energies with the carbon concentration increase. The optical gap becomes higher with the carbon contained increase in the films but the B parameter decreases. The decrease of this parameter has been related to the increase of compositional disorder. The influence of carbon concentration on the dielectric function, optical gap and B parameter is the result of replacing Si-Si bonds by Si-C bonds. The influence of carbon concentration to the pseudo-dielectric function is similar to the dielectric function

;Fungsi dieiektrik kompleks lapisan tipis amorfsilikon karbon (a-Sii.xCx:H) hasit deposisi sputtering telah ditentukan dengan menggunakan hasil pengukuran spektroskopi ellipsometer. Besaran optis lapisan tipis a-Si/.,Cx:H diperoleh dengan prosedur MSE terhadap tan i// dan cos A hasil eksperimen dengan tan y/ dan cos A model matematis sistem lapisan tipis. Mode! sistem tiga media digunakan untuk mendiskripsikan lapisan tipis a-Sii.xCx:H di alas substrat corning 7059 yang terletak di udara. Fungsi dieiektrik kompleks yang diperoleh merupakan kurva yang mulus terhadap energi dan memperlihatkan kehadiran maksimum kurva. Fungsi dieiektrik bagian riil si merefleksikan kuadrat bagian riil indeks bias n sedangkan fungsi dieiektrik bagian imajiner £2 mewakili karakteristik bagian imajiner indeks bias k. Peningkatan konsentrasi karbon mengurangi tinggi maksimum dan menggeser posisi maksimum kurva ke energi yang lebih tinggi. Gap optis bertambah dengan peningkatan konsentrasi karbon sedangkan parameter B berkurang dengan meningkatnya konsentrasi karbon. Berkurangnya harga parameter B berhubungan dengan peningkatan ketidak-teratwan dari sistem amorf. Pengaruh peningkatan konsentrasi karbon terhadap fungsi dieiektrik, gap optis dan parameter B merupakan akibat dari berkurangnya ikatan Si-Si dan bertambahnya ikatan Si-C. Pengaruh konsentrasi karbon terhadap pseudo-fungsi dieiektrik kompleks mirip dengan fungsi dieiektrik kompleks.

---

Abstract

The complex dielectric functions of the a-Si/.,Cx:H films deposited by sputtering methods have been determined by spectroscopy ellipsometry. Optical constants of the a-Sii.xCx:H films are obtained from the MSE procedure for the experimental and model parameters y/ and A. Model of three medium systems is used to describe the a-Si/.^C^H films on corning 7059 substrate in air ambient- The complex dielectric function curves are smooth and show a maximum. The real part of dielectric function reflects the behavior of n2 and the imaginary part reflects the dependence of k on energy. The curve maximum decrease in magnitude and shift to the higher energies with the carbon concentration increase. The optical gap becomes higher with the carbon contained increase in the films but the B parameter decreases. The decrease of this parameter has been related to the increase of compositional disorder. The influence of carbon concentration on the dielectric function, optical gap and B parameter is the result of replacing Si-Si bonds by Si-C bonds. The influence of carbon concentration to the pseudo-dielectric function is similar to the dielectric function."

"Alat ukur microwave test bench digunakan mengetahui nilai dielektrik sample. Peralatan dirakit untuk memperoleh data parameter gelombang yang digunakan menentukan nilai dielektrik.Tesis yang menggunakan alat ini membahas pengukuran dielektrik. Nilai konstanta dielektrik perlu diketahui di peralatan instrumentasi yang dipakai untuk menaikan kapasitas kapasitif. Penelitian ini alat yang dipakai microwave test bench. Nilai konstanta dielektrik dihitung untuk menentukan nilai kapasitas kapasitor. Penelitian ini menggunakan tiga(3) material yang berbeda setelah itu diukur nilai dielektriknya. Nilai yang terukur dari penelitian teflon terukur 1,953 dan polistirena 2,455 dan 2,58. Untuk mengetahui beberapa parameter gelombang yang belum terukur di analisa dengan grafik dua dimensi. Sebaran data dalam grafik dianalisa dengan fungsi grafik. Hasil grafik untuk pendekatan nilai dielektrik pada kisaran konstanta gelombang yang tidak terbaca. Nilai hasil penelitian dibandingkan dengan referensi ternyata hasil pengukuran alat mendekati nilai referensi. Penggunaan alat ini akan dapat membantu dalam mengukur konstanta yang belum diketahui nilai dielektrikanya.

---

Microwave test bench measuring tool used to determine the value of the dielectric sample. Assembled equipment to obtain data on wave parameters used to determine the value dielektrik.Tesis who use this tool to discuss the dielectric measurements. Dielectric constant values necessary to know the instrumentation equipment used to increase the capacity of capacitive. This research is a tool used microwave test bench. The value of dielectric constant is calculated to determine the value of capacitor capacity.

This study uses three (3) different materials and then measured the value of the dielectric. Measured by the value of polystyrene teflon study measured 2.455 and 1.953 and 2.58. To find out some parameters that have not been measured in wave analysis by two-dimensional graph. Distribution of data in the graph were analyzed using graphics functions. Results graph for the approach of the dielectric constant value in the range of waves that can not be read. Score results compared with the referent."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis dengan ketebalan bervariasi antara 3000 - 10.000 A. Pembuatan dilakukan dalam ruang vakum dengan metoda termal evaporasi. Lapisan Aluminium terlebih dahulu didepositkan pada substrat kaca sebagai elektroda bawah, kemudian dengan lapisan tipis Silikon monoksida sebagai bahan dielektrik, dan dilapisi lagi dengan Aluminium sebagai elektroda atas, sehingga terbentuk struktur kapasitor Al-SiO-Al. Karakterisasi dilakukan terhadap kapasitansi sehingga diperoleh konstanta dielektrik er = 6,2 + 0,4 , dan faktor disipasi sebesar 0,07% pada 1 kHz, Berta nilai kuat dielektrik dari 0,14 - 0,36 10° V cm-4. Harga kuat dielektrik terjadi penurunan dari harga standart, Ed = 1 3 10¢ V hal ini diperkirakan akibat impurity gas residu yang terjebak maupun yang teroksidasi sehingga terbentuk lapisan tipis campuran antara SiO dan SiO2. Peristiwa ini erat hubungannya dengan parameter deposisi seperti tekanan gas 02 dalam ruang vakum dan laju deposisi."