Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKSuatu peninjauan akan dilakukan terhadap divais semikonductor dengan empat terminal yang disebut metal oxide semiconductor bipolar junction transistor (MOSBJT). Dalam divais ini karakteristik listriknya berdasarkan gabungan dua prinsip yaitu; prinsip metal oxide semiconductor (MOS) atau field effect transistor (FET) dan prinsip bipolar junction transistor (BJT). Pada keadaan forward active, struktur permukaan MOS bersifat terbalik (inverted) dan kontak listrik yang terdifusi (diffused electrical contact), drain, memberikan suatu mekanisme untuk reverse bias lapisan inversion terhadap base. Pembawa minoritas yang diinjeksikan ke base, berdifusi sepanjang base, dikumpulkan pada permukaan yang inverted dan selanjutnya mengalir ke terminal drain. Resistansi lapisan inversion menyebabkan suatu voltage drop sepanjang lapisan inversion dan akan mengurangi reverse bias dari inversion-layer/base junction. Voltage drop ini dapat mengurangi/membalik bias dari inversion-layer/base junction yang letaknya paling jauh dari kontak drain. Pengurangan/pembalikan bias ini akan mengurangi daerah active collector untuk mengumpulkan arus drain. Karena resistansi lapisan inversion tergantung dari tegangan gate dan base bias, maka kedua terminal kontrol (gate dan base) tersebut mempunyai pengaruh yang besar terhadap sifat listrik dari divais.Berdasarkan prinsip dasar Hall effect dan magnetoresistance, pengaruh medan magnet terhadap divais ternyata mendominasi pengurangan/pembalikan bias dari inversion-layer/base junction, mempertahankan daerah active dan menyebabkan suatu penurunan besarnya resistansi lapisan inversion.Empat set model divais untuk sensor medan magnet telah difabrikasi dengan bentuk geometri gate, yaitu; Large-L shape, Medium-L shape, Small-L shape dan T shape. Divais tersebut difabrikasi secara bersama, memakai suatu prosedur yang didisain untuk mengoptimalkan keandalan kedua komponen, FET dan BJT, dari MOSBJT.Suatu kenaikan yang sangat berarti terjadi pada arus collector, telah diobservasi, selama divais dipengaruhi oleh medan magnet dengan tiga arah yang saling tegak lurus. Pengaruh ini berkaitan dengan resistansi lapisan inversion yang menyebabkan bertambahnya daerah active MOSBJT dalam keadaan forward active MOSBJT pada harga gate bias tertentu. Besarnya magnetosensitivity dari divais yang difabrikasi adalah; a) absolute magnetosensitivies S'As, besarnya antara 0.002 µA/G dan 0.200 µA/G, serta b) relative magnetosensitivies S'Rs, besarnya antara 0.03 %/G dan 15.67 %/G. Besarnya magnetosensitivity tersebut di atas merupakan keunggulan (excellent achievements) dari divais yang difabrikasi."

"Pada skripsi ini dirancang struktur PSFET berdimensi chip 360 _m x 290 pm x 400 }gym yang bekerja untuk daerah 0 kPa-16 kPa dengan Batas tekanan maksimumnya 40 kPa untuk aplikasi pengukuran tekanan darah dalam pembuluh darah manusia. Membran mempunyai tiga lapisan penyusun (Si3N4, polisilikon dan Si3NA berdimensi 80 pm x 80 yam x 0.78 pm dengan kondisi tepi jepit pada keempat sisi membran. Pada catu tegangan drain 6 volt, tegangan gate 12 volt PSFET rancangan memiliki keiinieran yang tinggi pads daerah pengukurannya, dan sensitivitas sebesar 0.0192 mA.mA'1.kPa-i.Modifikasi struktur PSFET diiakukan dengan menambahkan celah udara pada bagian rongga PSFET, sebagai upaya untuk meminimalkan pengaruh temperatur dan tekanan ruang dari dalam rongga jika keadaan rongga vakum. Selain itu modifkasi struktur tersebut bertujuan untuk menyederhanakan dalam penggunaan persamaan lendutan membran PSFET.Simulasi Perancangan PSFET berdasarkan pada model PSFET dan penyesuaiannya dengan parameter dan persamaan level-1 MOSFET guna memperbaiki karakteristik PSFET rancangan. Program Simulasi Perancangan dibuat dengan perangkat iunak Matlab 4.0 dari Matrix Laboratory. Sementara perancangan Layout dan Masker berdasarkan aturan proses 3 P NMOS, proses fabrikasi model PSFET, dan fabrikasi sensor tekanan Micro-diapragm tipe-C serta aturan pendisainan wire untuk pengabaian delay resistansi dan kapasitansi."

"This handbook shows how the rural population, which recently dropped below 50 per cent of the world total, remains a vital segment of society living in proximity to much-needed developmental and amenity resources. The rich diversity of rural areas shapes the capacity of resident communities to address far-reaching social, environmental and economic challenges. Some will survive, become sustainable and even thrive, while others will suffer rapid depopulation. This handbook demonstrates how these future development trajectories will vary according to local characteristics including, but not limited to, population composition."

"This international handbook is the ultimate companion to protestant schooling worldwide. Its 39 chapters form the most comprehensive and wide-ranging treatment of the subject yet available, addressing Protestant education on all six inhabited continents and featuring the perspectives of leading authorities and public figures.The contributions cover in detail not only the facts and features of Protestant schooling in sundry nations, but also integrate a range of themes common to them all, themes so vital that they are of central concern to Christians around the world and of whatever denomination. Some of these topics are school choice, globalization, Bible pedagogy and character education, the fine arts, parental involvement, and the rise of Christianity in previously inaccessible locations such as China."

"Nanokristal semikonduktor inorganik banyak menarik perhatian karena memiliki sifat-sifat baru yang menarik dan berpotensi untuk diaplikasikan pada berbagai kegunaan seperti solar cell, light-emitting device, photodetector, transistor, dll. Munculnya sifat-sifat menarik tersebut disebabkan oleh ukuran nanokristal yang sangat kecil (2-20 nm) sehingga terjadi fenomena quantum confinement pada struktur energi elektronik material tersebut. Fenomena quantum ini menyebabkan banyak sifat dari nanokristal bergantung terhadap ukurannya, di antaranya pada sifat elektronik dan sifat optiknya. Sebagai contoh, Gambar 1 menunjukkan bahwa spektrum warna yang diemisikan berubah seiring dengan berubahnya ukuran nanokristal tersebut. Hal tersebut disebabkan oleh karena melebarnya Energy bandgap nanokristal di saat ukuran nanokristal mengecil. Perubahan bandgap ini juga berpengaruh secara signifikan juga terhadap sifat-sifat transfer elektroniknya."

"Contents :Introduction /​ Nathan Hall, Abbee Corb, Paul Giannasi, and John GrieveTheories and conceptsFraming the boundaries of hate crime /​ Neil ChakrabortiBeyond the silo : rethinking hate crime and intersectionality /​ Hannah Mason-BishThe personal injuries of hate crime /​ Paul Iganski and Spiridoula LagouExploring the community impacts of hate crime /​ Barbara PerryLegislating against hate /​ Gail MasonExplaining hate crimes : sociological and criminological perspectives /​ Nathan HallExplaining hate crimes : perspectives from the wider social sciences /​ Nathan HallThe international geography of hateHate crimes in Europe /​ Mike WhineHate crimes in the UK /​ Paul GiannasiSectarianism and hate crime in Northern Ireland /​ Marian DugganGlobal antisemitism /​ Dave RichThe European extreme right /​ Emmanuel Godin"