Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200°C, 300°C dan 400°C. Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200°C, 300°C dan 400°C indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200°C, 300°C dan 400°C indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200°C, 300°C dan 400°C indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200°C, 300°C dan 400°C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400°C inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400°C merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A.

---

Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200°C, 300°C and 400°C. The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200°C, 300°C and 400°C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200°C, 300°C and 400°C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200°C, 300°C and 400°C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200°C, 300°C and 400°C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200°C. 300°C and 400°C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400°C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400°C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400°C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A."

"Lead Selenide (PbSe) thin film of 5765 A thickness had been deposited by thermal evaporation in vacuum system and characterised in Physics Laboratories at FMIPA UI Depok. Optical characterisation is done with spectrophotometer MR. Using the Hishikawa method, applied in a computer program, will yield optical parameters such as index of refraction (n), extinction coefficient (k), absorption coefficient (a) and energy gap (Eg). Electrical characterisation is done by measuring the conductivity toward the temperature between 15 - 300 K, Hall Effect, energy gap, density of conduction electrons (N), and mobility (µ). The result shows a not allowed direct transition semiconductor. Different results for the band gap width is recorded between the optical and the electrical methods.

---

Dibuat lapisan tipis PbSe di atas substrat kaca, dengan tehnik pelapisan evaporasi termal dalam sistem vakum dengan ketebalan 5765 A, di laboratorium Fisika FMIPA Ul Depok. Dilakukan karakterisasi optis dengan alat spektrofotomer NIR. Dengan menggunakan metode Hishikawa yang dibuat menjadi suatu program komputer, diperoleh parameter-parameter optis seperti indeks bias (n), koefisien absorpsi (ac) dan konstanta peredaman (k) serta lebar pita terlarang (E9). Karakterisasi listrik dilakukan dengan pengukuran konduktivitas terhadap temperatur antara 15 - 300 K, pengukuran tegangan Hall (VH), menentukan lebar pita terlarang dan kerapatan pembawa muatan (N) serta mobilitas (p.). Hasilnya menunjukkan suatu semikonduktor transisi Iangsung yang tidak diijinkan. Terdapat perbedaan hasil penentuan lebar pita terlarang antara metode optis dan listrik."

"Film tipis ZnO telah dideposisi dengan metode evaporasi termal. Film tipis dideposisi di atas substrat kaca pada laju deposisi 4, 6 dan 8 A/s serta dianil di udara pada temperatur 200, 300 don 400 °C selama 1 jam. Parameter optis ditentukan dari spektrum rejlektansi dan transmitansi dengan menggunakan fungsi minimal. Hasil yang diperoleh adalah indeks bias riil n dan koefisien absorpsi a cenderung berkurang dengan bertambahnya laju deposisi dan temperatur anil. Lebar gap optis juga menunjukkan kecenderungan berkurang dengan bertambahnya laju deposisi, sedangkan variasi temperatur anil memberikan pengaruh yang berbeda pada labar gap. Pada temperatur anil 200 °C lebar gap bertambah besar tapi setelah dianil 300 dan -100 °C lebar gap cenderung makin berkurang. Sedangkan dari pengamatan menggunakan XRD diketahui hahwa film tipis ZnO yang dihasilkan berstruktur amorf"

"ABSTRAKSeng oksida (ZnO) telah diaplikasikan sebagai pemanas transparan. Namun, penelitian tentang mikrorod ZnO sebagai pemanas transparan belum dikembangkan. Pada penelitian ini dilakukan fabrikasi lapisan tipis mikrorod ZnO dengan metode chemical bath deposition. Material yang digunakan yaitu zinc nitrate tetrahydrate dan heksametilentetramine. Varibel pada penelitian ini yaitu konsentrasi larutan bibit sebesar 0.005, 0.010, 0.015, 0.025, dan 0.050 M serta perlakuan hidrotermal pada sampel 0.015 M. Karakterisasi mikrorod ZnO dilakukan dengan menggunakan XRD, FESEM, UV-Vis dan four point probe. Hasil penelitian menunjukkan peningkatan konsentrasi larutan mampu menurunkan celah pita energi, E_g mikrorod ZnO yaitu 3.60 menjadi 3.18 eV dan meningkatkan ukuran kristalit yaitu 41.541 hingga 95.076 nm. Diameter terbesar mikrorod ZnO yaitu 288.252 nm pada konsentrasi 0.015 M. Selain itu, peningkatan konsentrasi larutan menyebabkan transmitansi dan resistivitas turun yaitu masing-masing sebesar 72% menjadi 35% dan 0.787 x10^-4 menjadi 0.013 x 10^-4 Ωcm. Perlakuan hidrotermal pada sampel 0.015 M menyebabkan penurunan diameter dari 288. 252 menjadi 125.824 nm dan meningkatkan ukuran kristalit serta menurunkan E_g yaitu masing-masing 71.198 menjadi 165.696 nm dan 3.25 menjadi 3.19 eV. Selain itu, perlakuan hidrotermal menurunkan transmitansi dan resistivitas  yaitu masing-masing sebesar  50.5% menjadi 38% dan  1.126 x 10^-4 menjadi 0.833 x 10^-4 Ωcm. Perlakuan hidrotermal menghasilkan pemanas transparan yang optimum.

---

Zinc oxide (ZnO) has been applied as a transparent heater. However, research on ZnO microrod as transparent heaters has not been developed. In this study, the fabrication of microrod ZnO was carried out by using the chemical bath deposition method. The material used is zinc nitrate tetrahydrate and hexamethylentetramine. The variables in this study were the concentration of seed solutions of 0.005, 0.010, 0.015, 0.025, and 0.050 M and the hydrothermal treatment in the sample 0.015 M. The characterization of ZnO microrod was carried out using XRD, FESEM, UV-Vis and four point probes. The results showed an increase in solution concentration was able to reduce the energy band gap, E_g of ZnO microrod which is 3.60 to 3.18 eV and increase the size of the crystallite which is 41.541 to 95.076 nm. The largest diameter of ZnO microrod is 288.252 nm at a concentration of 0.015 M. In addition, an increase in the concentration of the solution causes transmittance and resistivity to decrease, from 72% to 35% and from 0.787 x10^-4 to 0.013 x 10^-4 Ωcm, respectively. The hydrothermal treatment of 0.015 M sample caused a decrease in diameter from 288. 252 to 125.824 nm and increased the size of the crystallite and lowered Eg, from 71.198 to 165.696 nm and from 3.25 to 3.19 eV, respectively. In addition, it has decreases transmittance and resistivity from 50.5% to 38% and from 1.126 x 10^-4 to 0.833 x 10^-4 Ωcm, respectively. The hydrothermal treatment produces optimum transparent heaters.

"

"Telah dibuat empat pasang sampel ZnS dan ZnS:Mn dengan menggunakan substrat kaca preparat ; ZnS dan Mn dengan kemurnian masing-masing 99,99% buatan Leybold Germany. Empat sampel adalah ZnS saja yang dibedakan oleh laju pelapisannya yaitu masing-masing 10 A/s, 20 A/s, 30 A/s dan 40 A/s sedangkan empat sampel lainnya adalah ZnS yang diberi Mn dan dideposisi dengan kelajuan yang sama. Sifat optis diperoleh dari pengukuran spektroskopi optik pada X = 300-800 nm, dan ketebalan sampel kira-kira 7500 A. Dan pada daerah pengamatan tersebut diperoleh bahwa indeks bias berkisar antara n= 2,2 sampai n=2,7. Koefisien ekstingsi berkisar antara k= 0,0338 sampai k=0,15 dan koefisien absorbsi antara a= 5000 cm-1 sampai a= 60000 cm-1. Dari hasil pengamatan terbukti bahwa absorbsi yang terjadi adalah absorbsi fundamental dan dari perhitungan celah energi didapatkan bahwa untuk ZnS dan ZnS:Mn Eg =2,7 eV sampai dengan Eg = 3,2 eV yang sesuai dengan literatur. Hasil perhitungan konstanta dielektrik memberikan harga real kira-kiraεr = 5,7 dan harga imajiner εi = 0,15. Hasil εi yang kecil ini memperlihatkan bahwa ZnS dan ZnS:Mn bersifat transparan pada daerah cahaya tampak."

"ABSTRAKUntuk meneliti perubahan sifat optis lapisan tipis ZnS terhadap anil, telah dibuat lapisan ZnS setebal ± 6.000 dan ± 12.500 Angstrom yang dideposisikan di atas substrat kaca dengan proses evaporasi termal. Konstanta optis, yaitu koefisien absorpsi dan indeks bias, dihitung dari data reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode yang dikembangkan oleh Y. Hishikawa. sari kurva koefisien absorpsi terhadap energi foton dihitung lebar pita terlarang ZnS. Nilai R dan T pada 350 nm s ? 800 nm diukur menggunakan UV-VIS Spektrofotometer. Hasil penelitian menunjukkan bahwa lapisan ZnS setebal 6.000 dan 12.500 A memberikan reaksi yang berbeda terhadap proses anil yang diberikan. Koefisien absorpsi lapisan 12.500 Angstrom mengalami penurunan terbesar pada temperatur 300°C yaitu sebesar - 9000/cm, sedangkan nilai koefisien absorpsi lapisan 6.000 Angstrom dapat dikatakan tidak berubah. Indeks bias lapisan 12.500 Angstrom dan 6.000 Angstrom turun sebesar 0,3 dan 0,2 pads 400°C. Lebar pita terlarang pada kedua macam ketebalan adalah sama dan tidak berubah karena proses anil. Secara umum indeks bias dan koefisien absorpsi lapisan 6.000 A lebih tinggi daripada 12.500 A. Jadi indeks bias dan koefisien absorpsi ZnS tergantung pada tebal sampel dan proses anil yang telah dilalui."

"Nanorod seng oksida (ZnO) berdopan tunggal Al, berdopan tunggal Mg, dan berdopan ganda Al-Mg ditumbuhkan di atas substrat kaca berlapis indium timah oksida (ITO) melalui dua tahap, yaitu deposisi lapisan benih dengan metode ultrasonic spray pyrolysis (USP) dan penumbuhan nanorod dengan metode hidrotermal. Pengamatan scanning electron microscopy (SEM) menunjukkan sebagian besar nanorod ZnO memiliki orientasi tegak lurus terhadap permukaan substrat dan pemetaan elemen dengan energy dispersive x-ray spectroscopy (EDS) menunjukkan seluruh elemen dopan tersebar merata di seluruh permukaan nanorod ZnO. Analisis difraksi sinar-x (XRD) menunjukkan bahwa pada nanorod ZnO berdopan Al, Mg, Al-Mg tidak terdapat fasa sekunder dan puncak bergeser ke sudut 2θ yang lebih besar karena adanya pembesaran volume kisi kristal. Spektrum UV-vis menunjukkan bahwa penambahan dopan tunggal Al atau Mg cenderung meningkatkan transparansi pada panjang gelombang cahaya tampak, sedangkan penambahan dopan Al pada nanorod ZnO berdopan ganda Al-Mg justru mengurangi transparansi. Perubahan energi celah pita akibat penambahan dopan Al dan/atau Mg masih belum memiliki pola yang jelas. Sedangkan hasil pengujian fotoluminesen (PL) menunjukkan semua nanorod ZnO memiliki banyak cacat alami kisi kristal.

---

Al-doped, Mg-doped, and Al-Mg-doped zinc oxide (ZnO) nanorods were grown on indium tin oxide (ITO) coated glass substrates through two steps, i.e.seed layer deposition using ultrasonic spray pyrolysis (USP) method and nanorod growing using hydrothermal method. Scanning electron microscopy (SEM) imaging showed that most of the ZnO nanorods had the growth orientation perpendicular to the substrates surface and the element mapping undergone using energy dispersive x-ray spectroscopy (EDS) showed that all the doping elements were well distributed on the entire of the ZnO nanorod surfaces. XRD analysis results showed that Al-, Mg-, and Al-Mg- doped ZnO nanorods had no secondary phase and peaks shifted to the larger angles 2θ due to the increment of the crystal lattice volume.

UV-vis spectra showed that the addition of a single dopant Al or Mg tended to higher the optical transparency at the visible range, while the addition of dopants Al in Al-Mg double doped ZnO nanorods tended to lower the optical tranparency. Changes in band gap energy due to the addition of dopants Al and/or Mg had no clear pattern yet. While the photoluminescence (PL) test results indicated all the ZnO nanorods contained many native crystal lattice defects."

"Zinc oxide (ZnO) merupakan material semikonduktor tipe-n yang memiliki energi celah pita langsung yang lebar sebesar ~ 3.3 eV serta sifat-sifat optik lain yang menarik, sehingga sangat potensial untuk diaplikasikan pada berbagai bidang seperti elektronik, optoelektronik, sensor, divais fotonik, serta fotokatalis. Dopan pada nanostruktur ZnO merupakan salah satu cara efektif untuk meningkatkan sifatsifat fisika ZnO untuk berbagai aplikasi. Dalam penelitian ini dilakukan sintesa material nanorod ZnO dengan tiga variasi konsentrasi dopan cerium 0%, 3% dan 5% menggunakan metode utrasonic spray pyrolysis pada saat pembenihan (seeding) dan metode hidrotermal untuk penumbuhan (growth) nanorod diatas substrat indium tin oksida (ITO) untuk aplikasi fotokatalitik. Selanjutnya dilakukan karakterisasi meliputi morfologi permukaan dengan field emission scanning electron microscopy (FESEM), struktur kristal dengan difraksi sinar X, sifat optik melalui spektrofotometer UV-VIS dan Photoluminescence serta uji aktivitas fotokatalitik untuk degradasi metilen biru. Hasil eksperimen menunjukkan bahwa dopan cerium 3% telah menghasilkan morfologi nanorod ZnO berbentuk heksagonal yang tumbuh lebih seragam pada bidang kristal (002), intensitas absorbansi cahaya ultraviolet yang meningkat sehingga dapat meningkatkan kecepatan degradasi metilen biru.

---

Zinc oxide (ZnO) is a n-type semiconductor material which has a wide direct band gap energy of ~ 3.3 eV, and other interesting optical properties, so it?s potentially applied to various fields such as electronics, optoelectronics, sensors, photonic devices, and also photocatalyst. Dopant in ZnO nanostructures is an effective way to improve ZnO?s structural properties in various applications. In this study, ZnO nanorod material were synthesized with three cerium dopant concentration of 0%, 3%, and 5% using utrasonic spray pyrolysis methods for ZnO seeding process, and the hydrothermal method used for growth nanorod on indium tin oxide (ITO) substrate for photocatalytic application. X-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy (FESEM), UV-VIS and Photoluminescence spectroscopy were used to characterize the crystal structure, surface morphology and optical properties of ZnO nanorods and the photocatalytic activity test for methylene blue degradation. The experimental results showed that 3% cerium dopant has produced hexagonal morphology ZnO nanorod growing more uniform on (002) crystal planes, increased the intensity of ultraviolet absorbance thereby increase the degradation speed of methylene blue."