Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Dengan menggunakan metode evaporasi termal telah dibuat lapisan tipis dari bahan ingot AglnSe2. Dari hasil karakterisasi dengan menggunakan difraktometer sinar-X didapatkan dua fasa yaitu AglnSe2 dan Agln5Sea. Parameter kisi dari lapisam tipis ini adalah a = b =5,9097 angstrom, c = 11,8146 angstrom dan c/a = 1, 9993 sedangkan struktur kristalnya adalah chalcopyrite. Dari hasil XRF didapatkan perbandingan komposisi unsurnya adalah Ag:ln: Se= 52,12 %:34,86 % : 3,00 %. Lapisan tipis AglnSe2 mempunyai ketebalan ( 0,23 dan 0,41 )μm. Dari spektrum reflektansi dengan panjang gelombang (300 - 800) nm didapatkan nilai indeks bias riel (n) antara ( 2, 14 -3,00 ), indeks bias imajiner (k) (5,78 - 9,23 )x 10-2 . Nilai fungsi dielektrik riel dan imajiner berturut-turut adalah 4,57 - 8,99 dan 0,163 - 0.235 serta koeffisien absorpsi S€besar (1,2 - 3,0 )x104 /cm. Resistivitas lapisan tipis yang didapatkan dari perhitungan adalah (1,1 -6,62 )x10-4 n.cm."

"ABSTRAKLapisan tipis CdS yang dideposisi diatas Substrat kaca (n = 1,51) dengan temperarur substrat 200 °C , 222 oC dan 250 °C dan variasi ketebalan antara ( 0,51-1,0) p.m dibuat menggunakan Metode PVD ( Physical Vaporation Deposition). Selanjutnya pada lapisan tipis CdS dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Sifat optik meliputi penentuan indeks bias, koefisien absorpsi, energi gap dan struktur lapisan tipis CdS. Dari nilai-nilai transmittansi yang diperoleh dan menggunakan pendekatan R.Swanepoel diperoleh besarnya indeks bias (n) sekitar 2,2 - 3,45 , besar koefisien absorpsi (α ) sekitar (0,5 - 4,3) x 10 4/cm dan energi gap sekitar ( 2,31 - 2,35) eV. Sedangkan dengan XRD diperoleh bahwa puncak diffraksi yang paling kuat dari kelima sampel yaitu pada d = ( 3,37-3,39 ) A° memiliki orientasi bidang (002) dan konstanta kisi sekitar a= 4,132 A° dan c= 6,77 A° serta struktur kristal adalah hexagonal (Wurzite). Untuk sifat listriknya, hasil pengukuran menunjukkan besarnya resistivitas listrik (p) lapisan tipis CdS adalah sekitar ( 0,81-6,5) x 10 5 Ω cm."

"Pada eksperimen ini telah dibuat lapisan tipis CuInSe2 pada substrat kaca (n=1,51) dengan temperatur substrat 150°C dan 200°C deagan variasi ketebalan sekitar 0,2-0,45 un dengan metode evaporasi thermal dalam vakum. Kemudian dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Dari nilai-nilai transmitansi dan reflektansi yang diperoleh digunakan untuk menghitung indeks bias, koefisien absorbsi dan energi gap dari lapisan tipis CulnSe2. Pada eksperimen ini didapatkan hasilnya sebagai berikut; Indek bias ( n) sekitar 2,6 - 4,7, koefisien absorbsi (a) sekitar ( 2 - 9 ) x 104/cm dan energi gap sekitar ( 1,02 - 1,45 ) av. Untuk sifat listriknya ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis ini merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Harga resistivitas listrik dari lapisan tipis CulnSe2 ini sekitar 1,4 - 3,4 ohm cm dan semua sampel ternyata mempunyai type ? n. Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa lapisan tipis CuInSe2 ini merupakan bahan semikonduktor yang potensial untuk dapat dikembangkan, terutama penggunaannya sebagai bahan penyerap sinar matahari pada solar sel."

"ABSTRAKUntuk meneliti perubahan sifat optis lapisan tipis ZnS terhadap anil, telah dibuat lapisan ZnS setebal ± 6.000 dan ± 12.500 Angstrom yang dideposisikan di atas substrat kaca dengan proses evaporasi termal. Konstanta optis, yaitu koefisien absorpsi dan indeks bias, dihitung dari data reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode yang dikembangkan oleh Y. Hishikawa. sari kurva koefisien absorpsi terhadap energi foton dihitung lebar pita terlarang ZnS. Nilai R dan T pada 350 nm s ? 800 nm diukur menggunakan UV-VIS Spektrofotometer. Hasil penelitian menunjukkan bahwa lapisan ZnS setebal 6.000 dan 12.500 A memberikan reaksi yang berbeda terhadap proses anil yang diberikan. Koefisien absorpsi lapisan 12.500 Angstrom mengalami penurunan terbesar pada temperatur 300°C yaitu sebesar - 9000/cm, sedangkan nilai koefisien absorpsi lapisan 6.000 Angstrom dapat dikatakan tidak berubah. Indeks bias lapisan 12.500 Angstrom dan 6.000 Angstrom turun sebesar 0,3 dan 0,2 pads 400°C. Lebar pita terlarang pada kedua macam ketebalan adalah sama dan tidak berubah karena proses anil. Secara umum indeks bias dan koefisien absorpsi lapisan 6.000 A lebih tinggi daripada 12.500 A. Jadi indeks bias dan koefisien absorpsi ZnS tergantung pada tebal sampel dan proses anil yang telah dilalui."

"ABSTRAKPada eksperimen telah dibuat lapisan tipis Karbon pada substrat kaca dengan variasi ketebalan 800A, 900A, 1000A, 1500A, 1800A dengan metode Evaporasi Berkas Elektron dalam Vakum.Kemudian dilakukan pengukuran resistansi listrik lapisan tipis Karbon. di luar Vakum, pada temperatur ruang dan variasi temperatur. Pada temperatur ruang, ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Jika dibandingkan dengan resistivitas bulk, sekitar 9 kali lebib besar untuk ketebalan lapisan 1800Ǻ. Hal ini diperkirakan akibat dari tumbukan pada permukaan lapisan tipis yang tidak rata ρs, kontribusi impuritas ρi, dan hamburan pada batas butir (Grain Boundries) pg.Proses pengujian selanjutnya dilakukan dengan pemeriksaan konduktivitas akibat pengaruh temperatur, sedangkan arus yang melewati sampel multi dari 0.25 mA sampai 2.5 mA dengan rentangan temperatur dari -25°C sampai 100°C. Dengan menggunakan rumus konduktivitas listrik σ = σ ∩exp(-∆E/kT, diperoleh harga energi aktivasi pada lapisan tipis Karbon berkisar antara 0.025 - 0.04 eV.Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa pembawa muatan pada lapisan tipis Karbon adalah elektron yang berasal dari atom - atom pengotor yang masuk ke dalam sampel lapisan tipis Karbon."

"Telah dibuat lapisan tipis (thin film) Seng sulfida (ZnS) dan Seng sulfida-Mangan (ZnS:Mn) pada substrat kaca dengan laju deposisi yang berbeda dengan cara evaporasi termal dan co-evaporasi termal di dalam bejana vakum. Pengukuran terhadap karakteristik impedansi lapisan tipis ZnS dan ZnS:Mn dilakukan di luar vakum untuk frekuensi yang bervariasi antara ribuan hingga jutaan hertz dan laju deposisi yang berbeda dengan ketebalan yang tetap. Ternyata pada daerah frekuensi 1 KHz sampai dengan 10 KHz terjadi penurunan impedansi yang relatif tajam, namun laju penurunan tersebut mulai berkurang pada daerah frekuensi di atas 10 KHz hingga sedikit di bawah 1 MHz. Pada daerah frekuensi di atas 1 MHz bahkan terjadi kenaikan harga impedansi yang menunjukkan telah terjadi gejala relaksasi pada lapisan tipis ZnS dan ZnS:Mn yang diamati. Hasil lain yang diperoleh bahwa permitivitas relatif (K) yang terbentuk pada lapisan tipis tersebut meningkat pengaruhnya pada frekuensi di atas 10 KHz sehingga terlihat bahwa kapasitansi lapisan tipis yang diamati memiliki harga yang tidak konstan, Selain itu nilai kapasitansi dan resistansi lapisan tipis ZnS:Mn mengalami perubahan terhadap variasi kadar Mn dari lapisan tipis tersebut."