Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKPower amplifier merupakan salah satu subsistem dalam rangkaian transmitter yang sangat penting. Power amplifier berfungsi untuk menaikkan daya dari sinyal yang akan dikirimkan sehingga sinyal masih mampu dideteksi oleh rangkaian penerima. Power Amplifier yang dirancang diperuntukan sebagai bagian dari sistem transmitter Indonesian Inter University Satellite (Iinusat). Iinusat merupakan sebuah satelit berkriteria nano yang dikembangkan oleh beberapa perguruan tinggi di Indonesia. Power amplifier yang akan dirancang didisain sehingga memiliki Maximum Available Gain (MAG) > 17 dB pada frekuensi downlink 436.9 MHz dengan faktor kestabilan (K) > 1. Selain itu, parameter yang juga harus diperhatikan dari perancangan power amplifier ini adalah nilai Voltage Standing Wave Ratio (VSWR) yang memiliki nilai 1≤VSWR≤1.2, dimana hal ini merepresentasikan banyaknya nilai sinyal terpantul. Pada kedua port power amplifier, baik input maupun output, diberikan rangkaian matching agar nilainya menjadi konjugasi dari nilai impedansi sistem untuk memaksimalkan daya yang mampu diteruskan oleh divais. Proses perancangan dilakukan dengan menggunakan piranti lunak advanced design system (ADS). Berdasarkan simulasi, hasil akhir rangkaian adalah bandwidth sebesar 1.5 MHz, faktor kestabilan 1.187, dan nilai VSWR sebesar 1.147.

---

ABSTRACTPower amplfier is one of many subsystems in transmitting circuitry which can be considered very important. Power amplifier can boost signal?s power up in order to be able to be transmitted in a quite long distance and still can be well detected by the receiver?s circuit. This Power amplifier is designed as a part of transmitter system in Indonesian Inter University Satellite (Iinusat). Iinusat is a nanosatellite built by several Indonesian universities. The designed power amplifier has maximum available gain (MAG) >17 dB and stability factor (K)>1. other parameter that is being considered in the design is the Voltage Standing Wave Ratio (VSWR), which the value is 1≤VSWR≤1.2. A making of microstrip line as a path of the signal and a connector between two components is required in this project to obtain a better result in designing the power amplifier subsystem. Both in the input and output port of this power amplifier, there are matching networks which are used as matching system so that the input and output port values are the conjugation of the system impedance. Advanced design system (ADS) is used in the designing process. The simulation yields bandwidth of the signal 1.5 MHz, stability factor 1.187, and the VSWR 1.147."

"Sistem penghilang bising merupakan sebuah sistem yang digunakan untuk menghilangkan frekuensi tertentu atau membalikan fasa pada suatu sistem tata suara. Dalam sistem tersebut terdapat mikrofon untuk mengambil kebisingan yang dihasilkan dari generator Power System Simulator PSS , Rangkaian pembalik fasa untuk menghilangkan frekuensi atau membalikan fasa, amplifier untuk menguatkan sinyal hasil pembalik fasa dan mengeluarkan hasil suara yang dihasilkan melalui speaker. Pada rangkaian amplifier digunakan dalam sistem penghilang bising untuk memperkuat sinyal pembalik agar frekuensi yang mengganggu dapat hilang atau saling terinterferensi. Dalam skripsi ini, dibuat amplifier dengan kelas AB yang memiliki linearitas lebih baik dibanding kelas-kelas amplifier yang ada sehingga sinyal yang dikirimkan dapat dikuatkan 100 kali seperti sinyal masukannya dan juga memberikan sinyal gelombang 180o lebih. Hasil spektrum respon frekuensi amplifier yang cenderung datar pada rentang frekuensi 65 Hz 16 Hz dapat mencakup frekuensi dominan yang mengganggu pada frekuensi 300 Hz dan 5500 Hz. Pengujian implementasi perangkat penghilang bising pada Laboratorium Sistem Tenaga Listrik mengalami penurunan tingkat tekanan suara SPL di beberapa titik uji dengan rata-rata -1,75 dB.

---

Noise cancelling system is a system used for eliminate frequencies or reverse phase. Such system among others The microphone used to pick up the sound generator power system simulation PSS , the phase inverting circuit remove frequency, amplifier to amplify inverted phase signal and the output is speaker. In amplifier circuits are used in noise cancelling systems to amplify the inverting signals so that disturbing frequencies can be lost or interfere with each other. In this thesis, amplifier made with class AB which has a better linearity than the existing class of amplifier class so that the signal can be boosted 100 times as its input signal and also gives more 180o wave signal. The results of frequency respons at 65 Hz 16 Hz can include dominant frequencies in frequencies of 300 Hz and 5500 Hz. Implementation test noise cancelling device on Electric Power System Laboratory has decreased sound pressure level SPL in various points with an average of 1.75 dB."

"Pada skripsi ini dilakukan rancang bangun high power amplifier (HPA) yang beroperasi pada frekuensi 2,3 GHz dan 2,6 GHz secara bersamaan. Rangkaian input matching dan output matching dirancang dengan rangkaian matching khusus yang beresonansi pada kedua frekuensi. Tujuan dari rancang bangun ini adalah mencapai S21 yang lebih besar dari 15 dB dan S11 dibawah -15 dB untuk kedua frekuensi. Spesifikasi rancang bangun dual band HPA antara lain: daya keluaran 100 mWatt, daya masukan 5 - 20 mWatt, efisiensi 50%, arus drain yang kecil dengan tegangan supply 5 Volt, standar kestabilan K > 1, dan return of loss (RoL < -15 dB). Transistor yang digunakan yaitu NE662M04 yang merupakan transistor frekuensi tinggi tipe NPN. Rancangan ini disimulasikan menggunakan program Advanced Design System (ADS). Dari hasil simulasi, diperoleh frekuensi tengah HPA pada 2,35 GHz dan 2,65 GHz. Secara berturut-turut, diperoleh S11 = -31,732 dB dan -30,238 dB, VSWR = 1,053 dan 1,063, dan S21 = 19,341 dB dan 16,783 dB. Hasil fabrikasi HPA mengalami pergeseran frekuensi ke frekuensi 2,108 GHz dan 2,484 GHz. Secara berturut-turut, diperoleh S11 = -14,807 dB dan -14 dB, VSWR = 1,232 dan 1,4, dan S21 = -9 dB dan -3,9 dB (dual stage); untuk S21 rangkaian single stage adalah sebesar 6,823 dB pada frekuensi 2,093 GHz.; dan untuk S21 rangkaian dual stage dengan coupling kapasitor 22 pF adalah sebesar 1,64 dB pada frekuensi 2,481 GHz.

---

In this project, a dual band power amplifier which operates at two specific frequencies of 2.3 GHz and 2.6 GHz simultaneously is designed. The input matching and output matching circuit is designed with a special matching network which resonates at two frequencies. The objective of this design is to achieve S21 at a point higher than 15 dB and S11 below -15 dB for both frequencies. The other important specification for this dual band high power amplifier is: 100 mWatt output power, 5 - 20 mWatt input power, 50% efficiency, low drain flow with 5 Volt supply voltage, fulfill the stability standard K > 1, and return of loss (RoL < -15 dB). The transistor used is NE662M04, a NPN silicon high frequency transistor. The design is simulated with Advanced Design System (ADS) software. From the simulation, the center frequency of HPA is at 2.35 GHz and 2.65 GHz. Respectively, S11 = -31,732 dB and -30,238 dB, VSWR = 1,053 and 1,063, and S21 = 19,341 dB and 16,783 dB. After fabrication, there is a frequency shift to 2,108 GHz and 2,484 GHz. Respectively, S11 = -14,807 dB and -14 dB, VSWR = 1,232 and 1,4, and S21 = -9 dB and -3,9 dB (dual stage); for single stage circuit, S21 = 6,823 dB at 2,093 GHz.; and for dual stage circuit with 22 pF capacitor coupling, S21 = 1,64 dB at 2,481 GHz."

"Teknologi implant biomedis menjadi salah satu teknologi yang paling banyak digunakan pada saat ini. Teknologi tersebut memanfaatkan sistem WPT untuk mentransmisikan energi nya. Salah satu bagian penting pada WPT adalah PA. Pada skripsi ini, didesain sebuah PA yang beroperasi pada frekuensi kerja 13.56 MHz yang dapat mencapai PAE hingga 80% dan gain hingga 20 dB. Pada PA ini digunakan konfigurasi Kelas A dengan menggunakan titik kerja kelas AB. PA dapat menghasilkan daya output hingga 10 dBm atau sekitar 10 mW. Tahapan desain dimulai dengan melakukan simulasi menggunakan perangkat lunak ADS (Advanced Design System) 2020 untuk menguji dan menganalisis PAE, gain, dan daya output. Berdasarkan hasil simulasi, didapatkan PAE sebesar 87.48%, gain sebesar 41.44 dBm, dan P1dB sebesar 12.39 dBm. Pada tahapan berikutnya, skematik rangkaian PA pada ADS didesain menjadi sebuah layout PCB dengan menggunakan komponen yang tersedia di pasaran. Layout PCB tersebut kemudian dicetak dan diuji. Berdasarkan pengukuran PCB, didapatkan PAE sebesar 14.58%, gain sebesar 39.1 dB, dan P1dB sebesar 12.4 dBm.

---

Biomedical implant technology is one of the most widely used technologies today. The technology utilizes the WPT system to transmit its energy. One of the important parts of WPT is PA. In this research, a 13.56 MHz PA that can reach PAE up to 80% and gain up to 20 dB has been designed. This PA used Class A configurations with Class AB operation. This PA could produce an output power up to 10 dBm or approximately 10 mW. The design process started from simulation using ADS (Advanced Design System) 2020 to observe and analyze PAE, gain, and output power. Based on simulation, this PA could reach PAE up to 87.48%, gain up to 41.44 dBm, and P1dB of 12.39 dBm. The next step of the design process is designing a PCB layout based on the schematic on ADS 2020 using available components. The PCB layout was printed and tested. Based on the PCB testing result, this PCB could reach PAE up to 14.58%, gain up to 39.1 dB, and P1dB of 12.4 dBm."

"Dalam penulisan skripsi ini akan dibahas mengenai rancang bangun rangkaian penguat dalam sistem pengiriman daya listrik tanpa kabel berdasarkan prinsip induksi resonansi elektromagnetik. Dalam prinsip resonansi elektromagnetik, sistem yang telah terbentuk tidak dibatasi oleh jumlah alat, namun oleh frekuensi dan jangkauan. Jangkauan dari sistem ini sangatlah vital dalam aplikasi sistem tersebut. Karena jangkauannya yang sangat terbatas, berbagai usaha dilakukan untuk dapat memperluas jangkauannya. Dalam skripsi ini, dirancanglah sebuah rangkaian penguat untuk diaplikasikan dalam sistem dengan tujuan agar dapat dapat menambah jangkauan pengiriman. Dan dari rangkaian tersebut akan dilakukan analisa mengenai rangkain tersebut dan aplikasinya dalam sistem pengiriman daya listrik tanpa kabel.

---

In this paper is discussed about an amplifier circuit design in Wireless Power Transfer based on electromagnetic resonance. In the electromagnetic resonance, the system is not limited by the number of device, but by the frequency and range. The range of this system is vital in the applicatios. However, because the coverage is very limited, various attempts were made to be able to expand its reach.

In this paper, an amplifier circuit designed to be applied in the system with the goal to be able to increase the coverage of the system. And this amplifier circuit will be analysed for it's application in the system of Wireless Power Transfer."

"Antena aktif yang merupakan integrasi antara antena gelombang mikro dengan perangkat aktif seperti amplifier telah mendapat perhatian yang luas pada beberapa tahun belakangan ini. Pada umumnya, penempatan elemen aktif yaitu transistor microwave dalam rangkaian terintegrasi microwave (Microwave Integrated Circuit, MIC) dibuat pada saluran transmisi microstrip. Pada tesis ini dibahas mengenai rancangan microwave power amplifier sebagai elemen aktif dari antena yang dibuat dengan memakai rangkaian penyesuai saluran transmisi coplanar waveguide. Keuntungan utama yang diharapkan dapat diperoleh dengan pemakaian coplanar waveguide antara lain; interkoneksi komponen pada rangkaian lebih mudah karena hanya bagian permukaan dari struktumya yang diperlukan, memberikan kemudahan dalam memperluas rangkaian pada bidang atas substrat sehingga sangat sesuai digunakan pada rangkaian terintegrasi microwave.Transistor microwave yang dipakai pada rancangan amplifier ini adalah GaAs MeSFET tipe NE 76084 yang memiliki potensi tidak stabil (potentially unstable) pada frekuensi 5 GHz, dan kondisi ini umumnya dihindari dalam rancangan microwave amplifier. Sekalipun transistor tersebut berpotensi tidak stabil, pada tesis ini diperlihatkan realisasi rancangan microwave amplifier dengan membuatnya menjadi stabil melalui pemilihan koefisien refleksi beban yang sesuai.Perancangan dilakukan dengan bantuan perangkat lunak CAD untuk amplifier, AutoCAD dan perangkat keras mesin cetak quick circuit. Pengukuran terhadap beberapa parameter seperti power gain, bandwith, return loss dan VSWR dilakukan pada rancangan akhir amplifier dengan frekuensi operasi 5 GHz.

---

Active antennas which are integration between microwave antenna and an active device such as amplifier have found wide interest in the past few years. Mostly, the placement of active element (i.e. microwave transistor) in microwave integrated circuit (MIC) made on microstrip transmission line. This paper describes the design of microwave power amplifier as an active part of active antenna implemented on coplanar waveguide. With the design proposed here, the main advantage which may be expected from the proposed coplanar waveguide compared to microstrip line is based on the fact, that network interconnection is easily obtained. It structure's necessary only on the surface side of the substrate, allowing planar circuits on the top side to be extended and thus making it compatible with microwave integrated-circuit.

The amplifier investigated in this paper utilized GaAs MeSFET (NE 76084) which is potentially unstable can be realized by the proper selection of the load reflection coefficient. This condition must, therefore, be avoided for the design of microwave amplifier.

The amplifier was designed using several tools such as CAD for amplifier and Auto CAD software, and Quick-circuit machine. Measured result of power gain, VSWR and bandwidth of the amplifier operating in 5 GHz are given."

"ABSTRAKErbium doped fiber amplifier (EDFA) menjadi kunci utama komponendense wavelength division multiplexing (DWDM) dalam sistem komunikasi fiber optik.EDFA L band relatif bekerja pada inversi populasi rendah dimana energiabsorpsi dan emisi bekerja pada level energi konvensional dengan menghasilkan penguatan positip. Pola daya laser diode pumping (LDP) menjadi bagian terpenting dalam pengaturan EDFA L band, khususnya untuk menentukan penguatan tinggi dengan noise yang rendah. Dalam penelitian ini dikembangkan sebuah rangkaian elektronika menggunakan komponen high end technology dengan stabilitas dan akurasi tinggi dengan fitur: laser diode pumping (LDP), termo electric cooler (TEC) dan power meter diatas sebuah rangkaian kompakprinted circuit board (PCB) terintegrasi.EDFA diatur pada forward pumping dengan satu buah LDP 980 nm.Panjang EDFA yang digunakan berukuran 13.5 meter, nilai ini dipilih untuk mengefisienkan daya LDP agar didapat daya keluaran penguatan yang maksimum terhadap daya sinyal masukan minimum. Prototipe dikarakterisasi kemudian diverifikasi menggunakan analisa numerik Matlab untuk menentukan performa sistem penguatan optik EDFA secara keseluruhan.Parameter unjuk kerja seperti gain dan noise figure (NF) dapat diperoleh dengan mengubah daya laser pompa berturut-turut 53.6 mW, 61.1 mW, 64.83 mW dan 68.25 mW dengan sinyal masukan berturut-turut -20 dBm, -15 dBm, -10 dBm dan -5 dBm. Hasil eksperimen menunjukan bahwa sinyal masukan terkecil -20 dBm dapat dikuatkan hingga diatas 3 dB dengan noise figure (NF) rata-rata dibawah 4 dB.

---

ABSTRACTErbium doped fiber amplifiers (EDFA) have become major key components for dense wavelength division multiplexing (DWDM) optical fiber communication systems.An L-band EDFA operates in a relatively low population inversion that apositive net gain is produced for L-band signals while energy absorption occurs at the conventional band. Therefore, pumping scheme has become major issues in L band EDFA to obtain high gain and low noise figure (NF) as well as pump power efficiency. In this research we have developed a high stability and accuracy circuitusing high end technology components, the feature such as: laser diode pumping, thermo electric cooler and power meter on a compact printed circuit board (PCB).EDFA was regulated at forward pumping using simple single pumpstructure with 980 nm pump laser and short L band EDFA. Length of EDFA is 13.5 meters were used, the purpose is to get short L band length but with efficient pumping power to get good gain output at several pumping and signal power. Prototype has characterized and verified using numerical analysis Matlab to determine performance of EDFA system overall.The performance parameter such as gain, NF and output power was taken atL band ITU wavelength standard with four different laser diode pumping powers of 53.6 mW, 61.1 mW, 64.83 mW and 68.25 mW respectively. A range of different input signal power ranging was used of -20 dBm, -15dBm, -10 dBm and -5 dBm respectively. Experimentally, the lowest power at -20 dBm can be amplified up to 3 dB within lowest noise figure bellow 4 dB."

"Radio-Frequency Identification (RFID) telah menjadi salah satu segmen teknologi yang memiliki pertumbuhan pesat pada industri pengumpulan data dan identifikasi otomatis. Salah satu bagian terpenting dari sistem RFID adalah power amplifier yang memungkinkan terjadinya transfer daya antara reader dengan transponder untuk melakukan identifikasi. Pada penelitian ini diusulkan power amplifier kelas E untuk aplikasi RFID yang bekerja pada frekuensi 13.56 MHz. Power amplifier pertama kali disimulasikan dengan menggunakan software Advance Desain System (ADS) dan kemudian hasil simulasi difabrikasi. Power amplifier kelas E yang dirancang memiliki kestabilan K sebesar 1.758, return loss masukan (S11) sebesar -23.587 dB, return loss keluaran (S22) sebesar -19.123 dB, gain (S21) sebesar 22.742 dB, VSWR sebesar 1.142, dan PAE maksimal 79.331% pada frekuensi 13.56 MHz. Sedangkan power amplifier hasil fabrikasi memiliki performansi yang cukup berbeda dengan hasil simulasi dimana hasil fabrikasi memiliki return loss masukan (S11) sebesar -14.926 dB, return loss keluaran (S22) sebesar -12.812 dB, dan gain (S21) sebesar 0.852 pada frekuensi 13.56 MHz.

---

Radio-Frequency Identification (RFID) has become a technology segment that growth rapidly in data collecting industry and automatic identification. One of the most important part of RFID system is power amplifier that enable power transfer between reader and transponder for identification purpose.

This research propose power amplifier class E for RFID application at 13.56 MHz frequency’s. The power amplifier is simulated with Advanced Design System (ADS) software then the simulation design is fabricated.

The simulation result of class E power amplifier has stability factor K of 1.758, input return loss (S11) of -23.587 dB, output return loss (S22) of -19.123 dB, gain (S21) of 22.472 dB, VSWR of 1.142, and maximum PAE of 79.331% on frequency of 13.56 MHz.

The fabrication result of power amplifier has a difference performance to the simulation result where the fabrication result has input return loss (S11) of -14.926 dB, output return loss (S22) of -14.926 dB, gain (S21) of 0.852 dB on frequency of 13.56 MHz."

"Teknologi implan medis pada saat ini telah menjadi bagian penting dalam suatu metode monitoring kondisi tubuh dari suatu makhluk hidup. Dalam sistem teknologi implan medis yang dijalankan secara nirkabel,diperlukan sistem Wireless Power Transfer. Sistem Pada sistem WPT terdapat 2 bagian penting, yaitu transmitter dan reciever. Pada bagian transmitter memiliki peran penting untuk proses amplifikasi daya, dibagian transmitter yang memiliki peran tersebut adalah Power Amplifier (PA). Topologi PA yang digunakan adalah Class-J yang dikenal memiliki liniearity yang baik tanpa mengorbankan efisiensi yang dimiliki, lalu terdapat komponen MOSFET yang bertugas sebagai switching tegangan-arus yang mengalir diterapkan dalam PA, spesifikasi MOSFET diharapkan memiliki kemampuan switching yang cepat dan memiliki efek parasitik dan resistansi yang rendah. PA akan dioperasikan dengan parameter frekuensi masukan sebesar 13,56 MHz sebagai spesifikasi dari penerapan untuk alat implant biomedis. Desain PA dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance System Design 2020 (ADS 2020) untuk mendapatkan efisiensi yang tinggi dengan parameter yang diharapkan. Hasil dari desain merupakan dengan target mendapatkan nilai PAE setinggi-tingginya dengan keluaran daya juga yang besar dalam hal ini Power Gain (dBm), dan hasil penguatan dalam decibel (dB) sebesar-besarya agar daya tidak hilang ketika ditransfer melalui coil menuju reciever. Melalui desain ini diperoleh output power atau P1dB sebesar 12,3 dBm sedangkan pada hasil simulasi P1dB sebesar 32 dBm..

---

Medical implant technology at this time has become an important part in a method of monitoring the body condition of a living being. In a medical implant technology system that runs wirelessly, a Wireless Power Transfer system is needed. System In the WPT system there are 2 important parts, namely transmitter and receiver. The transmitter section has an important role for the power amplification process, the transmitter section has a Power Amplifier (PA) role. The PA topology used is Class-J which is known to have good linearity without sacrificing its efficiency, then there is a MOSFET component that acts as a current-voltage switching applied in the PA, the MOSFET specification is expected to have fast switching capabilities and has parasitic and parasitic effects. low resistance. The PA will be operated with an input frequency parameter of 13.56 MHz as a specification of the application for biomedical implant devices. The PA design was carried out using the Advance System Design 2020 (ADS 2020) software to obtain high efficiency with the expected parameters. The result of the design is with the target of getting the highest PAE value with a large power output in this case Power Gain (dBm), and the maximum gain in decibels (dB) so that power is not lost when transferred through the coil to the receiver. Through this design, the output power or P1dB is 12.3 dBm, while the P1dB simulation results are 32 dBm."

"Penelitian mengenai Integrated Circuit (IC) khususnya untuk aplikasi komunikasi nirkabel masih sangat kurang di Indonesia. Padahal, komunikasi nirkabel di Indonesia sedang berkembang pesat mengenai teknologi LTE dan WIMAX. Oleh karena itu, penelitian tentang IC di Indonesia harus mulai dirintis untuk mendukung perkembanagan komunikasi nirkabel tersebut. Concurrent multiband Low Noise Amplifier (LNA) merupakan salah satu penelitian IC untuk aplikasi komunikasi nirkabel karena dapat bekerja empat pita frekuensi (quadband) yaitu 0.900 GHz dan 1.800 GHz untuk aplikasi GSM, 2.300 GHz untuk aplikasi WIMAX, dan 2.600 GHz untuk aplikasi LTE di Indonesia. Pada penelitian yang telah banyak dilakukan sebelumnya, hasil perancangan concurrent multiband LNA tidak mampu mendapatkan spesifikasi gain yang tinggi. Untuk itu, dalam penelitian ini LNA dirancang menggunakan konfigurasi transistor secara cascade dan teknik power constrained simultaneous noise and input matching (PCSNIM) pada topologi inductive source degeneration yang mampu mendapatkan nilai gain tinggi, dan noise yang rendah. Perancangan dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advanced Design System (ADS) versi 2009 dan Altium Designer Summer 09, kemudian hasil perancangannya difabrikasi di atas PCB. Berdasarkan hasil simulasi yang dilakukan, rancangan LNA telah memenuhi spesifikasi yaitu memiliki K > 1, S21 sebesar 28.584 ~ 33.348 dB, S11 sebesar -20.679 ~ -30.817 dB, S22 sebesar -15.66 ~ -18.581 dB, NF sebesar 0.44 ~ 0.573 dB untuk keempat band frekuensinya. Hasil pengukuran PCB menunjukkan hasil S11 sebesar - 5.48763 ~ -6.7214 dB, S21 sebesar -17,7247 ~ -27.0854 dB dan S22 sebesar - 4.13519 ~ -9.30733 dB pada keempat band frekuensinya.

---

Research about Integrated Circuit (IC), specifically for wireless communication applications is still lacking in Indonesia. In fact, wireless communication is growing rapidly in Indonesia about LTE and WiMAX technologies. Therefore, research about IC in Indonesia should be initiated to support the development of the wireless communication. Concurrent Multiband Low Noise Amplifier (LNA) is one of the research IC for wireless communication applications because it can work four frequency bands (quadband) is 0.900 MHz and 1.800 GHz for GSM applications, 2.300 GHz for WIMAX applications, and 2.600 GHz for LTE applications in Indonesia. In the research that has been done before, the results of concurrent multiband LNA design is not able to get a high gain specification. Therefore, in this study LNA designed using transistors in cascade configurations and techniques of power constrained simultaneous noise and input matching (PCSNIM) on inductive source degeneration topology that is able to get the value of high gain, and low noise. This design is using software Advanced Design System (ADS) version 2009 and Altium Designer Summer 09, then the results of LNA design was fabricated on top of the PCB. Based on the simulation results, the design of LNA has fullfiled the specifications that have K > 1, S21 is 28 584 ~ 33 348 dB, S11 is ~ -30 817 -20 679 dB, S22 is -15.66 ~ -18 581 dB, NF is 0.44 dB ~ 0573 on desired frequency bands. PCB measurement results show the results of S11 is -5.48763 ~ -6.7214 dB, S21 is -17,7247 ~ -27.0854 dB and S22 is -4.13519 ~ -9.30733 dB on desired frequency bands."