Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Dalam skripsi ini dirancang memori 16 bit menggunakan Surface-Channel Charge Coupled Device. SCCD yang digunakan menggunakan substrat Silikon tipe-P dengan konsentrasi dopan sebesar 10's dopanlcm3. Panjang gate CCD sebesar 9 Pm dan jarak antar gate sebesar 1.5 }im. Perpindahan muatan dilakukan secara tiga fasa, Teknik pemasukan sinyal digital yang digunakan adalah voltage input clan teknik pendeteksian yang digunakan floating diffusion amplifier Teknik pengorganisasian memori yang digunakan adalah serpentine multiple loop-random acces yang menggunakan sebuah multiplererdengan addressz bit clan 4 buah loop yang masing-masing terdiri dari dua registerCCD serta dua regenerator. Hasil perhitungan divais menghasilkan waktu yang dibutuhkan untuk mentransfer data secara acak dalam satu register CCD adalah 666.68 ns, jauh lebih kecil da6pada waktu yang dibutuhkan register CCD untuk mencapai kondisi inversi, 0.35875 ms, Perhitungan clan simulasi divais menggunakan software MATLAB 4.0 dari Mathworks & Co."

"Dalam penelitian ini Surface-Channel Charge Coupled Devices (SCCD) dan Burred-Channel Charge Coupled Devices (SCCD) yang memiliki karakteristik dan penerapan aplikasi yang berbeda dirancang di dalam satu substrat dengan konsentrasi impurity yang sama dan dapat difabrikasi dengan menggunakan sebuah wafer silikon saja. Rancangan ini dibuat di dalam wafer silikon tipe-p dan lapisan epitaksi tipe-n setebal 1,45 _m, panjang gate untuk SCCD dibuat 9 _m sedangkan untuk BCCD dibuat 12 um. Hasil simulasi divais pada pencatuan tegangan multifasa 13,33 MHz menghasilkan efisiensi pada SCCD dalam orde -9 dan untuk BCCD dalam orde -11 pada perpindahan elektron tiap elektroda. Simulasi divais dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak S-PISCES 213 dari SILVACO International."