Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Tunnel Field Effect Transistor (TFET) merupakan struktur divais yang menggunakan mekanisme transport band-to-band tunneling untuk proses injeksi carrier. Hal ini berbeda dengan MOSFET yang menggunakan thermionic emission untuk mengalirkan arus. Dengan mekanisme transport yang berbeda ini,TFET dapat mencapai nilai subthreshold swing (SS) lebih rendah dari 60 mV/dec, lebih kecil dari transistor konvensional. Rendahnya nilai SS ini penting untuk penskalaan tegangan dengan arus switching yang ideal. Pada tesis ini dilakukan analisa karakteristik tunnel FET pada divais Si lateral p-n dan p-i-n berskala nanodari data hasil penelitian yang diperoleh Nano Device Laboratory, Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Jepang. Fenomena band-to-band tunneling pada divais lateral p-n dan p-i-n berskala nano berhasil diobservasi. Band-to-band tunneling terjadi pada saat divais diberikan tegangan reverse bias dan gate diberikan tegangan positif. Dari hasil analisa pada struktur p-n dengan ketebalan oxide 150 nm, diperoleh SS mencapai 647,5 mV/dec. Dengan metode komparasi tegangan substrat pada ketebalan oxide 3 nm diperoleh SS sebesar 12,95 mV/dec, lebih kecil dari 60 mV/dec yang merupakan batasan nilai SS yang dapat dicapai pada MOSFET. Selanjutnya dilakukan analisa pengaruh co-doped dan intrinsic region terhadap tegangan threshold dan pengaruh panjangnya terhadap SS. Diperoleh bahwa struktur p-n memiliki tegangan threshold lebih tinggi dibanding struktur p-i-n. Hal ini dipengaruhi oleh level Fermi pada channel region, di mana co-doped region memiliki level Fermi EF = 0,112 eV, lebih rendah dari i-region dengan EF = 0,56 eV, sehingga dibutuhkan tegangan gate yang lebih besar untuk menurunkan energi band channel sehingga terbentuk tunnel junction. Dengan mengubah panjang co-doped dan i-region diperoleh hasil bahwa pada struktur p-n dengan panjang co-doped 250 nm diperoleh SS sebesar 647,5 mV/dec, lebih kecil dari struktur dengan panjang co-doped 1000 nm dengan SS mencapai 724 mV/dec. Hal ini disebabkan pada struktur p-n, co-doped region yang lebih pendek akan membentuk channel region yang lebih sempit sehingga elektron pada channel akan lebih cepat tersapu menuju drain. Sebaliknya, pada struktur p-i-n dengan panjang i-region 2000 nm diperoleh SS 704 mV/dec, lebih kecil dari struktur dengan panjang i-region 1000 nm dengan SS mencapai 776 mV/dec. Hal ini dapat dijelaskan bahwa pada struktur p-i-n, semakin panjang i-region maka daerah deplesi pada channel semakin lebar sehingga tunnel region yang terbentuk akan lebih panjang dan probabilitas elektron yang dapat dilewatkan pada tunnel region semakin besar.

---

Tunnel Field Effect Transistor (TFET) is a device structure which use band to band tunneling transport for the carrier injection mechanism, unlike MOSFET which use thermionic emission. This transport mechanism enables TFET to reach sub threshold swing (SS) less than 60 mV/dec that can enable voltage scaling with ideal current switching. Analysis of the characteristic of tunnel FET on Si nanoscale lateral p-n and p-i-n devices will be conducted in this thesis based on the research data at Nano Device Laboratory, Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Japan. Band to band tunneling phenomenon on the lateral nanoscale lateral p-n and p-i-n devices are successfully observed. Band to band tunneling occurs when the devices are in reverse biased condition and positive voltage is applied to the gate. For p-n device with the oxide thickness 150 nm, the SS reaches 647,5 mV/dec. Using substrate voltage comparison methods on the oxide layer with thickness of 3 nm, the SS value is 12,95-mV/dec, smaller than 60 mV/dec as a limitation of SS on MOSFET. Next, we analyze the effect of codoped and intrinsic region to the threshold voltage and its length to the subthreshold swing (SS).

We found that, p-n devices have higher threshold voltage compared to p-i-n devices. We ascribe that this results come from the fact that codoped region has lower Fermi level than that in i-region. By varying the intrinsic and the co-doped region length, we observed that p-n device with co-doped length 250 nm has SS 647,5 mV/dec, smaller than p-n device with co-doped length 1000 nm which has SS 724 mV/dec. We consider that when the co-doped region length is decreasing, the channel region will be shorter. Therefore the electron on the the conduction band of the channel will be swept out to the drain region quickly. We also found that, p-i-n device with i-region length 2000 nm has SS 704 mV/dec, smaller than p-i-n device with i-region length 1000 nm with SS 776 mV/dec. We ascribe that when the i-region length is increasing, the tunnel region in the channel region will be larger, such that the probabilities of electron to tunnel to the channel region increases."

"Teknologi fabrikasi semikonduktor yang berkembang pesat memungkinkan pengecilan dimensi divais hingga mendekati skala nanometer. Pemodelan klasik menyatakan bahwa konduktivitas suatu penghantar akan berkurang seiring dengan penurunan luas area dan panjang dari penghantar tersebut hingga batasan tertentu di mana efek kuantum mulai berlaku dalam menganalisis pergerakan muatan. Skripsi ini mengobservasi pengaruh miniaturisasi dimensi panjang dan lebar terhadap parameter arus dalam karakteristik I-V nanodioda Si lateral berdasarkan hasil riset terkini. Dari hasil perbandingan data, skripsi ini berhasil menganalisis hubungan kesebandingan terbalik antara dimensi lebar dioda dengan jumlah arus yang mengalir sebagai akibat dari transisi mekanisme transpor muatan dari difusif menjadi balistik. Batasan antara ranah klasik dan kuantum diperkirakan terjadi ketika lebar dioda mendekati ukuran 500 nm.

---

As semiconductor processing technology has been rapidly developed,fabrication of tiny devices approaching a few nanometer is now being possible. Classic theory states that device conductivity will be decreased linearly as device dimensionality getting shrunk until a point where quantum effect is introduced into carrier motion analysis. This thesisobserved the effect of lateral Si nanodiode length and width miniaturization in respect to current level in I-V characteristic based on a newest research. From comparations provided, this paper has analyzed an inversely proportional correlation between diode width to current level significant change due to transition regime from diffusive transport to ballistic mechanism. Boundary between these two is supposed to occur when diode width approaching 500 nm in size."

"Riset ini difokuskan pada karakteristik linier arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dalam rentang temperatur dari 50K hingga 250 K serta karakteristik arus-tegangan dan konduktansi dioda P-N Silikon skala nano doping tinggi pada temperatur 5,5K. Untuk itu dioda P-N dan P-I-N dengan konsentrasi doping tinggi difabrikasi pada wafer ultra tipis berstruktur silicon-oninsulator (SOI). Dari hasil fabrikasi telah diperoleh konsentrasi doping tinggi Boron dan Phosphorus pada divais dioda mencapai 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, berturut-turut. Pengukuran karakteristik arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dilakukan pada beberapa divais dengan lapisan intrinsik sepanjang 200 nm dan 700 nm. Linieritas arus pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan rentang temperatur dari 50 K hingga 250 K menunjukkan divais ini sesuai untuk sensor temperatur rendah. Pada pengukuran juga diperoleh data bahwa dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi menghasilkan arus yang lebih tinggi saat temperatur diturunkan dalam rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V. Selain itu juga diperoleh data bahwa divais skala nano dengan lapisan intrinsik yang lebih panjang dan lebih lebar akan menghasilkan arus yang lebih tinggi pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan temperatur dari 50K hingga 250K. Hasil pengukuran pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi pada rentang forward bias hingga 0,1 Volt maupun rentang reverse bias hingga -0,1 Volt menghasilkan beberapa puncak konduktansi yang menunjukkan kesesuaian nilai dengan level energi density of state dua dimensi (2D DOS) dan level energi kombinasi phonon pada temperatur 5,5K. Pada forward bias, level energi diskret heavy hole, light hole, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga 0,1 Volt. Demikian juga halnya pada reverse bias, level energi diskret elektron 2-fold valley, 4-fold valley, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga -0,1 Volt. Transport elektron pada dioda P-N Silikon dalam skala nano doping tinggi akan mengalami puncak konduktansi saat elektron memiliki energi yang sama dengan level diskret energi 2D DOS. Hal ini membuktikan adanya phonon-assisted tunneling pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi.

---

This report is focused on linier current-voltage (I?V) characteristic of highly-doped nanoscale Silicon P-I-N diodes at temperature from 50K to 250K and also I-V and conductance characteristics of highly-doped nanoscale Silicon P-N diode at temperature 5.5K. For that purpose, we fabricated nano scale P-I-N and P-N diodes within ultra thin silicon-on-insulator (SOI) structures. From fabrication, we achieved high doping concentrations of Boron and Phosphorus in SOI diodes, 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, respectively.

Measurement of current-voltage characteristics of highly-doped nanoscale silicon PIN diode is performed on devices with intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm. The current linearity under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature range from 50K to 250K shows that these devices are suitable for lowtemperature sensor. The measurement data shows also that highly-doped nanoscale silicon PIN diode produces higher current when the temperature is lowered under forward bias from 1.5 V to 2.0 V. In addition, the data shows that nanoscale devices with longer and wider intrinsic layer would generate higher current under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature from 50K to 250K.

Measurement of highly-doped nanoscale silicon P-N diode under forward bias to 0.1 Volt and also reverse bias to -0.1 Volt results conductance peaks that show relationship with two-dimensional density of state (2D DOS) and phonon combination energy level at temperature 5.5K. Under forward bias, discrete energy level of heavy hole, light hole and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range 0.1 Volt. Also under reverse bias, discrete energy level of electron 2-fold valley, 4-fold valley and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range -0.1 Volt. Electron transport of highly-doped nanoscale silicon P-N diode will experience conductance peaks when it has equal energy with 2D DOS discrete energy level. It proves the existence of phonon-assisted tunneling on highly-doped nanoscale silicon P-N diode."

"

Adanya galian dan beban alat berat pada tanah lunak di sekitar tiang pancang menyebabkan pergerakan lateral tanah yang menghasilkan tekanan pasif pada fondasi tiang sehingga mengalami pergeseran. Penelitian ini bertujuan untuk menganalisis perilaku pergeseran tiang pancang pada studi kasus yang berlokasi di Gresik, Jawa Timur akibat pengaruh beban surcharge berupa alat berat dengan/tanpa adanya galian pada tanah lempung lunak. Perilaku pergeseran tiang disimulasikan menggunakan program aplikasi berbasis metode elemen hingga MIDAS GTS NX. Tiang pancang dimodelkan dengan menggunakan model konstitutif elastis dan elasto – plastis untuk mendapatkan hasil deformasi yang sesuai dengan kondisi aktual di lapangan. Sedangkan tanah dimodelkan dengan menggunakan model konstitutif tanah hardening soil untuk menggambarkan perilaku perubahan kekakuan pada tanah lempung. Analisis dilakukan untuk memeriksa kerusakan dan pergeseran lateral tiang pada kondisi lapangan serta pada skenario galian dan beban yang berbeda. Hasil analisis menunjukkan bahwa kondisi di lapangan dengan galian sedalam 0.8 m dan beban alat berat seberat 21.9 kN/m² yang bekerja sejauh 6 m dari tiang yang digali tidak menyebabkan tiang bergeser sesuai kondisi pergeseran aktual di lapangan. Pada analisis pengaruh tahap konstruksi galian dan beban alat berat, pola pergeseran lateral tiang cenderung meningkat secara linier seiring pertambahan kedalaman galian namun tidak meningkat secara linier seiring pertambahan jarak beban alat berat.

---

Excavation and heavy equipment loads in soft soil around the pile cause lateral movement of the soil that produces passive pressure on the pile foundation so that it shifts.  This study aims to analyze the behavior of pile displacement in a case study located in Gresik, East Java due to the influence of surcharge loads in the form of heavy equipment with/without excavation in soft clay soil. The pile displacement behavior was simulated using a finite element method-based application program MIDAS GTS NX. The piles were modeled using elastic and elasto-plastic constitutive models to obtain deformation results in accordance with actual conditions in the field. The soil was modeled using a hardening soil constitutive model to illustrate the behavior of stiffness changes in clay soil. Analyses were conducted to examine the damage and lateral displacement of the piles under field conditions as well as under different excavation and load scenarios. The analysis showed that the field condition with 0.8 m deep excavation and 21.9 kN/m² heavy equipment load acting 6 m away from the excavated pile did not cause the pile to shift according to the actual shifting condition in the field. In the analysis of the effect of excavation construction stage and heavy equipment load, the lateral displacement pattern of the pile tends to increase linearly as the excavation depth increases but does not increase linearly as the distance of the heavy equipment load increases.

"

"ABSTRAKKemacetan lalu lintas yang terjadi di hampir semua ruas jalan di pusat kota Jakarta bahkan di jalan akses ke pemukiman peduduk adalah hal yang di jumpai setiap hari pada jam-jam tertentu. Angkutan massal yang ada seperti KRL (Kereta listrik) disesaki oleh penumpang bahkan terkadang sebagian badan dari penumpang yang memaksa naik berada diluar kereta. Dalam menunjang sistem transportasi modem, subway (kereta bawah tanah) menjadi solusi yang dapat diandalakan, terlebih lagi dengan ketersedian ruang kota (permukaan tanah) yang sangat terbatas. Sistem tranportasi yang sudah banyak dikembangkan diberbagai negara ini terbukti efektif untuk mengatasi masalah tranportasi perkotaan. Dalam penentuan rute-rute yang harus dilewati oleh subway (MRT, Mass Rapid Transit) terkadang harus melewati bangunan yang ada di permukaan tanah. Pelaksanaan kontruksi terowongan harus sangat perhatikan masalah yang akan timbul pada permukaan tanah yang dilalui terowongan, termasuk bangunan dan sarana penunjang lainya. Untuk itu, perencanaan harus dilakukan sebaik mungkin dan pemilihan sitem penerowongan dan konstruksi harus mempertimbangan kondisi yang ada. Metode penerowongan yang dianalisa adalah metode shield tunneling, yaitu metode yang menggunakan alat pemotong dan pendorong tanah berupa silinder yang terbuat dari baja dan dengan segera dilakukan Linning pada terowongan sehingga dapat mengantisipasi stabilitas tanah. Simulasi dilakukan dengan satu program yang Metode Elemen Hingga yaitu Sage Crisp dengan 2 model analisa yaitu : Elasto-plastis dan Konsep Kondisi Kritis Cam Clay (Critical State Soil Mechanic). Analisa dilakukan dengan 2-D (dua dimensi) dengan model regangan bidang (plane strain). Penurunan atau pergerakan tanah secara lateral akibat konstruksi terowongan bawah kota untuk subway merupakan suatu pertimbangan penting dalam merencanakan suatu terowongan. Dengan metode elemen hingga, penurunan tanah tersebut dapat diprediksi dengan model analisa mengacu pada kondisi yang ada. Tulisan akan menampilkan hasil-hasil simulasi yang dilakukan. Analisa ditekankan pada penurunan permukaan tanah, penurunan pondasi bangunan.

---

"

"The transportation or railway system constructors usually, wherever possible, build the transportation system on the ground surface and avoid the necessity of underground tunnelling. However, this is not always possible. In many locations, such as mountainous area, hilly area or urban area, the underground tunnelling have to be built. The main problem of underground tunnelling is the soil stability around the tunnel, and the problems continue to mount for long and big tunnel. Therefore in recent years, engineers try to find the method to predict and solve all aspect of ground responses induced by excavating and tunnelling.

For the past 30 years, the research for estimating an accurate prediction of ground deformation caused by tunnelling processes, have been a major engineering challenge all around the world. A good prediction of ground deformation due to tunnelling excavation and advancement is highly necessary to ensure that no damage will occur in the existing buildings and services at the surrounding area.

In this study, the excavation and advancement of tunnelling excavation in Tunnel TGV of Tartaiguille, France is modeled and analyzed using the numerical program in order to simulate the ground response due to the construction processes. On the other hand, CETU (Centre d'Etudes des Tunnels) had set out an instrumentation in sections of the tunnel in order to analyze the loading of the support of the tunnel and obtained the displacement of surrounding ground responses. The numerical simulation will take into account the visco plastic behavior of the soil. And then the result of numerical simulation will be compared to the field measurement data.

The constitutive model used in this study is an elasto-plastic constitutive model called CJS 2EC which has been developed by Ecole Centrale de Lyon. To lake into account the time-dependent behavior of the soil, the visco-plastic constitutive model has been embedded in the CJS 2EC model.

Hopefully with this study, we are getting one step ahead in estimating the ground responses in tunneling. The more realistic behavior of the soil around the tunnel, which include the time dependent behavior of the soil will be examined and gives an accurate prediction of ground response due to tunnelling excavation.

Observation of the results and comparison with the measurement data demonstrate that the time dependent behavior of soil cannot be neglected in the analysis of the tunnelling excavation."

"Indonesia mengembangkan teknologi terowongan dikarenakan banyaknya kontur pegunungan dan kondisi geologi yang kaya akan mineral, serta untuk mengatasi permasalahan kemacetan di kota-kota besar. Terowongan merupakan salah atu alternatif prasarana perhubungan masa depan yang memungkinkan untuk mempersingkat waktu perjalanan. Konstruksi terowongan sendiri merupakan jenis konstruksi yang kompleks dan membutuhkan kemampuan manajerial dan teknikal yang tinggi dalam pengerjaannya. Oleh karena itu, diperlukan perencanaan yang sangat baik dan detail pada setiap proyek terowongan. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk menghasilkan kamus WBS dan checklist untuk konstruksi terowongan, sehingga dapat diidentifikasi faktor dominan apa saja yang berpengaruh pada kinerja K3. Penelitian ini terdiri dari beberapa tahap dengan metode kualitatif. Metodologi yang digunakan adalah validasi ahli, survei responden dan wawancara dan dianalisis menggunakan analisis deskriptif data modus. Dari penelitian ini, akan menghasilkan kamus WBS dan checklist dan faktor risiko dominan pada pekerjaan terowongan.

---

Indonesia is developing the technology of tunnel construction because of many mineral problems, topography, and to overcome the problem of congestion in big cities. Tunnel is an alternative transportation infrastructure of the future that allows to shorten travel time. The tunnel construction itself consists of complex types of construction and requires high managerial and technical capabilities in the process. Therefore, good and detailed planning is needed for each tunnel project. The purpose of this study is to produce a WBS dictionary and checklist for tunnel construction, so as to identify what dominant factors are successful in K3 performance. This research consists of research with qualitative methods with the methodology used is expert validation, respondent surveys and interviews and analyzed using descriptive data mode analysis."