Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada tesis ini didesain dioda IMPATT menggunakan bahan silikon p+nn+ yang dapat dioperasikan pada frekuensi 25 GHz dengan dibuat model semi empirisnya, dianalisis, dan disimulasikan melalui program simulasi yang dijalankan pada perangkat lunak SPISCES2B, SSUPREM dan MATLAB, serta dibantu perangkat lunak WINMCAD dalam pembuatan model semi empirisnya. Hasil simulasi dan analisis menunjukkan bahwa dengan memperpanjang daerah n pada struktur p+nn+ akan berakibat menurunnya frekuensi operasi secara eksponensial. Di samping hal tersebut, nilai maksimum arus injeksi menjadi tidak stabil (berosilasi) bila dioda IMPATT dioperasikan di luar frekuensi operasinya, sehingga resistansi dinamik negatifnya menjadi tidak stabil. Pabrikasi dilakukan di Laboratorium TELKOMA LIPI Bandung dengan terlebih dahulu dibuat desain proses pabrikasinya yang menggunakan teknologi difusi planar. Kedalaman daerah p+ (hasil proses difusi) serta karakteristik I=V dioda IMPATT tersebut diukur untuk melihat tegangan breakdown yang dihasilkan divais tersebut, sehingga dapat ditentukan frekuensi operasinya. Hasil pengukuran dan analisis menunjukkan bahwa dioda IMPATT p+nn+ yang dipabrikasi tersebut mempunyai tegangan breakdown 30 Volt, dengan lebar daerah avalanche 0,6 µm, dan lebar daerah deplesi 2,6 µm, sehingga divais tersebut mempunyai frekuensi operasi 25 GHz."

"Perkembangan teknologi alat telekomunikasi dewasa ini begitu meningkat pesat. Salah satu faldor yang memungidnkan terciptanya aiat telekomunikasi tersebut adalah adanya sebuah transduser yang dapat mengubah suara menjacil slnyal listdk atau seballknya. Transduser yang dapat mengubah suara menjadi slnyal 11strIk dikenal dengan nama Mlkrolon. Jenis mikrofon yang ada cukup banyak. Yang paling banyak dlpakal adalah mikrofon yang menggunakan prinsip kapasltif yang lebih dikenal dengan nama mlkrofon kondenser. Pada Tugas Skipsi ini, dliakukan penelitian tentang rancangan mikrofon kondenser yang dibuat dengan menggunakan bahan sillkon yang berdimensi kecil serta menggunakan dlafragma yang menggunakan bahan sHikon nitdda dan berbentuk sinusoidal. Parameter-parameter yang dipakal pada struktur mlkrofon ini adalah panjang den tebai diafragma, lebar celah udara, tebal backpiate, dan banyaknya lubang akustik untuk mendapatkan sensltvitas dan tanggapan frekuensi mlkrofon tersebut. Penelltian dilakukan dengan penjabaran secara matematls dan menggunakan bantuan perangkat lunak. Dart hasli slmulasl dan perhitungan dldapatkan sensitNitas mikrofon sebesar 12 mV1Pa dan tanggapan frekuensl 13 kHz."

"Tesis ini membahas tentang analisis dan perancangan divais dioda tunnel dari bahan silikon yang dipabrikasikan dengan menggunakan teknologi planar. Pabrikasi divais disesuaikan dengan teknologi, peralatan dam bahan yang tersedia pada Laboratorium Hikroelektronika, Puslitbang TELKOHA LIPI, Bandung sebagai tempat proses pembuatan. Dalam tesis ini dirancang 3 divais dioda tunnel, dengan berbagai konsetrasi impurity lapisan tipe n+, tetapi bentuk dan ukuran geometrinya saja. Ketiga rancangan tersebut disimulasikan dengan program perangkat lunak SPICES2B, HATLAB dan WINHCAD untuk nenperoleh kurva karakteristik I-V dan hubungan antara konsentrasi impurity bahan dengan untuk kerja untuk sinyal kecil. Unjuk kerja tersebut neliputi figure of merit, daya maksimum dan efisiensi. Ketiga rancangan dipabrikasi menggunakan teknologi difusi planar, parameter proses yang dipakai dari hasil simulasi program perangkat lunak SSUPREH. Hasil simulasi menunjukkan suatu karakteristik divais yang apabila konsentrasi impurity pada bahan tipe n+ (ND) dinaikkan, maka performasi dari dioda tunnel meningkat. Setelah dipabrikasi dan diukur, divais telah menunjukkan fenomena dioda tunnel."

"Tesis ini membahas tentang analisis dari perancangan divais dioda tunnel dari bahan silikon yang dipabrikasikan dengan menggunakan teknologi planar. Pabrikasi divais disesuaikan dengan teknologi peralatan dan bahan yang tersedia pada Laboratorium Mikroelektronika Puslitbang TELKOKA LIPI Bandung sebagai tempat proses pembuatan. Dalam tesis ini dirancang 3 divais dioda tunnel, dengan berbagai konsetrasi impurity lapisan tipe n+, tetapi bentuk dan ukuran geometrinya sama. Ketiga rancangan tersebut disimulasikan dengan program perangkat lunak SPICES2B, MATLAB dan UIHKCAD untuk memperoleh kurva karakteristik I-V dan hubungan antara konsentrasi impurity bahan dengan unjuk kerja untuk sinyal kecil. Unjuk kerja tersebut meliputi figure of merit, daya maksimum dan efisiensi. Ketiga rancangan dipabrikasi menggunakan teknologi difusi planar, parameter proses yang dipakai dari basil simulasi program perangkat lunak SSUPREM. Hasil simulasi menunjukkan suatu karakteristik divais yang apabila konsentrasi impurity pada bahan tipe n+ (HD) dinaikkan, maka performasi dari dioda tunnel meningkat. Setelah dipabrikasi dan diukur, divais telah menunjukkan fenomena dioda tunnel."

"Dalam Tesis ini dirancang dan dibuat suatu struktur CCD jenis buried channel (BCCD) 3 gate, menggunakan bahan silikon dengan gate dari bahan alumunium, yang dianalisis dan disimulasikan melalui program simulasi pada perangkat lunak SSUPREM dan MATLAB. Pabrikasi dilakukan di Laboratorium TELKOMA LIPI Bandung, menggunakan teknologi difusi planar, kemudian dilakukan pengukuran kedalaman kanal, kedalaman source-drain, karakteristik I-V junction source - bulk dan drain - bulk, karakteristik I-V hubungan source - drain, karakteristik I-V dengan Tegangan gate berbeda. Hasil simulasi dan analisis menunjukkan bahwa semakin besar kedalaman kanal tipe n pada BCCD, akan mempercepat perpindahan muatan, serta mengakibatkan semakin tidak effisien proses perpindahan muatannya. Dan semakin besar panjang gate, akan memperbesar waktu perpindahan muatan, sehingga semakin effisien proses perpindahan muatannya. Hasil pengukuran diperoleh bahwa karakteristik I-V rancangan devais yang dipabrikasikan, telah menunjukkan fenomena BCCD.

---

In this thesis, a CCD Structure, 3 Gate Buried Channel type (BCCD) was designed and fabricated using Silicon with Gate made from aluminum material. This analysis and simulation were done using by simulation software SSUPREM and MATLAB programs. The device fabrication was done at TELKOMA LIPI Laboratory in Bandung, utilizing Planar Diffusion Technolog, afterward the following measurement were done ; the depth of buried channel, the depth of Source-Drain, the current-voltage (I-V) characteristic of Source - bulk and Drain - bulk junctions, the current-voltage (I-V) characteristic of Source - Drain relationship, and the current-voltage (I-V) characteristic for various gate voltages.

The results of Simulation and analysis shown that the lower the n type channel depth of BCCD is, the slower the charge transfer, hence increasing transfer efficiencies. And also the more the length of the gate is, the greater the charge transfer, hence decreasing transfer inefficiencies. The result of the measurements proved that the current-voltage ( I-V ) characteristic obtained from the designed and fabricated device, has shown the phenomenon of BCCD."

"Bedah beku adalah pengobatan yang efektif untuk memusnahkan sel kanker ataupun jaringan dengan proses pendinginan yang cepat dan teratur pada temperatur rendah. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk meneliti studi kelayakan dalam penggunaan pendingin termoelektrik untuk mendinginkan cryoprobe sampai temperatur sekitar -50oC untuk diapliaksikan pada proses bedah beku. Temperatur sisi dingin (Tc) dan ?T diantara sisi dingin dan sisi panas (?T=Th-Tc) dipakai sebagai parameter dalam eksperimen ini. Untuk mendapatkan perbedaan temperatur yang besar di antara kedua sisi termoelektrik, maka digunakan alat penukar kalor berpendingin air yang memiliki heat pipe di dalamnya. Penelitian ini menggunakan 2 desain awal untuk cryosurgery, yaitu desain ke-I dimaksudkan sebagai alat pengujian tahap pertama dari modul termoelektrik dengan menggunakan material polyurethane dan polyethylene dan desain ke-II menggunakan material teflon. Hasil yang didapat dari penelitian ini menunjukkan bahwa modul termoelektrik dapat menjadi media pendingin yang baik untuk bedah beku serta dapat dikembangkan prototipe alat bedah beku yang cocok untuk pengobatan medis.

---

Cryosurgery is highly effective treatment for destroying cancer cell or tissue by consecutive rapid freeze at low temperature. The focus of this project was to investigate the feasibility of using Peltier thermoelectric cooler (TEC) to cool down a cryoprobe to a temperature of approximately -50oC for cryosurgery. The cold side temperature (Tc) and temperature difference between TEC cold and hot sides (?T=Th-Tc) were used as the parameters of these experiments. To achieve a bigger temperature difference among the two sides of thermoelectric, so a heat pipe water block is used. This research is using 2 early stages design for cryosurgery, 1st design uses polyurethane and polyethylene material for characterize of thermoelectric module, and 2nd design uses Teflon material. The conclusion is TEC module can be great cooling source for cryosurgery and this could be accomplished a prototype cryosurgical instrument, suitable for clinical trials."

"Seiring dengan perkembangan kemajuan teknologi, semakin banyak aplikasiaplikasi yang membutuhkan divais dengan kecepatan operasi tinggi. Dioda Schottky sebagai sebuah divais dengan kecepatan operasi tinggi banyak dipakai dalam aplikasi-aplikasi seperti power converter, RF detectors dan mixers. Dioda Schottky yang dipakai sekarang ini masih menggunakan bahan semikonduktor konvensional seperti Silikon sebagai material dasarnya. Pada skripsi ini dilakukan desain dan simulasi sebuah dioda Schottky yang menggunakan Carbon Nanotube (CNT) sebagai pengganti Silikon sebagai material semikonduktor dalam dioda Schottky tersebut. CNT yang digunakan adalah semiconducting CNT dengan chirality tertentu. Setelah dioda Schottky didesain, dilakukan simulasi menggunakan CNTBANDS 2.0 untuk mengetahui parameter-parameter yang digunakan dalam perhitungan dan analisis. Dari hasil perhitungan yang didasarkan pada parameter-parameter yang didapatkan melalui simulasi dengan CNTBANDS 2.0, didapatkan hasil kecepatan operasi dioda Schottky CNT yang mencapai skala terahertz, yaitu sebesar 8.1 THz untuk chirality (7,0) dan 0.42 THz untuk chirality (32,0). Kecepatan operasi dioda Schottky CNT ini bergantung pada parameter chirality dari CNT yang digunakan dalam divais. Dengan pertimbangan penggunaan CNT untuk divais yang ada sekarang ini terutama dari segi diameter maka diambil CNT dengan chirality (26,0) yang memiliki diameter sebesar 2.03 nm sebagai bahan untuk dioda Schottky CNT.

---

Along with technology development nowadays, more of applications need devices with high operation speed. Schottky diode as a high operation speed device is mainly used in aplications such as power converter, RF detectors and mixers. The current Schottky diode is still using conventional semiconductor material such as Silicon for the material.

The goal of this research is to design and simulate a Schottky diode which using Carbon Nanotube (CNT) to replace Silicon as semiconductor material in Schottky diode. The type of CNT which is used in this research is semiconducting CNT with certain chirality. After designing Schottky diode, simulation is performed using CNTBANDS 2.0 to get the parameter of the CNT which is used in calculation and analysis.

From the calculation based on the parameters obtained from simulation with CNTBANDS 2.0, we obtain CNT Schottky diode with terahertz scale operation speed, range from 8.1 THz for chirality (7,0) to 0.42 THz for chirality (32,0). The operation speed of CNT Schottky diode depends on chirality of the CNT used in the device. Due to application of CNT in the devices reason especially from the diameter of CNT parameter, we choose CNT with chirality (26,0) that has 2.03 nm of diameter as a material for CNT Schottky diode."