Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Hasil Pencarian

Ditemukan 165939 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Arda Yogatama
"Material multi lapisan Barium Titanat (BaTiO3)/Barium Zirconium Titanat (BaZrTiO3) berhasil ditumbuhkan pada substrat silikon (Si). Lapisan tersebut disintesis dengan metode Chemical Solution Deposition yang diikuti dengan Spin Coating. Dalam sintesis lapisan BTO/BZT tersebut dilakukan variasi siklus heat treatment pada proses penambahan lapisan. Lapisan dikarakterisasi dengan XRD dan SEM guna melihat mikrostruktur serta morfologi yang terbentuk. Parameter sintesis lapisan didapatkan pada lapisan BTO/BZT dengan kecepatan putar 3000 rpm dengan proses pemanasan (1 Siklus). Terjadi peningkatan crystallite size yang sebanding dengan peningkatan kristalinitas pada lapisan dengan proses pemanasan (1Siklus). Crystallite size yang didapatkan kisaran diameter 42-48 nm.

A multilayered material Barium Titanate (BaTiO3)/Barium Zirconium Titanate (BaZrTiO3) has been successfully grown on a silicon substrate. The aforementioned layer was synthesized employing the Chemical Solution Deposition method and Spin Coating method. Temperature cycle variation was conducted within the synthesis process of the layer addition process. The layer was characterized using XRD and SEM in order to observe the microstructure and the morphology of the newly added layer. Layer formation of BTO has been optimized at 3000 rpm in one temperature cycle. There was a proportional increase of crystallite size in respect to the increase in the crystalinity of the layer within one temperature cycle. Crystallite size obtained ranges from 42-48nm in diameter."
Depok: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Indonesia, 2016
S62055
UI - Skripsi Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Samuel Raja
"Lapisan Zinc oxide dideposisikan diatas substrat silikon (Si) dan Indium Tin Oxide (ITO) menggunakan metode spin-coating. Prekursor yang dipilih adalah Zinc Acetate Dihydrate yang dilarutkan dalam 3 jenis pelarut yang berbeda-beda yaitu etilen glikol, aqua bides, dan aqua bides - etilen glikol. Setelah pendeposisian pada 2000 rpm selama 20 detik, lapisan diberi perlakuan panas yaitu drying pada 100°C dan suhu annealing pada temperature 500°C untuk membentuk 5 lapis ZnO dari setiap sampel.
Hasil dari pengujian X-Ray diffraction (XRD) dari sampel lapisan dengan 3 jenis larutan yang berbeda menunjukkan hasil struktur kristal yang sama yaitu heksagonal dengan parameter kisi yang berbeda-beda untuk setiap jenis pelarut dengan parameter kisi a=b≠c, namun berbeda nilai parameter untuk setiap pelarut berbeda. Sifat optis diinvestigasi dengan Uv-visible diffuse reflectance, dan energi band gap didapatkan. Hasil dari scanning electron microscopy (SEM) menginvestigasi morfologi lapisan dari pelarut yang berbeda. Sintesis dengan berbeda-beda pelarut menunjukkan pengaruh pada struktur dan sifat optis dari lapisan ZnO.

Zinc oxide Films were deposited on the substrate Silicon (Si) and Indium Tin Oxide (ITO) with a spin-coating method. Preferred precursor was Zinc Acetate Dihydrate dissolved in three different solvents ethylene glycol, aqua bidest, and aqua bidest - ethylene glycol. After deposited at 2000 rpm for 20 seconds, the films were dried at 100°C and annealed at 500°C in furnace for five layers each samples.
Results of X-ray diffraction (XRD) of 3 solvents showed the same crystal structure which was hexagonal, with lattice parameters a = b ≠ c were different for each solvent. Optical properties was investigated with Uv-visible diffuse reflectance, and so the band gap energy was achieved The results of scanning electron microscopy (SEM) investigated the morphology thin films of
"
Depok: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Indonesia, 2015
S62321
UI - Skripsi Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Rachmat Andika
"Barium Titanate telah diketahui memiliki karakteristik yang dapat dimanfaatkan dalam berbagai aplikasi. Barium Titanate merupakan material dielektrik non-linier yang bebas dari kandungan Plumbum. Konstanta dielektrik dan permitivitas yang tinggi dibandingkan material ferroelektrik lain dan adanya arus bocor yang relatif tinggi menjadikan barium titanate menarik untuk diteliti lebih lanjut. Ion Zirconium merupakan substituent efektif Barium Titanate untuk mengurangi arus bocor dikarenakan ion Zirconium cenderung lebih stabil dibandingkan ion Titanium.
Lapisan tipis barium titanate yang disubstitusi dengan ion Zr(0,08 dan 0,1) dihasilkan melalui metode Chemical Solution Deposition yang dilanjutkan melalui spin coating dan perlakuan panas. Larutan BaZrTiO3 dideposisikan pada substrat Si hingga 3-5 lapisan dengan kecepatan putar 3000 rpm selama 30 s dilanjutkan dengan pirolisis pada 300°C dan annealing pada 700°C-800°C. Karakterisasi pada lapisan tipis BZT menitikberatkan pada sifat kristalografi melalui XRD dan uji histerisis. Uji histerisis dilakukan dengan sumber tegangan AC dengan 20 Vpp pada frekuensi 60 Hz.
Pola XRD menunjukkan adanya peningkatan ukuran kristalit terbesar pada 800°C sekitar 113 nm dengan menggunakan metode Williamson-Hall. Perbedaan Zr pada struktur BaTiO3 menggeser bidang hkl pada 2θ. Dengan jumlah lapisan BaZrTiO3 meningkat, polarisasi pada histerisis ferroelektrik cenderung tetap.

Barium Titanate is well known materials for many applications. It is nonlinear dielectric material and lead free based material, then this material is enviromental friendly. High dielectric constant and permitivity compared with other ferroelectric materials dan the high leakage current make barium titanate more interesting for further development. Zirconium ion is effective substituent of Barium Titanate to reduce leakage current. This is possible because Zirconium ion more stable than Titanium ion.
Barium Titanate thin films Zr-doped(0.08 and 0.1 mol) is produced by Chemical Solution Deposition and continued by spin coating and heat treatment. BaZrTiO3 solution 0.5M is deposited on Si substrate 3-5 layers with rotational speed up to 3000 rpm for 30 s then it was treated by pyrolisis on 300°C and annealing 700°C-900°C. BZT thin films is charaterized by XRD to know its crystallographic properties and hysterisis testing. Hysterisis loop is made by using AC voltage source with 20 Vpp at frequency of 60 Hz.
The XRD curves showed that crystalite size, based on Williamson-Hall calculation, is calculated around 113 nm for heat treatment 800°C. The different of Zr substitution in BaTiO3 structure shifted hkl plane on 2θ. Multilayer of BaZrTiO3 films on 0.1 Zr increase saturate polarization and decrease coersive field. In this case ferroelectric properties of BaZrTiO3 thin films increase, in contrary the low coersive field showed that easily loses its ferroelectric properties.
"
Depok: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Indonesia, 2013
T35080
UI - Tesis Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Yofentina Iriani
"ABSTRAK
Penumbuhan lapisan tipis Barium Strontium Titanat (Ba1-xSrxTiO3) dengan berbagai doping telah berhasil dilakukan di atas substrat Pt/Si menggunakan metode Chemical Solution Deposition yang disiapkan dengan spin coating. Ada tiga tahap penting dalam pembuatan lapisan tipis dengan metode ini yaitu pembuatan Iarutan, proses spin coating, dan proses annealing. Optimalisasi parameter-parameter yang terkait dengan proses pembuatan lapisan tipis telah dilakukan yang meliputi jenis substrat, jumlah lapisan, kecepatan dan waktu putar pada proses spin coating, suhu dan waktu annealing, heating rare.
Optimalisasi parameter penumbuhan lapisan tipis Ba1-xSrxTiO3 di atas substrat yang disiapkan dengan spin coater adalah keoepatan putar saat proses spin coating, 3000 rpm selama 30 detik dengan suhu annealing 800°C selama 3 jam dengan heating rare 2°C/menit. Pada variasi berbagai ion dopan yang diberikan pada BST didapatkan lanthanum merupakan ion dopan yang sangat baik untuk meningkatkan sifat ferroelektrik untuk aplikasi memori karena dengan pemberian 1% mol dopan lanthanum bisa menaikkan polarisasi remanen sekitar 37% dan menurunkan medan koersif sekitar 0,8%.

ABSTRACT
Barium Srontium Titanate thin films (Ba1-xSrxTiO3) with variation ion dopant have been developed on Pt/Si substrates by using Chemical Solution Deposition method followed by spin coating. There are three steps for deposition of thin films: solvent preparation, spin coating process, and annealing process. Optimalisation of the parameters related to the dcpostion of thin films process have been done by varying the substrates, quantity of layers, angular velocity and time of spin coating process, temperature and time of annealing, and the heating rate.
The optitmnn parameters of Ba1-xSrxTiO3; thin film deposition on substrate Pt/Si was found at 3000 rpm angular velocity of spin coating process for 30 second at annealing temperature 800°C for 3 hours with heating rate 2°C/menit. On varying the ion dopant given on BST, lanthanum was found to be the best ion dopant to increase ferroelectric properties for memory application, here 1% mol dopant lanthanum can increase remanen polarization approximately 37% and reduce coersif field approximately 0,8%."
Depok: 2009
D1227
UI - Disertasi Open  Universitas Indonesia Library
cover
Septian Rahmat Adnan
"Lapisan tipis Barium Zirkonium Titanat (BaZrxTi1-xO3) dengan doping lantanum telah berhasil ditumbuhkan diatas substrat Pt/Si denga metode sol gel yang dilanjutkan dengan spin coating. Proses yang dilakukan dalam pembuatan lapisan tipis terdiri dari tiga tahap yaitu, pembuatan larutan, proses spin coating, dan proses annealing. Beberapa parameter ditetapkan untuk mendapatkan optimalisasi proses pembuatan lapisan tipis yang meliput jenis substrat, jumlah lapisan, dan temperatur annealing. Optimalisasi didapatkan pada lapisan tipis yang tumbuh pada susbtrat Pt/Si dengan temperatur annealing 800°C. Tingkat kekristalan dan polarisasi listrik spontan optimal pada lapisan tipis BZT didapatkan pada komposisi BaZr0.1Ti0.9O3. Pada variasi jumlah mol dopan didapatkan polarisasi listrik spontan optimum pada 1% mol dopan dengan nilai polarisasi listrik spontan 25 μC/cm2.

Barium Zirconium Titanate thin films (BaZrxTi1-xO3) doped by lanthanum have been developed in Pt/Si substrates by using sol gel method followed by spin coating. Process was done by three steps which are solvent preparation, spin coating, and annealing process. Optimum parameters were done by varying substrate, quantity of layers, and annealing temperature. The optimum parameters of BZT thin film was found on 800°C for temperature of annealing process, the optimum crystalline film and electrical spontaneous polarization was found on BaZr0.1Ti0.9O3 and doped by 1% mol of lanthanum."
Depok: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Indonesia, 2012
S1925
UI - Skripsi Open  Universitas Indonesia Library
cover
Yudha Pratama Putra
"Barium Titanate merupakan material feroelektrik dengan konstanta dielektrik yang tinggi, sehingga berpotensi untuk diterapkan menjadi berbagai jenis alat. Namun, Barium Titanate masih mempunyai kelemahan, yaitu terjadinya dielectric loss yang akan menurunkan efisiensi kinerjanya. Pada penelitian ini, dilakukan sintesis Barium Titanate berbentuk film menggunakan metode spin coating. Preparasi dilakukan untuk menghasilkan larutan 0,2 molar, 0,3 molar dan 0,4 molar. Pelapisan dilakukan menggunakan spin coating dengan kecepatan 4000 RPM selama 40 detik untuk membuat lapisan sebanyak 2, 4 dan 6 lapis. Dari penelitian ini diketahui, jika semakin besar konsentrasi dan jumlah lapisan, maka akan semakin besar kapasitansinya, namun akan semakin cenderung terjadi crack.

Barium Titanate is ferroelectric materials with high dielectric constant, so that potential to be applied into many devices. However, Barium Titanate still has weakness, i.e. dielectric loss that will lowering the work's efficiency. In this study, Barium Titanate was synthesized onto film by spin coating method. The preparations were done to produce 0,2 molar, 0,3 molar and 0,4 molar solutions. The coatings were done by spin coating with 4000 RPM speed for 40 seconds to produce 2, 4 and 6 layers. This study found that increasing in concentration and number of layer resulting in increasing of capacitance, yet also increasing the tendency to be cracked.
"
Depok: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Indonesia, 2015
S60029
UI - Skripsi Membership  Universitas Indonesia Library
cover
Nasution, Zulkarnain
"Telah dilakukan analisa mengenai pengaruh penambahan 0.5 inol berat Mn terhadap fasa dan Struktur kristal barium titanat (BaTiO:,). Cuplikan diperoleh dengan metoda metalurgi serbuk dengan bahan dasar BaCQ-,. MnO_, dan FiO: yang merupakan grade reagen dari E-Merck, dengan perbandingun masing-masing 1 : 0,5 : 0,5. Difraktogram sinar-X dengan A, (Co K.O.) "= 1,7889 A dan scan secara kontinu pada temperatur kamar dianalisis menggunakan program kristalografi GSAS. Analisis struktur metnperlihatkan bahwa bahan terdiri dari 5 (lima) fasa, BaMn05Ti05O3 sebagai fasa utama dengan grup ruaiig P4mm, parameter kisi a dan c masing-masing 3,999 A dan 4,025 A, faktor pencocokan (i educed x ) =- 2,175 dan 45 variabel. Sedangkan 4 (empat ) fasa pengotor tersebut masing-masing memiliki fraksi berat yaitu BaCO., (45,83%); MnO2 (8.47%); TiO: (20,36%) dan MmTi: (6,75%) masing-masing dengan grup ruang Pnma, P 42/mnm, Pbca dan P 63/mmc.

The effect of 0.5 weight mol Mn on phase and crystal structure of barium titanate has been analyzed. The best sampel in this study were synthesized using powder metallurgy with stoichiometric amounts of BaCCh, MnO2 and TiO2 that were reagents from E-Merck. The X-ray diffractograms which were obtained with continuous counts and X (Co Ka) = 1.7889 A at room temperature, were refined using the crystallographic software package GSAS. Structural analysis shows that sample consists of 5 (five) phase where the crystal is BaMni,5Ti()5O:, with the perovs kHe-type BaTiO, structure, the space group tetragonal P4mm, a = 3.999 A, t- - 4.025 A. the goodness of fit £ is of 2.175 with 45 variables and the residual parameters Rp and Rwp are of 18.8% and 24.2% respectively. The four phase impurity has a weight fraction is BaCO, (45.83%); MnO, (8.47%); TiO: (20,36%) and Mn:,Ti2 (6,75%) with the space group each are Pnma. P 42/mnm, 1 41/amd and P 63/mmc."
1999
JIRM-1-3-Des1999-46
Artikel Jurnal  Universitas Indonesia Library
cover
cover
Septian Rahmat Adnan
"ABSTRAK
Model dinamis Landau Khalatnikov di gunakan untuk mempelajari energi bebas Gibbs
dan kurva histeresis lapisan tipis Barium Zirkonium Titanat (BZT) dengan doping Lantanum dan
Indium. Model statis Landau Devonshire juga di pelajari dengan bahan yang sama. Hasil model
digambarkan dan dianalisis menggunakan pogram Delphi 6 buatan mandiri yang dijalankan pada
Windows. Kedua hasil model dibandingkan dengan kurva hasil eksperimen yang diukur
menggunakan rangkaian Sawyer-Tower. Hasil kesesuaian model dan eksperimen di tunjukan
oleh R-Weighted Pattern (Rwp), yang merupakan perhitungan satistik untuk menunjukan
kesalahan. Beberapa parameter seperti frekuensi, amplitudo medan listrik dan faktor skala
divariasikan untuk merubah model secara halus. Hasil menunjukan nilai Rwp kurang dari 10%
menunjukan model cukup memuaskan.

ABSTRACT
Dynamic Landau Khalatnikov model is utilized to study Gibbs free energy and hysteresis
curves of Barium Zirconium Titanate (BZT) thin films doped by Lanthanum and Indium. The
static Landau-Devonshire was also explored for the same cases. The model is plotted and
analysed using home made Delphi 6 program running on Windows platform. Both model is the
compared with the experimental hysteresis curves which were measured by using Sawyer-Tower
circuit. The matching of the model and experiment is indicated by R-Weighted Pattern (Rwp),
which is a statistical number to indicate the discrepancy. By varying the adjustable parameters
such as frequency, energy amplitude and scale factor to model was slowly modified. The results
showed that Rwp was less than 10% that indicates the model is satisfactory."
Depok: Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Indonesia, 2014
T39126
UI - Tesis Membership  Universitas Indonesia Library
cover
V. Sunarwati S.
1992
S29863
UI - Skripsi Membership  Universitas Indonesia Library
<<   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10   >>