Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Film tipis timah selenida telah disediakan dengan metode selenisasi tertutup. Pengukuran arus bolak-balik untuk contoh struktur terapit dengan elektroda aluminium (A11SnSe/A1) dilakukan di dalam kriostat pada suhu (228373)°K. Parameter yang diukur acialah kapasitansi, lesapan dielektrik dan konduktansi untuk jangkauan frekuensi (5-200) kHz. Pada frekuensi kurang dari 50 kHz, kapasitansi berkurang terhadap frekuensi dan bertambah mengikut suhu, sedangkan pada frekuensi lebih dari 50 kHz kapasitansi hampir konstan. Kurva lesapan dielektrik diperoleh mencapai minimum pada frekuensi lebih kurang 100 kHz dan bertambah mengikut suhu. Konduktivitas arus bolak-balik bertambah mengikut frekuensi dan suhu dengan konstanta dielektrik 12,13."

"Lead Selenide (PbSe) thin film of 5765 A thickness had been deposited by thermal evaporation in vacuum system and characterised in Physics Laboratories at FMIPA UI Depok. Optical characterisation is done with spectrophotometer MR. Using the Hishikawa method, applied in a computer program, will yield optical parameters such as index of refraction (n), extinction coefficient (k), absorption coefficient (a) and energy gap (Eg). Electrical characterisation is done by measuring the conductivity toward the temperature between 15 - 300 K, Hall Effect, energy gap, density of conduction electrons (N), and mobility (µ). The result shows a not allowed direct transition semiconductor. Different results for the band gap width is recorded between the optical and the electrical methods.

---

Dibuat lapisan tipis PbSe di atas substrat kaca, dengan tehnik pelapisan evaporasi termal dalam sistem vakum dengan ketebalan 5765 A, di laboratorium Fisika FMIPA Ul Depok. Dilakukan karakterisasi optis dengan alat spektrofotomer NIR. Dengan menggunakan metode Hishikawa yang dibuat menjadi suatu program komputer, diperoleh parameter-parameter optis seperti indeks bias (n), koefisien absorpsi (ac) dan konstanta peredaman (k) serta lebar pita terlarang (E9). Karakterisasi listrik dilakukan dengan pengukuran konduktivitas terhadap temperatur antara 15 - 300 K, pengukuran tegangan Hall (VH), menentukan lebar pita terlarang dan kerapatan pembawa muatan (N) serta mobilitas (p.). Hasilnya menunjukkan suatu semikonduktor transisi Iangsung yang tidak diijinkan. Terdapat perbedaan hasil penentuan lebar pita terlarang antara metode optis dan listrik."

"PendahuluanPada Penelitian RUT IX tahun I, telah dilakukan penumbuhan film tipis pyroelektrik PbZro.525Ti0,475O3 (PZT) dengan teknik spin coating dan karakterisasinya mencakup struktur mikro dengan teknik XRD, morfologi permukaan dengan teknik SEM, nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang tcrperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter serta nilai konduktivitas bahan dengan teknik I-V meter. Struktur kristal dari bulk dan film tipis PZT telah dipelajari secara mendalam dengan mengolah data XRD yang dilakukan pada Lab. XRD program studi Ilmu Material UI Salemba untuk memperoleh nilai konstanta kisi, Full width Half Maximum (FWHM) kristal dan ukuran butiran (grain size). Nilai polarisasi spontan dari PZT jugs dikaji secara teoritis. Struktur film tipis pyroeletrik yang dikembangkan berbentuk MOS (Metal = alumunim; Oksida = PZT; Semikonduktor = Si) dan kapasitor keping sejajar MOM (Metal = alumunium; Oksida = PZT; Metal = Platinum) dengan luas keping elektrode antara 0,25 mm2 - 1 mm2. 1.2. Permasalahan Pembuatan kapasitor berfungsi sebagai penyimpan muatan. Kapasitor memerlukan bahan ferroelektik dan pyroelektrik sebagai bahan dielektrik. Bahan pyroelektrik PZT yang dikaji dalam penelitian ini sangat sesuai sebagai bahan dielektrik kapasitor memori. Keunggulan pyroelektrik PZT adalah karena memiliki tetapan dielektrik yang cukup tinggi. Bahan ferroeletrik dan pyroelektrik PZT ini dapat terpolarisasi secara spontan dengan membalik arah medan listrik yang dikenakan pada bahan PZT. Masalah yang ada pada bahan ferroelektrik dan pyroelektrik PET adalah masih tingginya tingkat kebocoran arus. Mekanisme kebocoran arus pada bahan ferroelektrik disebabkan oleh kekosongan oksigen. Untuk menghindari masalah ini dilakukan penambahan kadar oksigen pada waktu melakukan proses annealing film tipis. Masalah yang dikaji dalam penelitian ini adalah : 1. mengoptimalisasi parameter penumbuhan film tipis PbZru,s3'Eiu,4703 di atas subtrat Si (100) dan Si(E00)/SiO21TiO2IPt (200) dengan metode Spin Coatiiig. 2. mempelajari karakterisasi film tipis PbZro,52sTia,47503 melalui pengujian struktur permukaan film tipis dengan difraksi sinar-X (XRD) dan SEMIEDAX, uji sifat listrik berupa resistiuilas dan konduktivitas dengan I-V meter, serta uji nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang terperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter?"

"Ekstratksi tin dari sumber sekunder terbukti menjadi alternatif yang atraktif melihat dari permintaan produksi timah yang terus bertumbuh. Terak timah, yang tergolong sumber sekunder, masih menyisakan timah oksida sekitar 1 sampai 3%. Literature studi menunjukkan, untuk melakukan leaching dari terak timah secara efektif, formasi silica gel harus di cegah, oleh karenanya asam oksalat dipilih. Empat parameter leaching, konsentrasi asam oksalat, waktu, temperature, dan rasio, dipilih untuk mengekstrak tin (sebagai target) beserta titanium, tantalum, dan niobium. Eksperimen menunjukan, bahwa parameter leaching paling optimum berada di 24 jam waktu leaching, pada 50?C dan 10% rasio cairan dan solid.

---

Recovering tin from secondary resource proves to be an attractive alternative tin resource to help satisfy the ever-growing tin demands. Tin slag, considered as a secondary resource, still consist of tin in the form of oxides approximately 1 – 3%. Studies found that in order to leach tin slag effectively the formation of silica gel has to be prevented, hence oxalic acid was chosen as the leaching reagent for the study. Four leaching parameters, oxalic acid concentration, leaching time, leaching temperature and solid liquid ratio, were tested through the experiment to extract tin as the primary metal, along with titanium, tantalum and niobium. The experiment concluded that the optimum leaching time is at 24 hours with a temperature of 50?C at 10% solid/liquid ratio."

"Film tipis ZnO telah dideposisi dengan metode evaporasi termal. Film tipis dideposisi di atas substrat kaca pada laju deposisi 4, 6 dan 8 A/s serta dianil di udara pada temperatur 200, 300 don 400 °C selama 1 jam. Parameter optis ditentukan dari spektrum rejlektansi dan transmitansi dengan menggunakan fungsi minimal. Hasil yang diperoleh adalah indeks bias riil n dan koefisien absorpsi a cenderung berkurang dengan bertambahnya laju deposisi dan temperatur anil. Lebar gap optis juga menunjukkan kecenderungan berkurang dengan bertambahnya laju deposisi, sedangkan variasi temperatur anil memberikan pengaruh yang berbeda pada labar gap. Pada temperatur anil 200 °C lebar gap bertambah besar tapi setelah dianil 300 dan -100 °C lebar gap cenderung makin berkurang. Sedangkan dari pengamatan menggunakan XRD diketahui hahwa film tipis ZnO yang dihasilkan berstruktur amorf"