Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dibuat lapisan tipis CdS dengan metode koevaporasi CdS dan S dan telah diuji dengan XRD, UV-VIS Spectrophotometer, dan pengukuran hambatan. Lapisan yang terbentuk dipengaruhi beberapa parameter seperti, temperatur substrat, jarak antara sumber dan substrat, dan jarak antara sumber CdS dan sumber S. Hasil XRD menunjukkan bahwa lapisan yang terbentuk adalah CdS dengan preferred orientation pada bidang (0002}, dengan struktur hexagonal. Perlakuan panas yang diberikan pada temperatur 200°C di ruang vakum akan menurunkan besar hambatan, dan menaikkan respon terhadap cahaya."

"Jika dua bahan semikonduktor yang tidak sama digabungkan, sambungannya disebut heterojunction. Karena kedua bahan semikonduktor tersebut mempunyai bandgap yang berbeda, akan terjadi diskontinuitas energi pada persambungannya. Sambungan yang terbentuk dapat berupa sambungan abrupt atau graded. Sambungan abrupt terjadi jika perubahan dari satu bahan ke bahan lainnya terjadi secara tiba-tiba, sedangkan sambungan graded terjadi jika perubahan dari bahan satu ke bahan lainnya terjadi secara perlahan-lahan. Pada penelitian ini dibuat rancangan HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) Si/SiGe sambungan abrupt yang dapat memberikan frekuensi transit (fT) dan penguatan arus yang optimum. Untuk memperoleh frekuensi transit tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=I01 S cm-3, NB=5.1019cm"3, dan WE=-50 nm. Lebar basis W8 dibuat bervariasi antara 10 - 50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mol Ge dibuat bervariasi antara 0.15 sarnpai 0.25 dengan kenaikan 0.025. Dalam perancangan digunakan model HBT yang memasukkan mekanisme drift, difusi dan emisi termionik. Model tersebut juga digunakan untuk menentukan densitas arus basis, arus kolektor dan penguatan arus untuk lebar basis dan fraksi mol Ge yang bervariasi. Hasil perhitungan menunjukkan bahwa pada HBT yang diteliti komponen arus emisi termionik sekitar 2.8 sampai 4.2 kali lebih besar dibanding dengan anus drift-difusi. Pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan N E.--1018 cm-3, NB=5.109 cm 3, WE=50 nm, dan x .25 dapat meninakatkan frekuensi transit dari 52 GHz menjadi 178 GHz, sedangkan besarnya penguatan arus untuk WB=1O nm adalah 312 kali.

---

When two different semiconductor materials are used to form a junction, the junction is called a heterojunction. Since the two materials used to form a heterojunction will have different bandgaps, the energy band will have a discontinuity at the junction interface. The type of the junction could be an abrupt or graded junction. In abrupt junction, the semiconductor changes abruptly from one material to the other material. on the other.hand in graded junction, the composition of materials are graded.

In this work, we designed abrupt junction Si/SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) with optimum transit frequency VT) and current gain. To achieve that transit frquency, the divals structure model with NE=1418 cm 3, Na 5.1019cm 3, and WE-50 nm is used. Base width WS was changed between 10 - 50 run with 10 nm increment and the Ge mole fraksi was between 0.15 - 0,25 with 0.025 increment. The model of HBT which include the drift, difussion and thermionic emission is used. The HBT model is also used to calculate the base and collector current density and the current gain for variable base width and Ge mole fraction.

The result show that the thermionic emission current is 2.8 until 4.2 times higher than the drift-difussion current. If base width is decreased from 50 nm to 10 nm of an HBT with NE=1018 cm-3, N8=5.1019 cm-3, WE=50 nm, and x=0.25 , the transit frequency is increased from 52 GHz to 178 GHz. The current gain for WB= 10 nm is 312 times larger."

"Pada pembuatan transistor di industri semikonduktor sering terjadi gagal produksi dalam penyambungan benang emas dari chip ke lead frame (proses bonding), yaitu benang emas tersebut tidak menempel ataupun kekuatan tariknya rendah.Tujuan dalam penelilian ini adalah meningkatkan kualitas dad penyambungan benang emas tersebut, dimana pada akhimya akan memperkecil terjadinya gagal produksi. Hal yang dilakukan adalah menghitung dan mencari waktu perpindahan kalor dan waktu bonding yang sesuai dan tepat.Dari penelitian yang dilakukan maka diperoleh waktu bonding yang tepat yaitu pada jarak bonding 600 pm dan kecepatan bonding 10 mm/detik, dan diharapkan kualitas penyambungan benang emas pada produk transistor menjadi lebih baik."

"Industri semikonduktor, sebagai industri penting dalam ekonomi global, menghadapi berbagai tantangan termasuk tensi global yang mengganggu rantai suplai. Indonesia, meskipun kaya akan sumber daya, mengalami stagnasi dalam kemampuan produksinya. Pemerintah Indonesia berkomitmen untuk mempercepat pembangunan ekosistem semikonduktor. Tantangan utama dalam pengembangan industri semikonduktor di Indonesia adalah regulasi pemerintah, kondisi sumber daya manusia (SDM), dan belum adanya ekosistem yang mendukung.Kurangnya SDM yang terampil menghambat perkembangan industri semikonduktor. Adopsi teknologi penting namun tidak bisa menjadi solusi yang berkelanjutan. Diperlukan penelitian mengenai komposisi efektif antara penggunaan tenaga kerja manusia dan adopsi teknologi dalam industri semikonduktor, Penelitian ini bertujuan untuk merancang model simulasi yang dapat memberikan komposisi optimal bagi produksi smartcard pada PT X sehingga pemilik kepentingan dari PT X dapat meningkatkan kemampuan produksi dengan kapasitas tertentu dan mengurangi jumlah sumber daya yang tidak diperlukan. Metode sistem diskrit yang digunakan dalam penelitian dapat menggambarkan dan memberikan evaluasi terhadap proses produksi berdasarkan sistem pada keadaan nyata. Penelitian ini menunjukan bahwa pemetaan sumber daya yang optimal dapat dilakukan dengan menggunakan skenario yang didasarkan oleh pendekatan systematic layout planning untuk meningkatkan tingkat utilisasi dalam berbagai kapasitas. Skenario yang diuji berdasarkan tiga tingkat kapasitas adalah dalam keadaan sekarang, meningkat sesuai prediksi pertumbuhan produk, dan kapasitas maksimal dalam skenario pendekatan systematic layout planning dan pendekatan systematic layout planning yang dipadukan dengan pengurangan jumlah mesin dan pekerja.

---

The semiconductor industry, as a crucial sector in the global economy, faces various challenges, including global tensions that disrupt supply chains. Despite being rich in resources, Indonesia experiences stagnation in its production capabilities. The Indonesian government is committed to accelerating the development of the semiconductor ecosystem The main challenges in developing the semiconductor industry in Indonesia are government regulations, the condition of human resources (HR), and the lack of a supporting ecosystem.The shortage of skilled HR hampers the development of the semiconductor industry. While the adoption of technology is important, it cannot be a sustainable solution. Research is needed to determine the effective composition between human labor and technology adoption in the semiconductor industry. This research aims to design a simulation model that can provide an optimal composition for smartcard production at PT X, allowing stakeholders at PT X to enhance production capabilities with certain capacities and reduce unnecessary resources. The discrete event system method used in this research can describe and evaluate the production process based on real-world conditions. This study shows that optimal resource mapping can be achieved using scenarios based on a systematic layout planning approach to increase the utilization rate across various capacities. The scenarios tested are based on three capacity levels: the current state, growth predictions, and maximum capacity in scenarios using systematic layout planning and systematic layout planning combined with the reduction of machines and workers."

"Pada artikel ini dibahas mengenai pengaruh Mole fraction (x) dan Profil germanium pada basis SiGe HBT terhadap unjuk kerja Frekuensi dan Noise Figure (Fn) devais. Model parameter HBT SiGe ditentukan AE0,25  10  m2, WE10 nm, WB 40 nm, WC 350 nm, NE1021cm-3, dan NB 10 19 cm-3.Dari hasil analisa dapat disimpulkan bahwa profil Ge segiempat dengan mole fraction (x) 0.05 menghasilkan current gain dc (βdc), fT dan fmaks terbesar yaitu 149, 109 GHz dan 116 GHz dibanding profil trapesium yang bernilai 140, 103 GHz dan 109 dan segitiga bernilai 136, 103 GHz dan 109 GHz. Ketika mole fraction (x) dinaikkan menjadi dua (2) kali current gain dc (βdc),fTdan fmaks untuk profil segiempat naik masing-masing 39%, 4% dan 3% sedangkan untuk trapesium menjadi 39%, 4% dan 0%. Profil Ge segiempat mempunyai nilai Noise Figure (Fn) terendah yaitu 0.0964 dB, dibandingkan profil trapesium dan segitiga yaitu 0.108561 dB dan 0.1278 dB, ketika mole fraction (x) dinaikkan dua kali, maka Fn akan naik sebesar 45 % untuk profil segiempat dan 16% untuk profil trapesium.

---

This paper investigates effect of fraction mole (x) and germanium profile on the Frequency Response and Noise Figure Performance (Fn) of SiGe HBTs. The model are quantified from HBT SiGe IBM model first generation with an parameter AE0,25 10m2WE10 nm, WB40 nm, WC350 nm, NE1021cm-3, dan NB1019cm - 3.We conclude that a SiGe HBT with fraction mole (x) 0.05 and profile Germanium is square deliver the current gain dc (βdc), fT dan fmaks are optimal i.e 149, 109 GHz dan 116 GHz just than the profile Trapezoid i.e 136, 103 GHz dan 109 GHz. When fraction mole (x) is raised twice, the current gain dc (βdc), fTdan fmaks increased 39%, 4% dan 3% for the square profile whereas the trapezoid profile increased 39%, 4% dan 0%. The Square profile of Germanium is optimum for Noise Figure (Fn) i.e 0.0964 dB lower than the profile of germanium trapezoid and triangle given the value 0.108561 dB and 0.12 78 dB."

"Penelitian pada tesis ini di bidang divais fotonik diutamakan pada pabrikasi dan karakterisasi dari bahan dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dengan panjang gelombang 1,55 µm, yang tidak lain adalah sama dengan bahan dasar untuk laser semikonduktor.Pada rancang bangun penguat optik dibuat struktur lapisan yang menghasilkan moda tunggal yang terdiri dan 4 buah lapisan GaInAsP, masing-masing 2 lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,17 pm, lapisan aktif dengan 1,55 pm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1,3 gm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang dengan ketebalan 0,25 gm, lapisan aktif 0,19 pm dan lapisan ACU 0,19 gm. Di tumbuhankan dengan menggunakan LPE (Liquid Phase Epitaxy) yaitu penumbuhan yang dilakukan pada saat kristal dalam keadaan fasa cair dengan teknik penumbuhan Two-Phase Solution. Bahan InP, GaAs, InAs sebagai bahan sumber ditumbuhkan diatas substrat InP, membentuk struktur lapisan DH (Double Heterostructure) instrinsik tujuh lapisan dan melalui proses lanjutan dapat dibuat menjadi penguat optik atau diode laser sernikonduktor GaInAsP/InP 1,55 µm.Struktur dasar GaInAsP/InP untuk penguat optik dibuat dengan proses penumbuhan, yang dimulai dengan menyentuhkan larutan kristal Indium pada sampel substrat, kemudian dilakukan penumbuhan lapian dengan menyentuhkan larutan kristal secara berurutan diatas sampel substrat. Proses penumbuhan dilakukan tiga tahapan, yaitu : tahapan pendahuluan, tahapan pembentukan pandu gelombang dan tahapan pembentukan struktur DH (Double Heterostucture). Ketebalan lapisan dapat diatur dengan memvariasi suhu peleburan dan waktu penumbuhan. Karakterisasi ketebalan lapisan dilakukan dengan menggunakan SEM, dan Pengukuran panjang gelombang dilakukan dengan photoluminescence, dengan cara menembakkan laser pada pennukaan sampel. Emisi pandu gelombang diterima, direkam menggunakan optical spectrum analyzer (OSA).

---

This research is focused on photonic devices particularly on fabrication and characteristic of 1.55 gm GaInAsP/InP semiconductor laser materials for an optical amplifier.

The Optical amplifier was designed for a single-mode laser. This layers contains of four layers where two of them ar ,used as 1,17 p.m wave guide and the other are applied as a 1,55 µm active layer and a 1,3 gm anti melt back (AMB) layer. The layers were growth by designing 0.25 gm wave guiding layer thickness, 0,19 gm active layer thickness, and 0.19 gm AMB layer thickness. The layers was grow by LPE (Liquid Phase Epitaxy) with The Two Phase Solution growing technique. Source material InP, GaAs, InAs was grown on InP substrate, form seven layers of intrinsic DH and then via further process, these layers structure ca be made as an optical amplifier or a semiconductor laser diode of 1.55 gm GaInAsPfInP .

The basic structure was made by touching an indium crystal on a sample substrate. Then , some layers were growth by touching other crystal solution consecutively on the sample substrate. The growth process was three step of growth i.e: in the first place of growth, growth of wave guide and growth of DH. The thickness of any layers was arranged by varying the melting temperature and the growth time. The thickness characterization of the layer was carried out by SEM and the wave length measurement was executed by shooting a laser on the sample surface. The emission of the wave guides was received and recorded by an optical spectrum analyzer."

"Dalam Skripsi ini dirancang sebuah SSIMT (Suppressed Sidewall Injection Magnetotransistor) dengan kolektor berbentuk L, dilengkapl dengan analisa teoritis dan analisa basil simulasi dengan program komputer serta karakteristik kerjanya. Studi yang masih teibatas di bidang sensor magnetik Magnetotransistor lnl mendorong perlunya dlambll beberapa asumsi untuk menyederhanakan proses anallsa.Hasil analisa teoritis yang disimulasikan dengan program Komputer MathCad Plus 6 menunjukkan bahwa disain SSIMT Ini memililh sensitivitas tinggi untuk medan magnet kecil, sampai sekitar 800 mT untuk arus basis 7mA. Untuk jangkauan sampai 30 mT, sensitivitas alat dapat mencapai 2300 %/Tesla, suatu nilai yang tinggi untuk sensor medan magnet.Dalam skripsi ini dibahas parameter yang menentukan sensitivitas divals dan daerah Jangkauan medan magnet yang diukur. Perbandingan disain SSIMT dengan kolektor L IN dengan acuan lain menunjukkan bahwa sensor IN memiliki sensitivitas relatif yang lebih rendah namun daerah kerja linier yang lebih luas."

"ABSTRAKPada Skripsi ini akan dibahas analisa disain divais menggunakan laser dioda dan Heterojunction Phototransistor yang berfungsi sebagai Light to Light Transducer. Latar belakang teori dan prinsip kerja dari laser Diode dan Heterojunction Phototransistor serta disain transduser juga akan dibahas pada Skripsi ini. Transduser melakukan pendeteksian cahaya, mengubah besaran optis ke dalam besaran listrik, diperkuat dan oleh Laser Dioda dipancarkan lagi sebagai besaran optis yang juga telah diperkuat, koheren dan monokromatis. Transduser ini dapat didisain dengan integrasi langsung secara vertikal dan Laser Diode dengan Phototransistor berbahan GaAs dengan dimensi 210 x 290 m2 dan penguatan maksimal 250 kali. Perhitungan dan analisa dilakukan pada daerah operasi panjang Gelombang 0.8-1.3 μm dan daya input 0-100 μW. Model preliminary Rangkaian yang dianggap dapat mewakili karakteristik struktur divais yang dirancang juga dibahas untuk mempermudah menganalisa dan memperhitungkan karakteristik divais.

---

"