Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Penumbuhan ingot kristal tunggal CIS dengan metode Bridgman yang menggunakan tungku zona ganda (double zone) dan bahan dasarnya ingot poli kristal, dihasilkan dengan metode Bridgman yang menggunakan tungku zona tunggal (single zone). Ingot CIS yang dihasilkan dikarakterisasi dengan menggunakan X-RAY difraktometer yang menghasilkan struktur chalcopyrite dengan c = 11,595 A; a = 5,778 A dan cla = 2,006 serta orientasi kristal yang relatif besar pada bidang yang sama adalah bidang hid = 301. Komposisi ingot diperiksa dengan menggunakan SEM yang dilengkapi EDAX , diperoleh hasil komposisi yang belum stokiometri. Sifat listrik yaitu resistivitas dan tipenya diukur dengan menggunakan instrument yang menggunakan metoda Four point probe dan hot probe diperoleh hasil resistivitas hampir homogen dan sebagian besar ingotnya bertipe N."

"Kristal tunggal betaine phosphate disintesis dengan metode solution growth. Kristal berukuran terbesar digerus sehingga menjadi bubuk untuk pengukuran difraksi sinar-X, bercuplikan bubuk. Data difraksi sinar-X dianalisis dengan menggunakan perangkat lunak GSAS untuk mendapatkan informasi mengenai struktur kristal, Struktur kristal digambar dengan ORTEP (bagian dari GSAS). Hasilnya, pada temperatur 30°C dan 120°C, Betaine Phosphate mempunyai sistem kristal monoklinik dan masing-masing memiliki grup ruang P21 /C dan P21 /m dengan CT= 11,051 (1) A, £=7,840(2) A, c= 12,918(6) A, p= 119,590( 12) A, dan o=l 1,099(1) A, £=7,894(1) A, c=6,535(l) A, {3=1 19,783(12) A.

---

Single crystalline betaine phosphates have been synthesized by the solution growth method. The biggest size of the crystals were ground for X-ray diffraction measurement of the powder sample. The diffraction data were analyzed using GSAS software resulting refined crystal structural parameters. Crystal structures were drawn with ORTEP. The results were that at temperature 30°C and 120°C betaine phosphate crystallizes in monoclinic P21/C and P2l/m with 0=11.051(1) A, £=7.840(2) A, c=12.918(6) A, (5=119.590(12) A, and o=l 1.099(1) A, £=7.894(1) A, c=6.535(l) A, 0=119.783(12) A, respectively."

"ABSTRAKPada penelitian ini dilakukan pembuatan dan karakterisasi sampel Sn-xBi dan SnxBi-yAl sebanyak 10 sampel dengan variasi logam Bi dan Al dalam %berat yang berbeda menggunakan X-Ray Diffraction (XRD). Penentuan kapasitas panas sebagai fungsi temperatur Cp (T) dari material solder Sn-Bi dan Sn-Bi-Al menggunakan alat uji DSC pada rentang temperatur 30°C hingga 450oC dan laju 10 oC/menit. Hasil karakterisasi XRD selanjutnya diolah menggunakan aplikasi GSAS untuk mendapatkan informasi tentang struktur dan ukuran kristal, parameter kisi yang dimiliki terhadap pengaruh variasi Bi dan Al %berat, serta informasi lainnya yang dapat berpengaruh. Berdasarkan ukuran kristal pada paduan Sn-xBi diketahui bahwa semakin banyak penambahan logam Bi maka ukuran kristal Sn yang terbentuk akan semakin kecil.

---

ABSTRACT

In this research, manufacture and characterization of samples Sn and Sn-xBi-yAL as many as 10 samples with metal variation% Bi and Al in different weight using X-Ray Diffraction (XRD). Determination of the heat capacity as a function of temperature Cp (T) of the solder material of Sn-Bi and Sn-Bi-Al using a DSC test at 30oC to 450°C temperature range and a rate of 10 °C/min. XRD characterization results further processed using GSAS application to obtain information about the structure and size of the crystal, the lattice parameter of the effect of variation owned Bi and Al% by weight, as well as other information that can be influential. Based on the size of the crystals in the alloy Sn-xBi known that the more the addition of the metal Bi Sn formed crystal size will be smaller."

"Pada penelitian ini, dirancang sebuah triple-band bandpass filter (BPF) menggunakan hairpin Tri Section Step Impedance Resonator (TSSIR), yang dapat bekerja pada frekuensi 1400 MHz, 2400 MHz dan 3800 MHz secara bersamaan, dirancang, dibuat dan dievaluasi. Proses perancangan dan simulasi menggunakan perangkat lunak Advanced Design System (ADS). Bandpass Filter (BPF) yang dirancang menggunakan konfigurasi hairpin TSSIR yang dibuat pada Printed Circuit Board (PCB) FR-4 dengan nilai permitivitas 4.6, ketebalan substrat 1.6 mm dan loss tangent 0.002. Parameter yang digunakan saat perancangan ialah Insertion Loss, Return Loss, VSWR dan Bandwidth. Hasil simulasi Return Loss memiliki nilai -30.156 dB, -20.607 dB, dan -17.287 dB dan hasil fabrikasi pada penelitian ini memiliki nilai Return Loss sebesar dan -15.007 dB, -10.467 dB, dan -10.047 dB. Sedangkan nilai hasil simulasi Insertion Loss sebesar -0.682 dB, -0.855 dB, dan -1.262 dB dan hasil fabrikasi pada penelitian ini memiliki nilai Insertion Loss sebesar -2.236 dB, -2.983 dB dan -12.067 dB. Sehingga pada perancangan kali ini bandwidth pada frekuensi tengah yang ketiga (3800) MHz tidak memenuhi target disebabkan  adanya perbedaan nilai konstanta dielektrik substrat yang memiliki nilai pada rentang 4.6-4.9 pada tempat fabrikasi sehingga terjadinya pergeseran frekuensi tengah dan tidak tercapainya parameter yang diinginkan.

---

In this research, a triple-band bandpass filter (BPF) was designed using a hairpin Tri Section Step Impedance Resonator (TSSIR), which can work at 1400 MHz, 2400 MHz and 3800 MHz simultaneously, was designed, fabricated and evaluated. The design and simulation process uses the Advanced Design System (ADS) software. The Bandpass Filter (BPF) was designed using a TSSIR hairpin configuration made on a Printed Circuit Board (PCB) FR-4 with a permittivity value of 4.6, a substrate thickness of 1.6 mm and a loss tangent of 0.002. The parameters used when designing are Insertion Loss, Return Loss, VSWR and Bandwidth. The results of the Return Loss simulation have values of -30,156 dB, -20,607 dB, and -17,287 dB and the fabrication results in this study have Return Loss values of and -15,007 dB, -10,467 dB, and -10,047 dB. While the insertion loss simulation results are -0.682 dB, -0.855 dB, and -1.262 dB and the fabrication results in this study have insertion loss values of -2.236 dB, -2.983 dB and -12.067 dB. So that in this design the bandwidth at the third center frequency (3800) MHz does not meet the target due to differences in the dielectric constant values of the substrate which have values in the range 4.6-4.9 at the fabrication site resulting in a shift in the middle frequency and the desired parameters are not achieved."