Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Kerapatan keadaan vibrasi lokal dan fungsi korelasi pada beberapa struktur ikatan di dalam silikon karbon amorf (a-Si1-xCx:H) telah hitting dengan menggunakan model potensial Born dan metode "cluster" kisi Bethe. Mode-mode vibrasi lokal yang disebabkan oleh unit monohidrit (SiH dan CH), dihidrit (SiH2 dan CH2), dan trihidrit (SiH3 dan CH3) telah diidentifrkasi. Studi dilakukan pada dua jenis distribusi atom-atom penyusun bahan amorf yaitu "random sequence" dan "chemically ordered". Skema interpolasi digunakan untuk mendiskripsikan probabilitas ikatan dengan rasio percabangan pohon Cayley. Mode-mode vibrasi yang disebabkan keberadaan atom H di dalam pita fonon bulk silikon karbon sangat dipengaruhi oleh jenis atom tetangga terdekat kedua dari atom H. Mode-mode vibrasi yang disebabkan keberadaan atom H di luar pita fonon bulk silikon karbon hampir tidak dipengaruhi oleh jenis atom tetangga terdekat kedua dari atom H Hasil perhitungan yang diperoleh sesuai dengan data-data eksperimen.

---

Vibration Local Modes of Amorphous Silicon Carbon (a-Si1-xCx:H): Theoretical Study by Using Cluster Bethe Lattice Methods. Local vibrational density of states and correlation function for various bonding structures in amorphous silicon carbon (a-Si1-xCx:H) have been calculated by employing Born potential models and cluster Bethe lattice method . The local modes induced by the monohydride (SiH and CH), dihydride (SiH2 and CH2), and trihydride (SiH3 and CH3) units are identified The study has been made for two types of distributions of constituent atoms of the alloy: a random sequence and a chemically ordered The interpolation scheme can relate the bonds probabilities to the branching ratios of a Cayley tree. The vibration modes induced by H atoms inside the bulk phonon region of an amorphous silicon carbon (a-Si1-xCx) are influenced very much by the presence of the kind of atoms lying on the next-nearest-neighboring sites of the H atom. On the other hand, the modes induced by H atoms lying outside the bulk phonon region of an amorphous silicon carbon (a-Si1-xCx) are nearly undisturbed by the presence of the kind of atoms lying on the next-nearest neighboring sites of the H atom. The calculated results are in a good agreement with the available experimental data."

"Telah dibuat lapisan tipis CdS dengan metode koevaporasi CdS dan S dan telah diuji dengan XRD, UV-VIS Spectrophotometer, dan pengukuran hambatan. Lapisan yang terbentuk dipengaruhi beberapa parameter seperti, temperatur substrat, jarak antara sumber dan substrat, dan jarak antara sumber CdS dan sumber S. Hasil XRD menunjukkan bahwa lapisan yang terbentuk adalah CdS dengan preferred orientation pada bidang (0002}, dengan struktur hexagonal. Perlakuan panas yang diberikan pada temperatur 200°C di ruang vakum akan menurunkan besar hambatan, dan menaikkan respon terhadap cahaya."

"Jika dua bahan semikonduktor yang tidak sama digabungkan, sambungannya disebut heterojunction. Karena kedua bahan semikonduktor tersebut mempunyai bandgap yang berbeda, akan terjadi diskontinuitas energi pada persambungannya. Sambungan yang terbentuk dapat berupa sambungan abrupt atau graded. Sambungan abrupt terjadi jika perubahan dari satu bahan ke bahan lainnya terjadi secara tiba-tiba, sedangkan sambungan graded terjadi jika perubahan dari bahan satu ke bahan lainnya terjadi secara perlahan-lahan. Pada penelitian ini dibuat rancangan HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) Si/SiGe sambungan abrupt yang dapat memberikan frekuensi transit (fT) dan penguatan arus yang optimum. Untuk memperoleh frekuensi transit tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=I01 S cm-3, NB=5.1019cm"3, dan WE=-50 nm. Lebar basis W8 dibuat bervariasi antara 10 - 50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mol Ge dibuat bervariasi antara 0.15 sarnpai 0.25 dengan kenaikan 0.025. Dalam perancangan digunakan model HBT yang memasukkan mekanisme drift, difusi dan emisi termionik. Model tersebut juga digunakan untuk menentukan densitas arus basis, arus kolektor dan penguatan arus untuk lebar basis dan fraksi mol Ge yang bervariasi. Hasil perhitungan menunjukkan bahwa pada HBT yang diteliti komponen arus emisi termionik sekitar 2.8 sampai 4.2 kali lebih besar dibanding dengan anus drift-difusi. Pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan N E.--1018 cm-3, NB=5.109 cm 3, WE=50 nm, dan x .25 dapat meninakatkan frekuensi transit dari 52 GHz menjadi 178 GHz, sedangkan besarnya penguatan arus untuk WB=1O nm adalah 312 kali.

---

When two different semiconductor materials are used to form a junction, the junction is called a heterojunction. Since the two materials used to form a heterojunction will have different bandgaps, the energy band will have a discontinuity at the junction interface. The type of the junction could be an abrupt or graded junction. In abrupt junction, the semiconductor changes abruptly from one material to the other material. on the other.hand in graded junction, the composition of materials are graded.

In this work, we designed abrupt junction Si/SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) with optimum transit frequency VT) and current gain. To achieve that transit frquency, the divals structure model with NE=1418 cm 3, Na 5.1019cm 3, and WE-50 nm is used. Base width WS was changed between 10 - 50 run with 10 nm increment and the Ge mole fraksi was between 0.15 - 0,25 with 0.025 increment. The model of HBT which include the drift, difussion and thermionic emission is used. The HBT model is also used to calculate the base and collector current density and the current gain for variable base width and Ge mole fraction.

The result show that the thermionic emission current is 2.8 until 4.2 times higher than the drift-difussion current. If base width is decreased from 50 nm to 10 nm of an HBT with NE=1018 cm-3, N8=5.1019 cm-3, WE=50 nm, and x=0.25 , the transit frequency is increased from 52 GHz to 178 GHz. The current gain for WB= 10 nm is 312 times larger."

"ABSTRAKStudy Magnetoimpedance material nano soft magnetic Fe-(Al,Ga)-(P,C,B,Si),yang merupakan material amorf berbasiskan Fe dalam bentuk pita dengan lebar 4mm dan tebal 40 µm yang dipreparasi dengan metode melt-spinning dan diberikanperlakuan panas melalui teknik joule heating dilakukan dengan tujuan untukmengetahui hubungan magnetoimpedance dari material ini dengan struktur mikronyabaik sebelum ataupun setelah mengalami perlakuan panas serta bagaimanapengaruhnya terhadap sifat-sifat magnetik yang sudah ada.Karakterisasi struktur terhadap sampel dari material ini menunjukkan bahwaperlakuan annil melalui teknik joule heating sampai 1.6 A pada sampel menyebabkanterjadinya relaksasi struktural yang membuat penurunan anisotropi dan berakibat padapeningkatan sifat kemagnetan lunak dari sampel.Pengaruh medan magnet luar terhadap sampel pada frekuensi rendahmenyebabkan terjadinya pengurangan nilai impedansi dari sampel."

"ABSTRAKPada senyawa semikonduktor InGaAsP (Indium - Galium - Arsenit-Phosfor) yang ditumbuhkan diatas substrat InP (Indium-Phosfor), lapisan aktif Ins-xGaxAsyPI-y akan menentukan emisi foton pada panjang gelombang L untuk harga x dan y tertentu. Lapisan aktif yang mempunyai energi gap Eg = 0,8 eV ditumbuhkan sesuai kisi substrat p-InP dari struktur jamak ganda InGaAsP/InP akan menghasilkan spektrum emisi spontan pada daerah panjang gelombang X = 1,55 mm. Doping konsentrasi aseptor Na lapisan p-InP akan menentukan puncak panjang gelombang Xp dari pada spektrum emisi spontan. Spektrum emisi spontan pada puncak panjang gelombang Xp = 1,55 pm memungkinkan untuk ditransmisikan melalui media serat optik yang terbuat dari bahan serat silika optik mode tunggal. Pada penulisan tugas thesis ini dilakukan simulasi spektrum emisi spontan relatif R dari lapisan aktip terhadap perubahan dari konsentrasi aseptor Na menggunakan perangkat lunak Borland delphi. Analisa hasil simulasi menunjukkan spektrum emisi spontan relatif R pada puncak panjang gelombang 7-p = 1,55 pm terjadi pada konsentrasi aseptor Na = 150 x 1017 Cm-9 dan parameter band tail = 0,072 eV.

---

In semiconductor compound of InGaAsP (Indium--Gallium--Arsenit-Phosfor) being growing on InP (Indium--Phosfor) substrate, the active layer of Ini-xGaxAsyPI-y is going to determine photon emission at wavelength of k for values certain of x and y.

The active layer having gap energy of Eg = 0.8 eV lattice-matched to InP of double heterostructure InGaAsP/InP yield spontaneous emission spectrum at wavelength region of X = 1.55 pm. Doping acceptor concentration of Na for p--InP layer would determine on peak wavelength of kp for spontaneous emission spectrum. The spontaneous emission spectrum on the peak wavelength of Xp = 1.55 pm is possible for use as transmitted through single mode fiber optic which made of optic silica material.

In the writing this thesis, the relative spontaneous emission spectrum of R from active layer simulated with various of Na acceptor concentrations by using delphi borland software.

Simulation result analyzing show that relative spontaneous emission of R on peak wavelength of Xp = 1.55 pm is happened for acceptor concentration of Na = 150 x 1017 Cm-3 and band tail parameter of 77 = 0.072 eV."