Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKPada eksperimen ini telah dibuat film ZrN dengan metode sputtering magnetron reaktif pada temperatur substrat 325°C, 230°C dan 125°C. Hasil pengukuran XRD menunjukkan bahwa diamati terjadi kompetisi pengaruh antara parameter temperatur substrat dan laju alir nitrogen pada struktur akhir film ZrN hasil deposisi. Dari analisis pelebaran garis dan perubahan jarak antar bidang relatif terlihat terjadinya distorsi kisi dalam film. Pada film yang dideposisi di atas substrat kaca, distorsi disebabkan oleh sumbangan struktural, sedangkan untuk film di atas substrat stainless steel, distorsi yang terjadi disebabkan sekurang-kurangnya oleh adanya sumbangan termal.

---

ABSTRACTIn this experimental work ZrN films were deposited by DC magnetron reactive sputtering method at substrate temperature of 325°C, 230°C and 125 °C. X-ray Diffractogram exhibit a competition between the parameters of substrate temperature and nitrogen flow on the final ZrN films deposited. The subsequent analysis of line broadening and the change of lattice parameters shown lattice distortion in films. In samples deposited on glass, distortions were caused by structural factors while in samples deposited on stainless steel they were caused by at least thermal contributions."

"ABSTRAKAnalisis berbasis protein kandungan gelatin dalam kapsul dilakukan dengan metode Sodium Dodecyl Sulphate-Polyacrilamide Gel Electrophoresis (SDS-PAGE), dan diikuti oleh analisis densitometri menggunakan software myImage Analysis v.2.0. Gelatin dari sampel diekstraksi dengan menggunakan aseton, kemudian diukur konsentrasinya secara spektrofotometri menggunakan BCA Assay Kit untuk menghitung konsentrasi untuk elektroforesis. Kondisi optimum untuk elektroforesis adalah gel 8% dengan buffer tris-glisin. Gelatin pembanding babi menunjukkan 12 pita dominan (239, 221, 200, 171, 158, 139, 122, 115, 108, 96, 90,dan 83 kDa), sedangkan pembanding gelatin sapi menunjukkan 4 pita dominan (236, 222, 120, dan 107 kDa). Sampel yang mengandung gelatin babi dan gelatin sapi menunjukkan pola yang sama dengan gelatin pembanding.

---

ABSTRACTProtein-based analysis of gelatin in capsules was conducted by Sodium Dodecyl Sulphate-Polyacrilamide Gel Electrophoresis (SDS-PAGE) and followed by densitometry analysis using software myImage Analysis v.2.0. Gelatin from samples was extracted using acetone, then measured with spectrophotometry using BCA assay kit to calculate the concentration for electrophoresis. The optimum condition for electrophoresis gel was run on 8% gel with tris-glycine buffer. The results showed that gelatin reference of porcine has 12 major bands (239, 221, 200, 171, 158, 139, 122, 115, 108, 96, 90, and 83 kDa) while bovine gelatin has 4 major bands (236, 222, 120, and 107 kDa). Sample containing porcine and bovine gelatin gave the similar pattern to gelatin reference."

"The thin film of Indium Tin Oxide (ITO) whose the final thickness between 502 nm - 850 nm, various oxygen partial pressure between 0 - 32 mPa and the deposition rate 1,2 nm/s, 2,2 nm/s and 3,5 nm/s have already made by DC magnetron sputtering method. Having studied about the influence of oxygen partial pressure and deposition rate to electrical property of ITO : resistivity, conductivity, carrier charge concentration, mobility; temperature coefficient and activation energy. Resistivity, conductivity, mobility and carrier charge concentration at room temperature are determined by using Van der Pauw method, and resistivity vs temperature between 12 K -. 300 K to find coefficient temperature and activation energy is used four point probe method.In this thesis , we got resistivity value is in range 3,2 x 10-4 Ω cm - 25,4x 10'Ω cm at room temperature 300 K. Conductivity is in range 294 Ω -' cm-' - 3125 Ω -1 cm-1. Carrier charge concentration is in range 1,30x1020 cm-3 - 3,56 x 1420 cm3. Mobility is in range 19,0 cm2/Vs - 55,2 cm 2/Vs. Temperature coefficient at 150 K - 250 K, where resistivity vs temperature is linier, is in range 1,23 x 10-4 K-1 - 8,68 x 10-4 K-1. and activation energy is in range 1,73x104 eV - 43,2 x10-6 eV. The influence of oxygen partial pressure to electrical properties of ITO is, the bigger oxygen partial pressure, the bigger resistivity, and the smaller carrier charge concentration, mobility and temperature coefficient. The various the deposition rate shows that the faster deposition rate , the bigger resistivity and the smaller conductivity, mobility and carrier charge concentration. Carrier charge concentration is caused by oxygen vacancies and Sn substitution to In. The decreasing of carrier charge concentration as the increasing oxygen partial pressure connect with Sn oxide which made this cause the increasing of scattering.

---

Lapisan tipis Indium Tin Oksida (ITO) dengan ketebalan 502 - 850 nm dengan beberapa variasi tekanan parsial oksigen antara 0 sampai 32 mPa dan variasi laju deposisi 1,2 nmis, 2,2 nm/s dan 3,5 nm/s telah berhasil dibuat dengan proses dc magnetron sputtering. Dilakukan studi pengaruh tekanan parsial oksigen dan laju deposisi terhadap sifat listrik yang meliputi : resistivitas, konduktivitas, konsentrasi pembawa muatan, mobilitas, koefisien temperatur dan energi aktivasi pada lapisan tipis ITO. Resistivitas, konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang 300 K diukur dengan metoda Van der Pauw. Sedang pengukuran resistivitas vs temperatur antara 12 K sampai 300 K untuk mendapatkan koefisien temperatur dan energi aktivasi dilakukan dengan menggunakan metoda empat titik.Hasil pengukuran resistivitas berkisar antara 3,2 x 10 Ω cm sampai 25,4x 104 Ω cm pada temperatur ruang 300 K. Konduktivitas didapat dengan rnenginversikan resistivitas didapat 294 Ω-1 cm-1 sampai 3125 Ω-1 cm-1 . Konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang berkisar antara 1,30 x 1020 cm-3 sampai 3,56 x 1020 cm-3. Mobilitas pada temperatur ruang berkisar antara 19,0 cm 2/Vs sampai 55,2 cm2/Vs. Koefisien temperatur yang dihitung pada temperatur 150 K sampai 250 K yakni daerah dimana resistivitas vs temperatur merupakan fungsi linear didapat antara 1,23 x 10-4K-1 sampai 8,68 x 10-4 K-1. Energi aktivasi didapat antara 1,73x10-6 eV sampai 43,2 x10-6 eV. Pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis ITO adalah semakin besar tekanan parsial oksigen cenderung akan semakin besar resistivitasnya, sedangkan konsentrasi pembawa muatan, mobilitas dan koefisien temperatur semakin kecil. Variasi laju deposisi memberikan bahwa semakin besar laju deposisi cenderung semakin besar resistivitasnya, sedangkan konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan cenderung semakin kecil. Konsentrasi pembawa muatan disebabkan terutama oleh vakansi oksigen dan substitusi Sn terhadap In. Menurunnya konsentrasi pembawa muatan dengan naiknya tekanan parsial oksigen berhubungan dengan berkurangnya vakansi oksigen dengan pemberian oksigen dari luar. Mobilitas menurun dengan kenaikan oksigen berhubungan dengan terbentuknya oksida Sn yang menambah efek hamburan."

"Lapisan tipis merupakan salah satu produk rekayasa material modern. Keburuhan penggunaan lapisan tipis meluas ke berbagai bidang,terutama bidang elektronik. Cerium Oksida sebagai salah satu material logam tanah jarang memiliki peluang pengembangan yang cukup menjanjikan untuk aplikasi lapisan. tipis di Indonesia. Teknologi yang digunakan untuk menghasilkan lapisan tipis yang cukup berkualitas adalah teknik sputtering. Teknologi ini relatif mudah dan murah. Penelitian ini berusaha menemukan penga~h durasi waktu pemrosesan terhadap struktur mikro dari lapisan tipis Ce02 Lapisan tipis diperoleh dengan proses deposisi sputtering diatas substrat kaca dengan variabel waktu 1,75 jam, 2 jam dan 3 jam. Suhu substrat 30f1'C. Kemudinn setelah proses deposisi selesai, sampel diberi perlakuan panas 30/fC selama 1 jam untuk memudahkan pengamatan struktur mikronya. Karakterisasi struktur mikro dila/mkon dengan pengujian SEM dan XRD, pengujian EDAXS dilakukan untuk memastikan unsur elemen yang menyusun lapisan tipis. Hasil pengujian dari setiap sampel dibandingkan dari segi krista/initas dan morfologi permukaannya. Dari perbandingan hasil XRD d,an standar JCPDS diperoleh kesesuaian parameter kisi, indeks miller, kemudian komposisi dari variasi ' orientasi kristal yang ada dihitung dari luas daerah dibawah puncak. Hasil penelittan menunjukkan bahwa penurunan variasi orientasi krisJal dan penghalusan butir muncul seirin;i dengan bertambahnya durasi waktu deposisi/pemrosesan. Kristal yang terbentuk adalah polikristalin, kubik dan kompleks (FCC-Iwmp/eks/ non-bravais). Kristalinitas terbaik diperoleh pada sampel 3 jam pada orientas i(200). Selama proses penwnbuhan, terjadi rekristalfsasi dan evolusi bidang kristal."

"ABSTRAKLapisan tipis CdS yang dideposisi diatas Substrat kaca (n = 1,51) dengan temperarur substrat 200 °C , 222 oC dan 250 °C dan variasi ketebalan antara ( 0,51-1,0) p.m dibuat menggunakan Metode PVD ( Physical Vaporation Deposition). Selanjutnya pada lapisan tipis CdS dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Sifat optik meliputi penentuan indeks bias, koefisien absorpsi, energi gap dan struktur lapisan tipis CdS. Dari nilai-nilai transmittansi yang diperoleh dan menggunakan pendekatan R.Swanepoel diperoleh besarnya indeks bias (n) sekitar 2,2 - 3,45 , besar koefisien absorpsi (α ) sekitar (0,5 - 4,3) x 10 4/cm dan energi gap sekitar ( 2,31 - 2,35) eV. Sedangkan dengan XRD diperoleh bahwa puncak diffraksi yang paling kuat dari kelima sampel yaitu pada d = ( 3,37-3,39 ) A° memiliki orientasi bidang (002) dan konstanta kisi sekitar a= 4,132 A° dan c= 6,77 A° serta struktur kristal adalah hexagonal (Wurzite). Untuk sifat listriknya, hasil pengukuran menunjukkan besarnya resistivitas listrik (p) lapisan tipis CdS adalah sekitar ( 0,81-6,5) x 10 5 Ω cm."

"Jenis-jenis alat musik yang digunakan dalam suatu musik adalah salah satu cara menjelaskan musik tersebut. Skripsi ini membahas penggunaan ekstraksi fitur MFCC dan metode klasifikasi k-NN untuk mengklasifikasi alat musik berdasarkan suara yang dihasilkannya. MFCC merupakan sebuah metode yang mampu mengolah sebuah data suara sehingga menghasilkan beberapa fitur yang bersifat numerik. k-NN merupakan sebuah metode klasifikasi yang menggunakan jarak dari fitur tiap-tiap observasi. Pengerjaan skripsi dilakukan dengan mengekstraksi fitur dari data-data suara yang tersedia dengan MFCC lalu menggunakan fitur-fitur yang diekstraksi tersebut untuk metode klasifikasi k-NN. Data yang digunakan adalah data suara alat musik yang tersedia pada dataset Philharmonia Orchestra Sound Samples. Hasil dari penerapan metode klasifikasi k-NN pada skripsi ini menunjukkan bahwa model k-NN mampu meraih nilai akurasi hingga 94,84%.

---