Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada penelitian ini dilakukan rancangan dan fabrikasi pernbuatan diode laser (DL) GaInAsP/InP ë. = 1300 µm, yang pelaksanaan nya dilakukan di LP3FT-LIPI Serpong. Dari hasil penumbuhan terdapat pergeseran sebesar 20 nm dari panjang gelombang yang diinginkan, dan untuk mendapatkan hasil yang diinginkan diadakan koreksi berat InAs terhadap In. Proses penumbuhan dilaksanakan dengan menggunakan LPE (liquit phase epitaksi) dimana lapis= Gain AsP yang terdici dari komposisi kristal murni InP, GaAs, InAs dengan doping kristal In-Te untuk tipe- n dan kristal In-Zn untuk tipe-p ditumbuhkan pada substrat InP sehingga terbentuk wafer. Karak edstik lapisan GaInAsP yang dikehendaki dapar ditentukan dengan memvariasikan berat relatif In P, GaAs, InAs terhadap berat In. Lapis= aktif DL ini adalah lapisan GaInAsP dengan panjang gelombang (ë) = 1300 nm. Hasil penumbuhan (wafer) dikarakterisasi dengan Optical Spectrum Analyser untuk mengetahui panjang gelombang yang ditumbuhkan dan Scanning Elektron Microscope untuk mengetahui ketebalan struktur kristal yang ditumbuhkan.Proses selanjutnya, untuk membuat stripe tedebih dahulu ditumbuhkan lapisan silikon (SiO2) diatas wafer dengan ketebalan 1000Ǻ 1200 Ǻ yang menggunakan RF sputtering, dan dengan bantuan photoresist, stripe tersebut dapat dibentuk melalui proses Photolithography. Setelah proses etsa, dimana lapisan SiO2 pada stripe dihilangkan dengan larutan HF, dapat dilakukan metalisasi melalui proses evaporasi dengan menggunakan Au-Zn untuk Khatoda dan Au-Sn untuk Anoda, yang sebelumnya didahului penipisan lapisan substrat dari 360 µm menjadi 00µm.Rancangan dioda stripe ini berhasil ditumbuhkan setelah keluar tungku kristal hasilnya berkilat seperti kaca dan. setelah dikarakterisasi dengan OSA ada panjang gelombang yang diinginkan.In this research we designed and fabricated the GaInAsP/InP Laser diode with ë = 1300 nm, in LP3FT-LIPI Serpong. From the result we obtained the wavelength shifted about 20 am, and to find the required wavelength we corrected the weight of InAs to In. The growth process was carried out using the liquid phase epitaxsi (LPE) where the GaAsInP layer consisted of the composition of the full crystallography of InP, GaAs, InAs with the doped crystal of InTe for n-type and InZn for P-type where grown at the InP-substrate to form the wafer. The characteristic of the required GaInAsP, layer can be determined with the variation of relative weight of InP GaAs, InAs to the weight of In. The active layer was GalnAsP layer with the wavelength of 1300 nm. The growth result was characteristic using the Optical Spectrum Analyser to know the growth wavelength and Scanning Electron Microscope to know the crystal thickness.

Future more to make the stripe we growth the SiO2layer in above of the wafer with 1000 Ǻ1200 Ǻthickness using the RF sputtering, and the stripe can be form by Photolithography process with the photoresist after the etching process where, the silicon oxide layer at the stripe removed by HF, we did the metallization by evaporation process using AuZn for Cathode and AuSn for Anode, where the lapping of substrate from 360 µm to be 100 µm was done previously.

The fabrication of stripe diode was success if the surface of the result will be like mirror and wavelength characteristic will occur by OSA."

"ABSTRAKTesis ini membahas tentang analisis dan perancangan divais dioda tunnel dari bahan silikon yang dipabrikasikan dengan menggunakan teknologi planar. Pabrikasi divais disesuaikan dengan teknologi, peralatan dam bahan yang tersedia pada Laboratorium Hikroelektronika, Puslitbang TELKOHA LIPI, Bandung sebagai tempat proses pembuatan. Dalam tesis ini dirancang 3 divais dioda tunnel, dengan berbagai konsetrasi impurity lapisan tipe n+, tetapi bentuk dan ukuran geometrinya saja. Ketiga rancangan tersebut disimulasikan dengan program perangkat lunak SPICES2B, HATLAB dan WINHCAD untuk nenperoleh kurva karakteristik I-V dan hubungan antara konsentrasi impurity bahan dengan untuk kerja untuk sinyal kecil. Unjuk kerja tersebut neliputi figure of merit, daya maksimum dan efisiensi. Ketiga rancangan dipabrikasi menggunakan teknologi difusi planar, parameter proses yang dipakai dari hasil simulasi program perangkat lunak SSUPREH. Hasil simulasi menunjukkan suatu karakteristik divais yang apabila konsentrasi impurity pada bahan tipe n+ (ND) dinaikkan, maka performasi dari dioda tunnel meningkat. Setelah dipabrikasi dan diukur, divais telah menunjukkan fenomena dioda tunnel. "

"ABSTRAKPada tesis ini didesain dioda IMPATT menggunakan bahan silikon p+nn+ yang dapat dioperasikan pada frekuensi 25 GHz dengan dibuat model semi empirisnya, dianalisis, dan disimulasikan melalui program simulasi yang dijalankan pada perangkat lunak SPISCES2B, SSUPREM dan MATLAB, serta dibantu perangkat lunak WINMCAD dalam pembuatan model semi empirisnya. Hasil simulasi dan analisis menunjukkan bahwa dengan memperpanjang daerah n pada struktur p+nn+ akan berakibat menurunnya frekuensi operasi secara eksponensial. Di samping hal tersebut, nilai maksimum arus injeksi menjadi tidak stabil (berosilasi) bila dioda IMPATT dioperasikan di luar frekuensi operasinya, sehingga resistansi dinamik negatifnya menjadi tidak stabil. Pabrikasi dilakukan di Laboratorium TELKOMA LIPI Bandung dengan terlebih dahulu dibuat desain proses pabrikasinya yang menggunakan teknologi difusi planar. Kedalaman daerah p+ (hasil proses difusi) serta karakteristik I=V dioda IMPATT tersebut diukur untuk melihat tegangan breakdown yang dihasilkan divais tersebut, sehingga dapat ditentukan frekuensi operasinya. Hasil pengukuran dan analisis menunjukkan bahwa dioda IMPATT p+nn+ yang dipabrikasi tersebut mempunyai tegangan breakdown 30 Volt, dengan lebar daerah avalanche 0,6 µm, dan lebar daerah deplesi 2,6 µm, sehingga divais tersebut mempunyai frekuensi operasi 25 GHz. "

"ABSTRAKPada Skripsi ini akan dibahas analisa disain divais menggunakan laser dioda dan Heterojunction Phototransistor yang berfungsi sebagai Light to Light Transducer. Latar belakang teori dan prinsip kerja dari laser Diode dan Heterojunction Phototransistor serta disain transduser juga akan dibahas pada Skripsi ini. Transduser melakukan pendeteksian cahaya, mengubah besaran optis ke dalam besaran listrik, diperkuat dan oleh Laser Dioda dipancarkan lagi sebagai besaran optis yang juga telah diperkuat, koheren dan monokromatis. Transduser ini dapat didisain dengan integrasi langsung secara vertikal dan Laser Diode dengan Phototransistor berbahan GaAs dengan dimensi 210 x 290 m2 dan penguatan maksimal 250 kali. Perhitungan dan analisa dilakukan pada daerah operasi panjang Gelombang 0.8-1.3 μm dan daya input 0-100 μW. Model preliminary Rangkaian yang dianggap dapat mewakili karakteristik struktur divais yang dirancang juga dibahas untuk mempermudah menganalisa dan memperhitungkan karakteristik divais.

---

"

"Detektor yang baik merupakan divais yang mampu bekerja pada frekuensi yang lebar, peka terhadap foton yang datang dan tidak menimbulkan derau yang mengganggu dalam proses komunikasi maupun dalam bidang instrumentasi.Untuk maksud tersebut dipilih jenis fotodioda jenis p-i-n dengan bahan aktif semikonduktor GaInAsP sebagai campuran empat macam bahan semikonduktor dari komposisi III dan V pada tabel periodik kimiawi.Dalam tesis ini dibahas tentang perhitungan dan analisa karakteristik fotodioda p-i-n, dari analisa diketahui bahwa hal ini sangat dipengaruhi aleh ketebalan lapisan yang atas (p+), sedangkan lapisan i (intrinsik) pada ketebalan tertentu sampai maksimum tidak mengalami peningkatan effisiensi, disamping itu unjuk kerja fotodioda secara umum sangat dipengaruhi pula oleh nilai resistansi bebannya.A good device for detector should operate at. wide band range, and sensitive to incident photon and produce low noise in both fields of communication and instrumentation systems. For that purpose the device used a type of p-i-n photodiode which contains active layers as quaternary of 111 and V compound in periodic system.

This thesis describes design and analysis of p-i-n photodiode to be used as a laser detector for )..= 1,.28 wiz . The Result show that the thickness of first (p+) and second (z) layer will limit the external efficiency of the detector, and also the load resistance will effect influence the performance of the detector."

"ABSTRAKPada teknologi laser, cavity merupakan bagian yang sangat penting untuk menghasilkan cahaya yang monokromatis dan koheren. Pada penelitian ini diobservasi metode perhitungan untuk perancangan daerah aktif atau cavity untuk laser GaInAsP/InP BIG-DBR (Bundle Integrated Guide - Bragg Distribution Reflector) untuk panjang gelombang 1,55 µm. Metoda ini pada pembahasan berikutnya disebut Metode perhitungan Spasial yang sangat berguna terutama untuk perancangan fabrikasi dasar dari laser diode semikonduktor menggunakan EFC (Epitaksi Fase Cair).Beberapa parameter digunakan seperti kerapatan arus ambang, arus injeksi bias, lebar pita modulasi (diwakili oleh frekuensi resonansi), pergeseran panjang gelombang dinamis maksimum, dan jarak antar mode. Sebagai hasilnya diperoleh distribusi spacial dan geometris cavity dari laser yang dirancang, dan untuk langkah selanjutnya perancang dapat memilih rancangan yang paling sesuai dengan kebutuhan yang diwakili oleh syarat batas-syarat Batas dalam bentuk parameter limit. Dan arus ambang dan arus bias merupakan batasan yang paling menentukan pada perancangan ini.

---

ABSTRACTIn the laser technology, cavity is a very important part to produce monochromatic and coherence light. In this article the calculation method has been observed to design active region or cavity of 1.55 Erin GaInAsP/InP BIG-DBR (Bundle Integra-red Guide - Bragg Distribution Reflector) laser diode. The method in the next dis-cussion is called Spatial Calculation Method is useful particularly to preliminary fabrication design of such laser type using LPE (Liquid Phase Epitaxy).Several limit parameters is used such as threshold current (density), bias injection current, modulation bandwidth (represents by resonance like frequency of the cavity), dynamic wavelength shift, and mode separation wavelength. As a result is the spatial distribution of geometrical cavity of such laser design, and for the next step the designer could select the appropriate geometrical cavity with boundary value around the limit parameters. And the threshold- and bias injection current are as the very important parameters in the calculation method."

"ABSTRACT

Recently, the Indonesian researchers have anticipated the research on photonic devices especially on semiconductor laser. According to the anticipation above, the scope of this research is on photonic devices particularly on design and performance fabrication of 1.55 um GaInAsPfInP semiconductor laser using intrinsic single-mode layers.

The semiconductor laser was designed using intrinsic single-mode layers that consist of 4 (four) layers i.e., 2 (two) waveguiding layers with 1,15 p.m, AMB (Anti Melt Back) layer with 1.3 pm, and active layer with 1.55 pm. The layers were growth by designing 0.17 pm waveguiding layer thickness, 0.1 pm active layer- and AMB layer thickness, respectively. The performance optimizing were on optical confinement factor of the single-mode layers and threshold current.

The design and simulation results that threshold current of 702,5 mA and the optical confinement factor of 0.801 can be achieved. In addition, the optimum performance was obtained with thicker AMB layer, thicker active layer, and thinner wave-guiding layers.

---

ABSTRAKPara peneliti di Indonesia hingga saat ini telah mengantisipasi penelitian di bidang devais fotonik terutama diode laser semikonduktor. Penelitian pada tesis ini di bidang devais fotonik diutamakan pada rancang bangun dan simulasi unjuk kerja dari diode laser semikonduktor pada panjang gelombang 1,55 um dengan bahan GalnAs-PIInP menggunakan lapisan mode tunggal intrinsik.Pada rancang bangun dirancang suatu diode laser semikonduktor dengan lapisan mode tunggal yang terdiri dari empat buah lapisan GaInAsP masing-masing 2 buah lapisan pandu gelombang dengan panjang gelombang 1,15 µm, lapisan aktif dengan 1,55 gm, dan lapisan anti cair ulang (ACU) dengan 1.3 µm. Untuk penumbuhan dipilih lapisan pandu gelombang setebal 0,17 gm, lapisan aktif setebal 0,1 gm dan lapisan ACU setebal 0,1 gm. Dalam perancangan, parameter faktor perangkap cahaya dari lapisan mode tunggal dan besamya arus ambang memegang peranan penting untuk mengoptimalkan unjuk kerja.Hasil rancang bangun dan simulasi memperlihatkan bahwa unjuk kerja perhitungan dengan arus ambang sebesar 702,5 mA dan faktor perangkap cahaya lapisan mode tunggal sebesar 0,801 dapat dicapai. Selain itu optimalisasi unjuk kerja dapat diperoleh dengan cara mempertebal lapisan ACU, membuat lapisan aktif tidak tipis dan lapisan pandu gelombang tidak tebal."

"ABSTRAKTelah dilakukan perhitungan reflektifitas pada struktur pandu gelombang permukaan miring dan jendela yang diperlukan oleh amplifier laser untuk mengurangi pengaruh osilasi mode Fabry-Perot, memperbesar penguatan sinyal, memperoleh bandwidth yang lebar dan memperkecil loss daya optik. Disamping itu reflektifitas permukaan yang rendah sangat diperlukan untuk mewujudkan amplifier laser semikonduktor gelombang berjalan (TWSLA). Sebelum menghitung reflektifitas tersebut, terlebih dahulu dilakukan penurunan matematik untuk mendapatkan persamaan reflektifitas gabungan antara struktur permukaan miring dan jendela. Penggunaan struktur permukaan miring dan struktur jendela pada amplifier laser untuk memperkecil reflektifitas permukaan merupakan pilihan yang tepat sebagai suatu alternatif untuk menggantikan pemakaian lapisan anti refleksi. Reflektifitas permukaan yang diperlukan oleh amplifier laser semikonduktor TW harus kurang dari 0,1%. Untuk mendapatkan reflektifitas tersebut dengan menggunakan lapisan anti refleksi merupakan masalah yang sulit dalam pembuatannya. Telah diperoleh bahwa reflektifitas gabungan mempunyai nilai yang lebih kecil dari pada reflektifitas struktur permukaan miring atau jendela sendiri-sendiri. Dengan pengguaan struktur permukaan miring sebesar 7° dan struktur jendela yang panjangnya antara 30 gm sampai dengan 50 gm, maka diperoleh reflektifitas gabungan dari 0.0079% sampai 0.0023%. Hasil tersebut didapat dengan mengolah data-data fabrikasi amplifier laser semikonduktor GaInAsP/InP. "