Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Sebagai bahan semikonduktor. CuInSe2 yang berbentuk serbuk ( powder ) telah dibuat menjadi lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi thermal. Lapisan yang dihasilkan, didapat dari dua kali evaporasi dengan temperatur substrat yang berbeda masing-masing 150 °C dan 200 °C. Untuk lapisan tipis dengan temperature substrat 150 °C diannealing pada atmosfir Selenium. sedangkan lapisan tipis dengan temperatur substrat 200 °C diannealing dalam ruang vakum selama 10 menit pada temperatur 200 °C. Selanjutnya pengukuran sifat optik dan sifat listrik dilakukan terhadap ketiga bagian sampel. antara lain; sampel lapisan tipis yang belum diannealing dalam ruang vakum/diannealing pada atmosfir Selenium, yang diannealing dalam ruang vakum dan yang diannealing pada atmosfir Selenium yaitu untuk dikarakterisasi. Dari hasil pengkarakterisasian dilaporkan bahwa, dengan proses annealing pada atmosfir Se dan ruang vakum bentuk spektrum transmisi dan reflektansi terlihat lebih halus. Kedua lapisan tipis ini baik yang diannealing dalam ruang vakum maupun diannealing pada atmosfir Selenium memiliki resistivitas sekitar ( 2.2 s/d 2.5 ) ohm cm dengan type konduktivitasnya cenderung lebih banyak type - N dari pada type - P."

"Pada eksperimen ini telah dibuat lapisan tipis CuInSe2 pada substrat kaca (n=1,51) dengan temperatur substrat 150°C dan 200°C deagan variasi ketebalan sekitar 0,2-0,45 un dengan metode evaporasi thermal dalam vakum. Kemudian dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Dari nilai-nilai transmitansi dan reflektansi yang diperoleh digunakan untuk menghitung indeks bias, koefisien absorbsi dan energi gap dari lapisan tipis CulnSe2. Pada eksperimen ini didapatkan hasilnya sebagai berikut; Indek bias ( n) sekitar 2,6 - 4,7, koefisien absorbsi (a) sekitar ( 2 - 9 ) x 104/cm dan energi gap sekitar ( 1,02 - 1,45 ) av. Untuk sifat listriknya ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis ini merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Harga resistivitas listrik dari lapisan tipis CulnSe2 ini sekitar 1,4 - 3,4 ohm cm dan semua sampel ternyata mempunyai type ? n. Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa lapisan tipis CuInSe2 ini merupakan bahan semikonduktor yang potensial untuk dapat dikembangkan, terutama penggunaannya sebagai bahan penyerap sinar matahari pada solar sel."

"Lapisan tipis Keramik Alumina pada substrat Aluminium Alloy dibuat dengan metoda pelapisan Sputtering RF Magnetron. Pelapisan dilakukan pada tekanan dasar sistem 1.7 - 3.3 x 10-5 torr dan tekanan gas Argon saat pelapisan berlangsung dipertahankan sekitar 15 mtorr. Komposisi Atomik Substrat sebelum pelapisan diuji dengan SEM/EDAX hasilnya adalah 69 % Al - 28 996 Si - 2.5 % Mg dan terdapat unsur Fe dan Ni yangjumlahnya kurang dari 1%. Sedangkan Target mempunyai fasa a-A1203 yang dianalisa deNgan menggunakan XRD. Pada pelaksanaan Pelapisan dibuat tiga jenis ketebalan yaitu: 3100 A° , 5600 A° dan 8550 A°. Mengingat pengukuran ketebalan pada saat pelapisan kurang memuaskan, dilakukan uji ketebalan dengan menggunakan ellipsometer dan perhitungan hasil uji spectrophotometer. Dilakukan proses anil sampai temperatur 12003 C terhadap sampel hasil pelapisan tujuannya untuk mendapatkan Alumina kristal [9]. Secara visual, morfologi permukaan pada sampel baik sebelum pelapisan rnaupun setelah pelapisan dapat dilihat dengan menggunakan foto optik dan SEM. Pengujian dengan XRD terhadap hasil pelapisan baik sebelum proses anil maupun sesudah dilakukan anil tidak menunjukkan sistem krisialin, hal ini diperkuat dengan hasil analisa SEM. Hasil Kekerasan (mikro hardness) menunjukkan bahwa hasil pelapisan lebih keras dibandingkan substrat sebelum dilapisi, selain itu makin tebal lapisan nilai kekerasan makin bertambah."

"ABSTRAKTiN material yang popular sebagai protective coating pada tools karena mempunyai hardness sekitar 2200 VHN. Pelapisannya pada Stainless steel kami lakukan dengan metoda sputtering reaktif dimana selain gas Argon sebagai gas sputter juga diniasukkan gas Nitrogen yang diharapkan bereaksi Nitridasi dengan atom atom tersputter Titanium menjadi Titanium Nitrida pada substrat yang dipanaskan. Pada penelitian tahap kedua ini dibuat beberapa sampel Stainless Steel dilapisi lapisan tipis TiN Titanium Nitrida secara sputtering reaktitf dengan menggunakan modifikasi pada Universal Coating Machine Leybold Haeraus UNIVEX 300. Dengan menggunakan modifikasi geometris lingkungan terbatas dan penyempumaan sistim pemanasan sampel dihasilkan beberapa sampel yang baik. Secara umum peningkatan kekerasan melebih 200persen max. 669persen pada Stainless Steel; yang mana jauh lebih baik dari hasil penelitian Tahap I yang hanya menghasilkan peningkatan maksimum 95persen. Demikian pula hasil-hasil ini jauh lebih reprodusibel dibandingkan dengan hasil penelitian Tahap I hampir semua sampel jadi. Karakterisasipun telah bertambah dengan XRD dengan hasil yang memuaskan. Sekalipun demikian dijumpai kendala-kendala baru yang semakin menantang: 1 Daya lekat beberapa sampel tidak baik mengelupas. 2. Pemanasan hanya mencapai 300 C dan berefek samping kerusakan beberapa komponen penting sistim vakum. 3. Flowmeter gas kurang peka kalanya. Ini semua akan diupayakan jalan pemecahannya pada penelitian Tahap III yang akan di titik beratkan pada penyempumaan teknik fabrikasi dan solusi kendala kendala tersebut. Demikian pula akan ditambahkan karakterisasi dengan SEM."

"Lead Selenide (PbSe) thin film of 5765 A thickness had been deposited by thermal evaporation in vacuum system and characterised in Physics Laboratories at FMIPA UI Depok. Optical characterisation is done with spectrophotometer MR. Using the Hishikawa method, applied in a computer program, will yield optical parameters such as index of refraction (n), extinction coefficient (k), absorption coefficient (a) and energy gap (Eg). Electrical characterisation is done by measuring the conductivity toward the temperature between 15 - 300 K, Hall Effect, energy gap, density of conduction electrons (N), and mobility (µ). The result shows a not allowed direct transition semiconductor. Different results for the band gap width is recorded between the optical and the electrical methods.

---

Dibuat lapisan tipis PbSe di atas substrat kaca, dengan tehnik pelapisan evaporasi termal dalam sistem vakum dengan ketebalan 5765 A, di laboratorium Fisika FMIPA Ul Depok. Dilakukan karakterisasi optis dengan alat spektrofotomer NIR. Dengan menggunakan metode Hishikawa yang dibuat menjadi suatu program komputer, diperoleh parameter-parameter optis seperti indeks bias (n), koefisien absorpsi (ac) dan konstanta peredaman (k) serta lebar pita terlarang (E9). Karakterisasi listrik dilakukan dengan pengukuran konduktivitas terhadap temperatur antara 15 - 300 K, pengukuran tegangan Hall (VH), menentukan lebar pita terlarang dan kerapatan pembawa muatan (N) serta mobilitas (p.). Hasilnya menunjukkan suatu semikonduktor transisi Iangsung yang tidak diijinkan. Terdapat perbedaan hasil penentuan lebar pita terlarang antara metode optis dan listrik."

"(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 telah dihasilkan dari Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) yang doping Cu (x=1%, 2%, 4%) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan proses spin coating (3000 rpm, selama 30 detik), di atas permukaan substrat Si (1 0 0) dan Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). Proses thermal hydrolisis, pyrolisis dilanjutkan dengan annealing pada suhu 8000C untuk pembentukan kristal. Hasil karakterisasi XRD dengan penghalusan GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) sudah masuk dalam BST menjadi kristal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 dan menyebabkan perubahan jarak antar kisi dari kristal. Analisa struktur, mikrostruktur, morfologi dan topografi lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 berpengaruh terhadap hasil karakterisasi sifat listrik (polarisasi dan konstanta dielektrik). Polarisasi (spontan dan remanen) untuk BST murni lebih besar dibandingkan dengan BST yang di-doping Cu, tetapi doping Cu memperkecil medan koersif lapisan. Penggunaan substrat Pt/TiO2/SiO2/Si untuk penumbuhan lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, dapat memperkecil medan koersif dibandingkan dengan substrat Si. Telah dihasilkan konstan dielektrik dari lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 sebesar 900. Karakterisitik dielektrik dan medan koersif yang rendah dari penumbuhan lapisan BST diatas permukaan substrat, sangat baik untuk switching pada aplikasi memori ferroelektrik.

---

(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 fabricated from Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) with doping Cu (x=1%, 2%, 4%) used Chemical Solution Deposition (CSD) method and spin coating (3000 rpm, 30 second) process, on substrate Si (1 0 0) and Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). The Thermal process, hydrolisis, pyrolisis and annealing at temperature 8000C for crystallization. Characterization used XRD with refinement GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) doped in BST became crystal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 and changed lattice parameter of crystal. The structure, microstructure, morphology and topography of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 were analyzed and correlated to electronic properties of film (Polarization and Dielectric). The undoped BST had more high polarization (spontant and remanent) than BST with doping Cu, but doping Cu made decrease coersive field of film. The used substrate Pt/TiO2/SiO2/Si for growthing of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, could more decrease coersive field than used substrate Si. The dielectric constant of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 are 900. The dielectric properties, low coersive field of growth BST films on substrate propose for utilization in switching ferroelectric memory."