Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Pada tesis ini didesain dioda IMPATT menggunakan bahan silikon p+nn+ yang dapat dioperasikan pada frekuensi 25 GHz dengan dibuat model semi empirisnya, dianalisis, dan disimulasikan melalui program simulasi yang dijalankan pada perangkat lunak SPISCES2B, SSUPREM dan MATLAB, serta dibantu perangkat lunak WINMCAD dalam pembuatan model semi empirisnya. Hasil simulasi dan analisis menunjukkan bahwa dengan memperpanjang daerah n pada struktur p+nn+ akan berakibat menurunnya frekuensi operasi secara eksponensial. Di samping hal tersebut, nilai maksimum arus injeksi menjadi tidak stabil (berosilasi) bila dioda IMPATT dioperasikan di luar frekuensi operasinya, sehingga resistansi dinamik negatifnya menjadi tidak stabil. Pabrikasi dilakukan di Laboratorium TELKOMA LIPI Bandung dengan terlebih dahulu dibuat desain proses pabrikasinya yang menggunakan teknologi difusi planar. Kedalaman daerah p+ (hasil proses difusi) serta karakteristik I=V dioda IMPATT tersebut diukur untuk melihat tegangan breakdown yang dihasilkan divais tersebut, sehingga dapat ditentukan frekuensi operasinya. Hasil pengukuran dan analisis menunjukkan bahwa dioda IMPATT p+nn+ yang dipabrikasi tersebut mempunyai tegangan breakdown 30 Volt, dengan lebar daerah avalanche 0,6 µm, dan lebar daerah deplesi 2,6 µm, sehingga divais tersebut mempunyai frekuensi operasi 25 GHz."

"Tesis ini membahas tentang analisis dan perancangan divais dioda tunnel dari bahan silikon yang dipabrikasikan dengan menggunakan teknologi planar. Pabrikasi divais disesuaikan dengan teknologi, peralatan dam bahan yang tersedia pada Laboratorium Hikroelektronika, Puslitbang TELKOHA LIPI, Bandung sebagai tempat proses pembuatan. Dalam tesis ini dirancang 3 divais dioda tunnel, dengan berbagai konsetrasi impurity lapisan tipe n+, tetapi bentuk dan ukuran geometrinya saja. Ketiga rancangan tersebut disimulasikan dengan program perangkat lunak SPICES2B, HATLAB dan WINHCAD untuk nenperoleh kurva karakteristik I-V dan hubungan antara konsentrasi impurity bahan dengan untuk kerja untuk sinyal kecil. Unjuk kerja tersebut neliputi figure of merit, daya maksimum dan efisiensi. Ketiga rancangan dipabrikasi menggunakan teknologi difusi planar, parameter proses yang dipakai dari hasil simulasi program perangkat lunak SSUPREH. Hasil simulasi menunjukkan suatu karakteristik divais yang apabila konsentrasi impurity pada bahan tipe n+ (ND) dinaikkan, maka performasi dari dioda tunnel meningkat. Setelah dipabrikasi dan diukur, divais telah menunjukkan fenomena dioda tunnel."

"Pada penelitian ini dilakukan rancangan dan fabrikasi pernbuatan diode laser (DL) GaInAsP/InP ë. = 1300 µm, yang pelaksanaan nya dilakukan di LP3FT-LIPI Serpong. Dari hasil penumbuhan terdapat pergeseran sebesar 20 nm dari panjang gelombang yang diinginkan, dan untuk mendapatkan hasil yang diinginkan diadakan koreksi berat InAs terhadap In. Proses penumbuhan dilaksanakan dengan menggunakan LPE (liquit phase epitaksi) dimana lapis= Gain AsP yang terdici dari komposisi kristal murni InP, GaAs, InAs dengan doping kristal In-Te untuk tipe- n dan kristal In-Zn untuk tipe-p ditumbuhkan pada substrat InP sehingga terbentuk wafer. Karak edstik lapisan GaInAsP yang dikehendaki dapar ditentukan dengan memvariasikan berat relatif In P, GaAs, InAs terhadap berat In. Lapis= aktif DL ini adalah lapisan GaInAsP dengan panjang gelombang (ë) = 1300 nm. Hasil penumbuhan (wafer) dikarakterisasi dengan Optical Spectrum Analyser untuk mengetahui panjang gelombang yang ditumbuhkan dan Scanning Elektron Microscope untuk mengetahui ketebalan struktur kristal yang ditumbuhkan.Proses selanjutnya, untuk membuat stripe tedebih dahulu ditumbuhkan lapisan silikon (SiO2) diatas wafer dengan ketebalan 1000Ǻ 1200 Ǻ yang menggunakan RF sputtering, dan dengan bantuan photoresist, stripe tersebut dapat dibentuk melalui proses Photolithography. Setelah proses etsa, dimana lapisan SiO2 pada stripe dihilangkan dengan larutan HF, dapat dilakukan metalisasi melalui proses evaporasi dengan menggunakan Au-Zn untuk Khatoda dan Au-Sn untuk Anoda, yang sebelumnya didahului penipisan lapisan substrat dari 360 µm menjadi 00µm.Rancangan dioda stripe ini berhasil ditumbuhkan setelah keluar tungku kristal hasilnya berkilat seperti kaca dan. setelah dikarakterisasi dengan OSA ada panjang gelombang yang diinginkan.In this research we designed and fabricated the GaInAsP/InP Laser diode with ë = 1300 nm, in LP3FT-LIPI Serpong. From the result we obtained the wavelength shifted about 20 am, and to find the required wavelength we corrected the weight of InAs to In. The growth process was carried out using the liquid phase epitaxsi (LPE) where the GaAsInP layer consisted of the composition of the full crystallography of InP, GaAs, InAs with the doped crystal of InTe for n-type and InZn for P-type where grown at the InP-substrate to form the wafer. The characteristic of the required GaInAsP, layer can be determined with the variation of relative weight of InP GaAs, InAs to the weight of In. The active layer was GalnAsP layer with the wavelength of 1300 nm. The growth result was characteristic using the Optical Spectrum Analyser to know the growth wavelength and Scanning Electron Microscope to know the crystal thickness.

Future more to make the stripe we growth the SiO2layer in above of the wafer with 1000 Ǻ1200 Ǻthickness using the RF sputtering, and the stripe can be form by Photolithography process with the photoresist after the etching process where, the silicon oxide layer at the stripe removed by HF, we did the metallization by evaporation process using AuZn for Cathode and AuSn for Anode, where the lapping of substrate from 360 µm to be 100 µm was done previously.

The fabrication of stripe diode was success if the surface of the result will be like mirror and wavelength characteristic will occur by OSA."

"Pada Skripsi ini akan dibahas analisa disain divais menggunakan laser dioda dan Heterojunction Phototransistor yang berfungsi sebagai Light to Light Transducer. Latar belakang teori dan prinsip kerja dari laser Diode dan Heterojunction Phototransistor serta disain transduser juga akan dibahas pada Skripsi ini. Transduser melakukan pendeteksian cahaya, mengubah besaran optis ke dalam besaran listrik, diperkuat dan oleh Laser Dioda dipancarkan lagi sebagai besaran optis yang juga telah diperkuat, koheren dan monokromatis. Transduser ini dapat didisain dengan integrasi langsung secara vertikal dan Laser Diode dengan Phototransistor berbahan GaAs dengan dimensi 210 x 290 m2 dan penguatan maksimal 250 kali. Perhitungan dan analisa dilakukan pada daerah operasi panjang Gelombang 0.8-1.3 μm dan daya input 0-100 μW. Model preliminary Rangkaian yang dianggap dapat mewakili karakteristik struktur divais yang dirancang juga dibahas untuk mempermudah menganalisa dan memperhitungkan karakteristik divais."

"Lapisan tipis ZnO telah ditumbuhkan di atas substrate silikon menggunakan teknik pengkabutan ultrasonik (USP) dengan variasi temperatur tumbuh. Analisis struktur menggunakan difraksi sinar-X menunjukan bahwa struktur dari lapisan tipis ZnO adalah polikristal. Berdasarkan analisis morfologi menggunakan scanning electron microscopy (SEM), ketebalan dari lapisan tipis tidak homogen. Berdasarkan analisis morfologi menggunakan atomic force microscopy (AFM), tingkat kekasaran (roughness) semakin berkurang ketika lapisan tipis dianil pada temperatur 800°C (tanpa anil 36.543 nm, setelah anil 24.754 nm). Sementara, berdasarkan pengukuran Hall, hambatan berkurang dengan penambahan temperatur tumbuh, mobilitas Hall bertambah dengan penambahan temperatur tumbuh, densitas pembawa muatan bernilai 1.18×1016 cm-3, 8.59×1015 cm-3, dan 9×1015 cm-3 ketika temperature tumbuh bertambah. Secara optik, spectrum photoluminisen menunjukan karakter spesifik dari ZnO, yaitu memiliki dua emisi ultraviolet (UV) dan cahaya tampak (hijau). Uji photoluminisen pada temperatur rendah untuk lapisan tipis ZnO tanpa anil, emisi UV dan cahaya tampak mengalami penambahan. Sedangkan untuk lapisan tipis ZnO dengan anil, puncak cahaya tampak mengalami penyusutan. Energi yang berasal dari defek teramati pada level 1.62 eV, 2.16 eV - 2.18 eV, dan 2.46 eV - 2.55eV. Energi defek pada level 1.62 eV berasal dari transisi elektronik dari bawah energi pita konduksi ke vakansi oksigen (Vo). Energi defek yang berada pada interval 2.16 eV - 2.18 eV berasal dari interstisial oksigen sedangkan energi defek pada rentang 2.46 eV - 2.55eV berasal dari transisi elektron dari vakansi oksigen yang terionisasi ke pita valensi. Selanjutnya, telah didemonstrasikan salah satu aplikasi pada bidang optoelektronika, yaitu pembuatan divais struktur hetero lampu dioda berbasis ZnO yang mampu menghasilkan warna akibat dari fenomena impact excitation.

---

ZnO thin films have been deposited on top of Si substrate by ultrasonic spray pyrolisis (USP) at various growth temperatures. The structure analysis by X-ray diffraction shows that ZnO thin films has polycrystalline structure. The scanning electron microscopy (SEM) confirmed that the films thicknes are not homogenous. The atomic force microscopy (AFM) analysis shows the root means square (RMS) roughness of unannealed and atmosphere annealed (800°C) are 36.543 nm and 24.754 nm, respectively. According to Hall measurement, the resistivity of the films decreased with increasing temperatures. Hall mobilities increased when growth temperatures increased. The carrier density are 1.18×1016cm-3, 8.59×1015 cm-3, and 9×1015cm-3 when the temperatures 400°C, 450°C, and 500°C, respectively. Optically, the photoluminescence spectra shows typical of ZnO thin films which has two main peaks such as ultraviolet and green band.

The room temperature PL spectra show that the UV and green emission enhanced after annealing. At low PL spectra of annealed in atmosphere ambient, the green emission suppressed significantly. Some defect’s energy level were observed at 1.62 eV, 2.16 eV - 2.18 eV, and 2.46 eV - 2.55eV. The defect’s energy level 1.62 eV should be attributed to the electronic transition from the bottom of conduction band to the oxygen vacancy (Vo). The defect’s energy interval about 2.16 up to 2.18 eV originate from oxygen interstitial (Oi) and the defect's energy level about 2.5 eV (2.46 up to 2.55 eV) originate from the electron transition from the level of the ionized oxygen vacancies to the valence band. Finally, the device based ZnO heterostructure light emitting diodes (LEDs) have been demonstrated. It’s able to emit multicolour due to impact excitation."

"Pada era dimana energi sangat dibutuhkan seperti saat ini, alternatif sumber energi terutama pada energi listrik sangat dibutuhkan untuk mendukung kemajuan teknologi. Oleh karenanya dibutuhkan pemanfaatan terhadap potensi potensi sumber energi yang bisa berasal dari lingkungan sekitar kita. Dalam dunia telekomunikasi potensi energi bisa didapatkan dari frekuensi gelombang radio. Energi yang dipancarakan dari gelombang radio dapat dimanfaatkan dan dapat dikonversi menjadi energi listrik. Rectifier penyearah merupakan sebuah alat yang sangat penting dan berguna untuk mengubah listrik alernating current AC ke listrik direct current DC. Pada sistem energy harvesting, rectifier dengan efisiensi tinggi sangat dibutuhkan dan masih terus dikembangkan hingga saat ini. Differentially Driven Rectifier memiliki efisiensi yang tinggi namun bekerja pada level daya yang belum cukup rendah. Pada penelitian ini dilakukan simulasi dan fabrikasi rectifier dengan penggunaan metode konfigurasi teknik dual voltage DDR yang dapat bekerja pada frekuensi WLAN 2.4 GHz dengan level daya yang rendah.Dari hasil simulasi, parameter rectifier hasil perancangan didapat Insertion Loss S21 dan Return Loss S11 paling bagus sebesar -0.475 dB dan -24,373 dB pada frekuensi tengah 2,45 GHz dan memiliki bandwidth sebesar 200 MHz. Kemudian, rectifying circuit mampu menghasilkan daya keluaran sebesar 0,713 volt dengan nilai Pin = -12 dBm, RL = 2 k?. Dari hasil pengukuran, parameter rectifier hasil perancangan didapat Insertion Loss S21 dan Return Loss S11 paling bagus sebesar -2.65 dB dan -22.64 dB pada frekuensi tengah 2.42 GHz dan memiliki bandwidth sebesar 400 MHz. Kemudian, rectifying circuit mampu menghasilkan daya keluaran sebesar 0.543 volt dengan nilai Pin = -12 dBm, RL = 2 k?.

---

In an era where energy is needed as it is today, alternative sources of energy especially on electrical energy is needed to support technological advances. Therefore, the utilization of potential energy sources that can be derived from the environment around us. In the world of telecommunication energy potential can be obtained from the frequency of radio waves. The energy that radiated from radio waves can be utilized and can be converted into electrical energy.

Rectifier is a very important and useful tool to convert electric current AC to direct current DC . In the harvest energy system, high efficiency rectifiers are needed and are still being developed to date. Differential Driven Rectifiers have a high efficiency but work at a power level that is not yet low enough.

In this research, simulation and fabrication of rectifier using dual voltage DDR technique configuration method that can work at WLAN frequency 2.4 GHz with very low power is designed.From the simulation results, the results of the simulated rectifying circuit rsquo s Insertion Loss S21 and Return Loss S11 has achieved the value of 0.475 dB and 24,373 dB, respectively at center frequency 2.45 GHz and has a bandwidth of 200 MHz. Moreover, this rectifier is able to output power with a value 0,713 volt of Pin 12 dBm, RL 2 K.

From the measurement results, the results of the simulated rectifying circuit rsquo s Insertion Loss S21 and Return Loss S11 has achieved the value of 0.265 dB and 22.64 dB, respectively at center frequency 2.42 GHz and has a bandwidth of 400 MHz. Moreover, this rectifier is able to output power with a value 0,543 volt of Pin 12 dBm, RL 2 K."