Beranda
Tentang Kami
Profil
Fasilitas
Fasilitas Perpustakaan
Prosedur Peminjaman Fasilitas
Cara Berkunjung
Kunjungan Siva UI
Kunjungan Non UI
Kunjungan Kerja/ Kedinasan
Regulasi
Sanksi Keterlambatan
Biaya Pengunjung Non UI
Staf Perpustakaan
Koleksi
Koleksi Tercetak
Koleksi Elektronik
Naskah
Layanan
Waktu Layanan
Aktivasi Keanggotaan
Pinjam Kembali Buku
Surat Keterangan Bebas Pustaka
Layanan Referensi
Penelusuran Literatur
RISER
EDS
Pemeriksaan Kemiripan Dokumen
Salin File
UIANA
Panduan Penulisan
Penyerahan Karya Ilmiah
Akses Open-Membership
Koleksi
UI - Disertasi (Membership)
UI - Disertasi (Open)
UI - Laporan Penelitian
UI - Makalah dan Kertas Kerja
UI - Pidato
UI - Publikasi
UI - Skripsi (Membership)
UI - Skripsi (Open)
UI - Tesis (Membership)
UI - Tesis (Open)
UI - Tugas Akhir
UILib Berkala
Beranda
Tentang Kami
Profil
Fasilitas
Staf Perpustakaan
Koleksi
Koleksi Tercetak
Koleksi Elektronik
Naskah
Layanan
Waktu Layanan
Aktivasi Keanggotaan
Pinjam Kembali Buku
Surat Keterangan Bebas Pustaka
Layanan Referensi
Penelusuran Literatur
RISER
EDS
Pemeriksaan Kemiripan Dokumen
Salin File
UIANA
Panduan Penulisan
Penyerahan Karya Ilmiah
Akses Open-Membership
Koleksi
UI - Disertasi (Membership)
UI - Disertasi (Open)
UI - Laporan Penelitian
UI - Makalah dan Kertas Kerja
UI - Pidato
UI - Publikasi
UI - Skripsi (Membership)
UI - Skripsi (Open)
UI - Tesis (Membership)
UI - Tesis (Open)
UI - Tugas Akhir
UILib Berkala
Katalog
Site Map
FAQ
Akses cepat
Database Online
IOS
Unggah
Universitas Indonesia
Webmail UI
SIAK NG
SIPEG
EMAS
EDOM
SIRIP
SIPMA
DRPM
BPMA
DKIB
Registrasi Rekanan
Green
Beranda
Tentang Kami
Profil
Fasilitas
Fasilitas Perpustakaan
Prosedur Peminjaman Fasilitas
Cara Berkunjung
Kunjungan Siva UI
Kunjungan Non UI
Kunjungan Kerja/ Kedinasan
Regulasi
Sanksi Keterlambatan
Biaya Pengunjung Non UI
Staf Perpustakaan
Koleksi
Koleksi Tercetak
Koleksi Elektronik
Naskah
Layanan
Waktu Layanan
Aktivasi Keanggotaan
Pinjam Kembali Buku
Surat Keterangan Bebas Pustaka
Layanan Referensi
Penelusuran Literatur
RISER
EDS
Pemeriksaan Kemiripan Dokumen
Salin File
UIANA
Panduan Penulisan
Penyerahan Karya Ilmiah
Akses Open-Membership
Koleksi
UI - Disertasi (Membership)
UI - Disertasi (Open)
UI - Laporan Penelitian
UI - Makalah dan Kertas Kerja
UI - Pidato
UI - Publikasi
UI - Skripsi (Membership)
UI - Skripsi (Open)
UI - Tesis (Membership)
UI - Tesis (Open)
UI - Tugas Akhir
UILib Berkala
Beranda
/
Hasil Pencarian
Hasil Pencarian ::
Simpan CSV
::
Kembali
Hasil Pencarian
Ditemukan
1
dokumen yang sesuai dengan query
Herlan Martono
Derajat kristalisasi gelas sebagai perangkap limbah radioaktif beraktivitas tinggi
Abstrak :
Gelas borosilikat digunakan sebagai perangkap limbah cair aktivitas tinggi (LCAT) yang berasal dari proses olah ulang bahan bakar bekas. Kandungan LCAT dalam gelas adalah 20 % dan 30 % berat yang disebut gelas-limbah WL 20 dan WL 30. Radiasi gamma yang dipancarkan oleh hasil belah menimbulkan temperatur yang tinggi sehingga terjadi kristalisasi dalam gelas-limbah yang disebut devitrifikasi. Untuk mempelajari kristalisasi, gelas limbah simulasi dipanaskan pada temperatur antara 650 - 1100 °C dengan variasi waktu. Contoh yang diperoleh dianalisis menggunakan difraktometer sinar-X. Dari hasil percobaan diperoleh daerah kristalisasi dalam diagram TTT (Time-Temperature-Transformation) dari kristal Si yang terjadi, pengaruh waktu pemanasan terhadap derajat kristalisasi sebanding dengan atn (0,3
The borosilicate glass was used for immobilization of high-level liquid waste (HLLW), which was generated from the reprocessing plant of the spent fuel. The waste-glasses of the WL 20 and WL 30 contained HLLW 20 and 30-weight %, respectively. Gamma radiation was emitted from the fission product will give high temperature to the waste-glass so that crystallization was occurred and this phenomena known as devitrification. Simulated waste-glasses were heated at temperature between 650 - 1100 °C with various heating time in order to observe the crystallization. The samples of waste glasses were analyzed by X-ray diffractometer. The results of the experiments were obtained as the following : the crystallization area of the Si crystal was indicated in the TTT (Time-Temperature-Transformation) diagram, the influence of heating time towards crystallization grade is proportional to atn (0,3
Depok: Universitas Indonesia, 1992
T4128
UI - Tesis Membership
Universitas Indonesia Library
Cari yang mirip
Tambahkan ke Favorit
Metadata PDF
Abstrak PDF
Abstrak