Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"PendahuluanPada Penelitian RUT IX tahun I, telah dilakukan penumbuhan film tipis pyroelektrik PbZro.525Ti0,475O3 (PZT) dengan teknik spin coating dan karakterisasinya mencakup struktur mikro dengan teknik XRD, morfologi permukaan dengan teknik SEM, nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang tcrperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter serta nilai konduktivitas bahan dengan teknik I-V meter. Struktur kristal dari bulk dan film tipis PZT telah dipelajari secara mendalam dengan mengolah data XRD yang dilakukan pada Lab. XRD program studi Ilmu Material UI Salemba untuk memperoleh nilai konstanta kisi, Full width Half Maximum (FWHM) kristal dan ukuran butiran (grain size). Nilai polarisasi spontan dari PZT jugs dikaji secara teoritis. Struktur film tipis pyroeletrik yang dikembangkan berbentuk MOS (Metal = alumunim; Oksida = PZT; Semikonduktor = Si) dan kapasitor keping sejajar MOM (Metal = alumunium; Oksida = PZT; Metal = Platinum) dengan luas keping elektrode antara 0,25 mm2 - 1 mm2. 1.2. Permasalahan Pembuatan kapasitor berfungsi sebagai penyimpan muatan. Kapasitor memerlukan bahan ferroelektik dan pyroelektrik sebagai bahan dielektrik. Bahan pyroelektrik PZT yang dikaji dalam penelitian ini sangat sesuai sebagai bahan dielektrik kapasitor memori. Keunggulan pyroelektrik PZT adalah karena memiliki tetapan dielektrik yang cukup tinggi. Bahan ferroeletrik dan pyroelektrik PZT ini dapat terpolarisasi secara spontan dengan membalik arah medan listrik yang dikenakan pada bahan PZT. Masalah yang ada pada bahan ferroelektrik dan pyroelektrik PET adalah masih tingginya tingkat kebocoran arus. Mekanisme kebocoran arus pada bahan ferroelektrik disebabkan oleh kekosongan oksigen. Untuk menghindari masalah ini dilakukan penambahan kadar oksigen pada waktu melakukan proses annealing film tipis. Masalah yang dikaji dalam penelitian ini adalah : 1. mengoptimalisasi parameter penumbuhan film tipis PbZru,s3'Eiu,4703 di atas subtrat Si (100) dan Si(E00)/SiO21TiO2IPt (200) dengan metode Spin Coatiiig. 2. mempelajari karakterisasi film tipis PbZro,52sTia,47503 melalui pengujian struktur permukaan film tipis dengan difraksi sinar-X (XRD) dan SEMIEDAX, uji sifat listrik berupa resistiuilas dan konduktivitas dengan I-V meter, serta uji nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang terperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter?"

"The purpose of this experiment is to study the influence of 10% carbomide peroxyde and 0.4% stannous fluoride application on the crystallic of hydroxypatite in tooth enamel, by using x-ray diffraction method. Hydrogen peroxide solution and distilled water are used as control. The materials are applied for X hours in an incubator with 37"C and 100% humidity, for total 192 hours. The crystallite size and the lattice parameters are calculated from x-ray diffraction pattern, and the structure was then refined by Rieiveld analysis. lt can he concluded that carbamide pcroxyde and stannous fluoride do not influence neither the crystallic size of tooth enamel nor the lattice parameters, but they influence the micro strain in crystal. The X-ray diffraction on Ihc facial surface of enamel shows preferred orientation pattern at |002]."

"Composited tile was made using marble particles, phenol resin and hcxamethy leneleiramine (HEXA) as the catalyst. The matrix and hardener of these materials were mixed on volume variation from 62.50 ml to 12?,()<) ml. and on variation of 25. 40 and 60 mesh. Samples were dried in a room temperature for 3 hours. The compressive strength and crystal structure were analysed. The results showed that compressive strength values were in range of 6.15 x I07 N/m" - 9.61 x Id7 N/n. and there were two crystal structures consisted of marble crystal and phenol crystal. The analysis was carried out by using the Rietveld semi quantitative analysis. The final crystal structure of marble is rhombothedral, where the lanice constants arc a h =- 4.969 A: c = 17.026 A. This results indicate that the composites and marble can he used to make tile, because they were lighter, stronger and the amount of crystals increases compared with the pure marble."

"PZT (PbZr1-xTixO3) merupakan bahan berbentuk kristal perovskite yang dapat dimanfaatkan sebagai sensor inframerah. Penambahan sedikit dopan (bahan pendoping) dapat mengubah secara drastis karakteristik spesifik dari bahan keramik-ferroelektrik seperti polarisasi spontan, sifat dielektrik, sifat elektromekanik, elektrooptik dan sifat lainnya. Hard doping dengan menggunakan ion In3+ diaplikasikan pada penelitian ini dan dilakukan penumbuhan lapisan tipis dari bubuk PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2) pada substrat Si(100) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan konsentrasi 0,5 M dan kecepatan putar spin coating 3000 rpm. Karakteristik bahan PIZT baik bubuk maupun lapisan tipisnya diuji dengan difraksi sinar x. Analisis Rietveld dilakukan dengan menggunakan program GSAS-EXPGUI dan diperoleh parameter kisi dan komposisi fasa dari kristal. Polarisasi spontan (Ps) PIZT bubuk dan lapisan tipisnya mengalami penurunan dibandingkan dengan bahan asalnya (PZT). Polarisasi spontan yang optimum dari lapisan tipis PIZT dicapai pada rentang doping 0,5% - 1% In2O3. Momen quadrupol potensial listrik (�?�Q(r)) bahan PIZT pada suatu titik P (0,0,2a) mencapai kondisi optimum pada % doping 6% In2O3 dan dari hasil penelitian ini juga menunjukkan bentuk lapisan tipis PIZT memiliki nilai (�?�Q(r)) yang lebih baik daripada bentuk bubuknya untuk rentang doping > 1% In2O3.

---

The Calculation Spontaneous Polarization and Quadrupole Moment of Electric Potential PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2). PZT (PbZr1-xTixO3) is a perovskite crystal that can be used for IR sensor. Small amount of dopant can drastically change the specific characteristic of ferroelectric ceramic such as spontaneous polarization, dielectric constant, electromechanical and also electro-optic properties. The addition of In3+ ion (called as hard doping) has been applied in this research. Thin film of PIZT (PbInxZryTi1-x-yO3-x/2) has been deposited on Si(100) substrate with Chemical Solution Deposition (CSD) method. The concentration of solution is 0,5 M and the angular speed applied of spin coating is 3000 rpm. The PIZT sample has been analyzed with x-ray diffraction method. Rietveld analyses using GSAS-EXPGUI software resulted lattice parameter of crystal and phase compositions of PIZT samples. The values of all sample PIZT spontaneous polarization (Ps) have been calculated lower than PZT. The optimally Ps was reached at 0,5% to 1% In2O3 doping. Quadrupole moment of electric potential (�?�Q(r)) at point P (0,0,2a) reached optimum at 6% In2O3 doping and they also showed that PIZT thin film have �?�Q(r) higher value than their bulk form for In2O3 doping >1%."