Ditemukan 1 dokumen yang sesuai dengan query
Tarigan, Kontan, author
ABSTRAK
Untuk mengurangi cacat pada kristal tunggal silicon dengan orientasi (100) yang telah ditumbuhkan dengan Metode Czochralski, telah dilakukan penganilan terhadap wafer-wafer kristal dengan variasi temperatur 1000, 1100 dan 1200 °C, serta waktu anil 6, 12 dan 24 jam. Metode yang digunakan dalam pengamatan cacat kristai adalah Metode Permukaan (etch...
Depok: Universitas Indonesia, 1997
T-Pdf
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library