Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang barbeda. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Heterojunction Bipolar Transistor merupakan bipolar transistor yang mempunyai ketipisan di bawwh 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1.xGex sebagai basis. Kandungan Ge sampai 50% dapat digabungkan dengan Si standard BJT (bipolar junction transistor), dengan ketipisan 10 sampai 50 nm pada basis. Pada penelitian ini dibuat rancangan Heterojunction Bipolar Transistor Si/Si1_xGex/Si dengan memperhitungkan mobilitas hole dengan doping yang tinggi sehingga diperoleh nilai resistansi basis yang rendah yang dapat memberikan nilai frekuensi maximum (Fmax) yang optimum .Untuk mendapatkan nilai resistansi basis yang rendah pada divais digunakan doping yang tinggi NB=5.I02° cm-3. Di samping nilai resistansi basis yang rendah juga diperlukan nilai frekuensi transit (fr) yang tinggi. Untuk memperoleh frekuensi transit yang tinggi tersebut digunakan model struktur divais dengan NE=1018 cm-3, NB=5.1020 cm-3 dan WE=50 nm. Lebar basis dibuat bervariasi antara 10-50 nm dengan kenaikan 10 nm dan fraksi mole (x) Ge dibuat bervariasi antara 0.04 sampai 0.20 dengan kenaikan 0.04. Dari rancangan HBT yang diteliti tersebut hasil perhitungan menunjukkan bahwa pengurangan lebar basis dari 50 nm menjadi 10 nm pada HBT dengan NE=10' cm 3, NB=5.102° cm-3, WE =50 nm dan x=0.20 dapat meningkatkan frekuensi Transit dari 46 GHz menjadi 173 GHz, sedangkan besarnya frekuensi maximum dari 102 GHz menjadi 196 GHz.

Abstrak :
HBT Pengganda Frekwensi adalah HBT yang menghasilkan keluaran frekwensi dua kali lipat dari pada frekwensi masukan. Prinsip kerja dari HBT pengganda frekwensi adalah memanfaatkan sifat tak linier dari divais aktif, yaitu divais aktif yang diberi masukan sinyal sinusoid akan menghasilkan sinyal sinusoid dengan frekwensi sama dengan sinyal masukan dan sinyal sinusoid dengan frekwensi yang merupakan kelipatan bulat dari frekwensi sinyal masukan. Berdasarkan referensi dinyatakan bahwa, dengan HBT linier, frekwensi maksimum (fmax) pada saat operasional hanya 1/3 dari fmax, pada saat didisain, sedangkan dari referensi yang lain, pengganda frekwensi dengan menggunakan Si/SiGe HBT pernah didisain dengan frekwensi maksimum (fmax) pada saat disain, adalah 67 GHz dan pada saat operasional mampu menghasilkan frekwensi maksimum (fmax) 55 GHz. Dengan demikian metoda pengganda frekwensi dengan menggunakan HBT mampu menghasilkan efisiensi yang lebih baik dari pada HBT linier. Dalam penelitian ini dirancang pengganda frekwensi dengan fmax 120 GHz dengan HBT Si/SiGe. Metode disain menghasilkan frekwensi maksimum (fmax) 115 GHz, yang berarti mendekati frekwensi maksimum yang diinginkan. Pada uji performansi dengan menggunakan gummel plot dihasilkan penguatan arus yang stabil, dan pada uji arus kolektor diketahui tegangan breakdown 4 V.

---

HBT frequency doublers is HBT which provide output frequency two times multiplication than input Frequency. Basic operation of frequency doublers is to take an advantage from non linear behavior of an active device that is if an active device has sinusoidal input signal, it would provide sinusoidal signal which has same frequency with input signal and sinusoidal signal which has frequency n- times multiplication than input signal. Based on one of reference its claim that fmax from linear HBT, has maximum operational frequency (fmax operational) only one third than maximum frequency (fmax) than it was design. From another reference claim that using Si/SiGe HBT frequency doublers method which have had design and implemented Si/SiGe HBT frequency doublers was designed with fmax 67 GHz and resulted maximum operational frequency 55 GHz. That?s mean Si/SiGe HBT can achieve better frequency than linear HBT. The purpose of this research is to designed and simulated Si/SiGe HBT frequency doubler with 120 GHz Using Si/SiGe HBT. Design method can achieve 115 GHz, that?s mean close to needed frequency. On the performance experiment using gummels plot measurement resulted that device has stable current amplification and from collector current experiment its provide that?s device breakdown is 4 V.

Abstrak :
Pada teknologi Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cell (PEMFC), pelat bipolar merupakan komponen penting yang berfungsi sebagai media pengumpul dan pentransfer elektron dari anoda menuju katoda. Penelitian ini difokuskan dalam pemilihan material serta fabrikasi komposit berbasis matriks polimer dengan penguat karbon. Bahasan utama penelitian ini ialah studi mengenai pengaruh penambahan fraksi volum penguat Multi Wall Carbon Nano Tubes (MWCNT) sebesar 0.1%; 0.5%; dan 1% dan penambahan fraksi volum tembaga (Cu) sebesar 0.1%, 0.2%, dan 0.5% terhadap konduktivitas listrik dan sifat mekanis material pelat bipolar berbasis nano komposit MWCNT/PP-Cu. Material dikarakterisasi melalui pengujian tarik, pengujian tekuk, pengujian densitas, pengujian porositas, pengujian konduktivitas listrik, analisa gugus fungsi dengan menggunakan Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) dan pengamatan permukaan patahan tekuk material pelat bipolar menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM). Hasil penelitian menunjukkan bahwa penambahan fraksi volum penguat MWCNT dan Cu dapat meningkatkan nilai konduktivitas listrik, kekuatan tarik, modulus elastisitas, elongasi, kekuatan tekuk serta mereduksi densitas dan porositas material pelat bipolar.

---

In Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cell (PEMFC) technology, bipolar plate is used to collects and transfers electron from the anode to the cathode. This research focuses on material selection of composite based on polymeric matrix and carbon reinforcements to fabricate the bipolar plate material. The main discussion in this research is the analysis of addition of volume fraction multiwall carbon nano tubes (MWCNT) reinforcement equal to 0.1%; 0.5%; 1% and addition of volume fraction of copper reinforcement equal to 0.1%; 0.2%; and 0.5% to the mechanical and electrical conductivity properties of bipolar plate material based on nano composite MWCNT/PP-Cu. The material is characterized using tensile testing, flexural testing, density testing, porosity testing, electrical conductivity testing, functional groups analysis using Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR), chemical composition analysis using Energy Dispersed Spectroscopy (EDS), and observation of flexural fracture of bipolar plate using Scanning Electron Microscope (SEM). The results of this research show that addition of volume fraction multiwall carbon nano tubes (MWCNT) and copper (Cu) reinforcement increases the electrical conductivity, ultimate tensile testing, modulus of elasticity, elongation at break, flexural strength and also reduces the density and porosity of bipolar plate material.