Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Polymeric insulators are widely used now days due to some advantages such as compact design.light,handy and easy to instalk therefore less installatio cost....."

"Riset ini difokuskan pada karakteristik linier arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dalam rentang temperatur dari 50K hingga 250 K serta karakteristik arus-tegangan dan konduktansi dioda P-N Silikon skala nano doping tinggi pada temperatur 5,5K. Untuk itu dioda P-N dan P-I-N dengan konsentrasi doping tinggi difabrikasi pada wafer ultra tipis berstruktur silicon-oninsulator (SOI). Dari hasil fabrikasi telah diperoleh konsentrasi doping tinggi Boron dan Phosphorus pada divais dioda mencapai 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, berturut-turut. Pengukuran karakteristik arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dilakukan pada beberapa divais dengan lapisan intrinsik sepanjang 200 nm dan 700 nm. Linieritas arus pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan rentang temperatur dari 50 K hingga 250 K menunjukkan divais ini sesuai untuk sensor temperatur rendah. Pada pengukuran juga diperoleh data bahwa dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi menghasilkan arus yang lebih tinggi saat temperatur diturunkan dalam rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V. Selain itu juga diperoleh data bahwa divais skala nano dengan lapisan intrinsik yang lebih panjang dan lebih lebar akan menghasilkan arus yang lebih tinggi pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan temperatur dari 50K hingga 250K. Hasil pengukuran pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi pada rentang forward bias hingga 0,1 Volt maupun rentang reverse bias hingga -0,1 Volt menghasilkan beberapa puncak konduktansi yang menunjukkan kesesuaian nilai dengan level energi density of state dua dimensi (2D DOS) dan level energi kombinasi phonon pada temperatur 5,5K. Pada forward bias, level energi diskret heavy hole, light hole, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga 0,1 Volt. Demikian juga halnya pada reverse bias, level energi diskret elektron 2-fold valley, 4-fold valley, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga -0,1 Volt. Transport elektron pada dioda P-N Silikon dalam skala nano doping tinggi akan mengalami puncak konduktansi saat elektron memiliki energi yang sama dengan level diskret energi 2D DOS. Hal ini membuktikan adanya phonon-assisted tunneling pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi.

---

This report is focused on linier current-voltage (I?V) characteristic of highly-doped nanoscale Silicon P-I-N diodes at temperature from 50K to 250K and also I-V and conductance characteristics of highly-doped nanoscale Silicon P-N diode at temperature 5.5K. For that purpose, we fabricated nano scale P-I-N and P-N diodes within ultra thin silicon-on-insulator (SOI) structures. From fabrication, we achieved high doping concentrations of Boron and Phosphorus in SOI diodes, 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, respectively.

Measurement of current-voltage characteristics of highly-doped nanoscale silicon PIN diode is performed on devices with intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm. The current linearity under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature range from 50K to 250K shows that these devices are suitable for lowtemperature sensor. The measurement data shows also that highly-doped nanoscale silicon PIN diode produces higher current when the temperature is lowered under forward bias from 1.5 V to 2.0 V. In addition, the data shows that nanoscale devices with longer and wider intrinsic layer would generate higher current under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature from 50K to 250K.

Measurement of highly-doped nanoscale silicon P-N diode under forward bias to 0.1 Volt and also reverse bias to -0.1 Volt results conductance peaks that show relationship with two-dimensional density of state (2D DOS) and phonon combination energy level at temperature 5.5K. Under forward bias, discrete energy level of heavy hole, light hole and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range 0.1 Volt. Also under reverse bias, discrete energy level of electron 2-fold valley, 4-fold valley and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range -0.1 Volt. Electron transport of highly-doped nanoscale silicon P-N diode will experience conductance peaks when it has equal energy with 2D DOS discrete energy level. It proves the existence of phonon-assisted tunneling on highly-doped nanoscale silicon P-N diode."

"ABSTRAKBerbeda dengan metode disain kapasitas dimana gedung menyerap seluruhgaya gempa, dasar pemikiran dan sistem isolasi seismik adalah mereduksi gaya gempasebesar mungkin melalui sistim isolator yang fleksibel, dengan memperbesar periodealami bangunan agar tidak berada pada periode gempa bumi, sehingga respons sertadaktilitas yang dibutuhkan struktur cukup kecil, dan otomatis akan mengurangi biayakonstruksi.Berdasarkan sifat dan kelakuannya isolator dapat dibeclakan atas 2 _pnis yaituisolator linier clan non-linier. Pada isolator linier lendutan yang terjadi sebandingdengan gaya, dengan demikian kekakuan dan periode isolator konstan, sedangkanisolator non-linier sebaliknya. Non-linieritas dari isolator bisa berasal dari sifat material, dari bentuk geometrik atau dari gabungan keduanya.Kelebihan isolator non-linier dalam mengontrol respon struktur bersifat semiaktif karena kemampuannya untuk mengatur fleksibilitas bangunan, dimana pada saatgaya kecil struktur memiliki kelcakuan besar dan periode kecil, sedangkan pada saatgaya besar lcekakuan menjadi keeil, dan periode strulctur membesar. Karena itu isolator non-linier memberikan tingkat kenyamanan yang lebih lnaik karena fleksibilitas struktur berubah menurut kebutuhan. Disamping itu sifat non-linieritas lebih mewakili keadaan yang sebenarnya.Skripsi ini akan membahas isolator non-linier geometrik dan pengaruhnyaterhadap strulrtur balok geser. Pada skripsi ini non-linieritas isolator berasal dari bentuk geometri bukan dari material. Model non-linier geometrik dipilih karena kemudahannya dalam mengidealisasikan bentuk non-linier yang diinginkan, Untuk mendapatkan hubungan antara beban dan lendutan dibuat program sederhana menggunakan bahasa Fortran 5.2, sedangkan analisa respon struktur balok geser (lendutan atas, percepatan atas, Iendutan bawah, percepatan bawah dan base shear) berdasarkan pengembangan program sebelumnya, Tujuan akhir dari skripsi ini adalah mernodelkan lsolator non linier geometrik dan melakukan pengujian eksperimental.

---

"

"Ada beberapa metode kontrol struktur dalam perencanaan struktur tahan gempa, salah satunya adalah sistem base isolation yang merupakan teknologi yang relatif baru di Indonesia. Dengan menggunakan base isolation, efek gempa akan direduksi melalui sistem yang fleksibel dan teredam. Fleksibilitas base isolation akan memperbesar periode struktur sehingga menjauhi periode getar predominan gempa dan redaman akan memperkecil amplitude respon struktur terhadap beban gempa. Untuk mengetahui kineria base isolation, penelitian dilakukan dalam 3 variasi. Variasi pertama merupakan variasi ketinggian struktur dengan menggunakan struktur beraturan 4, 6, dan 8 lantai serta menggunakan struktur tidak beraturan 8 lantai dengan loncatan bidang muka dari lantai 2, 4, dan 6 lantai. Variasi kedua dilakukan untuk mengetahui pengaruh karakteristik base isolation terhadap kinerjanya. Kekakuan horizontal dari Base isolation yang digunakan divariasikan sehingga menghasilkan periode isolator 1,5-3 detik. Sedangkan variasi ketiga merupakan variasi periode gempa dari 0,6-1,4 detik dengan menggunakan gempa sinusoidal. Dalam setiap variasi, perilaku dan respon struktur terisolasi dibandingkan dengan struktur terjepit. Perilaku dan respon struktur yang dianalisa meliputi: pola getar dan periode getar struktur, gaya geser tingkat, rasio simpangan antar tingkat, lendutan, percepatan total, dan gaya dalam elemen struktur.Dari hasil analisa, terlihat bahwa respon struktur terhadap beban gempa bumi dapat direduksi dengan memperbesar periode getar alami struktur sehingga menjauhi periode getar predominan gempa dan memperbesar redaman struktur. Base isolation cukup efektif dalam memperbesar periode getar alami struktur, khususnya struktur yang pendek. Efektivitas base isolation semakin berkurang seiring dengan bertambahnya ketinggian struktur karena periode struktur bertambah besar dengan bertambahnya ketinggian struktur. Struktur dengan bentuk yang berbeda namun memiliki periode yang hampir sama, jika menggunakan base isolation dengan karakteristik yang sama akan memiliki efektivitas yang hampir sama. Karakteristik base isolation mempengaruhi efektivitasnya. Semakin fleksibel base isolation yang digunakan maka akan semakin besar periode struktur terisolasinya sehingga kinerjanya semakin baik."

"ABSTRACTThe complex and fascinating properties of a material often arises due to interactions among electrons as well as between electrons and other constituents of the material. A common model to describe the strongly correlated electronic system with strong on site Coulomb interaction is Hubbard model. It is usually aimed to theoretically address physical properties resulting from the strong correlations in the system. As Hubbard model generally cannot be solved exactly, one very powerful approximation method having been widely used over the last few decades is Dynamical Mean Field Theory DMFT . The theory maps the original lattice problem into an effective single impurity problem embedded in a self consistent bath. Apart from the many variants of the implementation of the method, it relies on using an impurity solver as part of its algorithm. In this work, rather than solving a Hubbard model, we aim to explore the impurity solver itself for solving a problem of metallic host doped with correlated elements which is described with Anderson Impurity Model AIM . In particular, we use the stochastic distributional exact diagonalization method. Here we try to understand more about how the metal insulator transition MIT in the system occurs, and how the MIT phenomenon reflects in its optical conductivity for various physical parameters.

---

ABSTRAKProperti dari sebuah material yang begitu kompleks sering muncul karena interaksi antar elektron atau juga antara elektron dengan komponen pengganti lain dari material. Suatu model umum untuk menjelaskan sistem elektronik terkorelasi kuat dengan interaksi Coulomb dalam situs elektron yang kuat adalah model Hubbard. Model ini biasanya ditujukan untuk secara teori menunjukkan properti fisis yang dihasilkan dari korelasi kuat di dalam sistem. Karena model Hubbard secara umum tak dapat diselesaikan secara eksak, ada satu metode pendekatan yang sangat baik yang dipakai beberapa dekade belakangan yaitu Dynamical Mean-Field Theory DMFT . Teori ini memetakan problem kisi asli menjadi problem impuritas tunggal efektif yang tertanam dalam suatu bath yang konsisten pada dirinya sendiri. Terlepas dari adanya berbagai varian dari implementasinya, metode ini bergantung pada penggunaan impurity solver sebagai bagian dari algoritmanya. Pada penelitian ini kami tidak bertujuan menyelesaikan model Hubbard. Yang kami ingin capai dalam penelitian ini adalah mengeksplorasi impurity solver itu sendiri untuk menyelesaikan problem dari suatu host metallic yang di-doped dengan elemen-elemen terkorelasi yang dideskripsikan dengan Anderson Impurity Model AIM . Secara khusus, kami menggunakan metode stochastic distributional exact diagonallization. Di sini kami mencoba untuk memahami lebih lanjut bagaimana metal-insulator transition MIT terjadi di dalam sistem, dan bagaimana fenomena MIT tercermin dalam konduktivitas optisnya untuk berbagai macam parameter fisis."

"Contents : - Editor - Authors - Abbreviations - Chapter 1: Introduction - Chapter 2: Overview of SIMOX technology: historical perspective - Chapter 3: Fundamental processes in SIMOX layer formation: ion implantation and oxide growth - Chapter 4: SIMOX/SOI processes: flexibility based on thermodynamic considerations - Chapter 5: Electrical and optical characterisation of SIMOX substrates - Chapter 6: SIMOX material technology from R&D to advanced products - Subject Index "