Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Molybdenum disulfide (MoS2), yang merupakan bagian dari kelompok material yang disebut dengan transition metal dichalcogenides, menarik banyak perhatian dikarenakan sifat-sifat fisis yang unik yang dimilikinya. Single layer material ini mengalami transisi indirect band gap ke direct band gap, yang karenanya dapat dimanfaatkan untuk berbagai aplikasi optoelektronik. Untuk mempelajari struktur pita (band structure) dari material ini secara detail. pendekatan first-principles seperti density functional theory (DFT) menjadi pilihan populer. Namun, terdapat tantangan yang besar untuk menggunakan pendekatan tersebut untuk menghitung dengan benar efek yang ditimbulkan akibat korelasi kuat antar elektron. Saat ini, telah diperkenalkan sebuah pendekatan yang menggabungkan DFT dengan apa yang disebut dengan GW+BSE untuk menghitung efek interaksi elektron-elektron dan elektron-hole. Dalam tesis ini, kami mempelajari sifat-sifat optik 1H- dan distorted 1T'-MoS2 dengan mengikutsertakan dalam perhitungan interaksi antar elektron dalam kerangka GW dan elektron-hole dengan menyelesaikan persamaan Bethe-Salpeter (BSE). ......Molybdenum disulfide (MoS2), which belongs to transition metal dichalcogenides, has attracted great attention mainly due to their unique physical properties. A single layer of this material undergoes indirect to direct band gap transition, which enables a wide range of optoelectronic applications. To explore the details of the band structure of this material. a first-principles approach such as density functional theory (DFT) has become a popular choice. However, apart from its well-established formulation, it remains a big challenge to use such an approach to capture effects arising from correlations among the electrons correctly. Nowadays, an approach to combine DFT with a so-called GW+BSE to address the effects of electron-electron and electron-hole interactions, has been introduced. In this thesis, we study the optical properties of 1H- and distorted 1T-MoS2 taking into account electron-electron interaction within GW approximation and electron-hole interaction by solving Bethe-Salpeter equation (BSE).

Abstrak :
ZnO nanorods adalah salah satu material semikonduktor yang banyak digunakan dalam fotodetektor karena memiliki luas area aktif yang besar, serapan cahaya yang tinggi, dan mudah difabrikasi. Namun demikian, arus gelap yang tinggi menjadi masalah utamanya. Untuk itu, salah satu upaya yang dilakukan adalah dengan membuat heterostructure ZnO dengan material semikonduktor lain. Dalam penelitian ini dibuat fotodetektor zinc oxide (ZnO) dengan jua jenis MoS₂ yaitu MoS₂ few-layer dan MoS₂ many-layer yang akan dideposisi diatas ZnO dengan metode spin coat. Pengujian fotodetektor dilakukan dibawah penyinaran sinar UV (365 nm) dan cahaya tampak (505, 625 nm) pada tegangan 2V. Hasil penelitian menunjukkan adanya peningkatan kinerja dari segi sensitivitas, responsivitas, dan detektivitas setelah penmabahan MoS₂. Peningkatan kinerja ini diakibatkan oleh penurunan arus gelap yang mungkin disebabkan oleh pasivasi permukaan yang dapat menekan jumlah muatan bebas dari defect ZnO.

---

ZnO nanorod is a semiconductor material that is widely used in photodetector device because it has large active area, high light absorption, and  easy to manufacture. However, the high dark currents were the main problem. For that, one of the efforts made is to make the ZnO heterostructure with other semiconductor materials. In this research, zinc oxide (ZnO) photodetector was made with two types of MoS₂, namely multiple-layer MoS2 and many-layer MoS2 which will be deposited on ZnO with the spin coat method. Photodetector testing was carried out under UV light (365 nm) and visible light (505, 625 nm) at a voltage of 2V. The results showed an increase in performance in terms of sensitivity, responsivity, and detectivity after the deposition of MoS₂. The increase in performance is due to decrease in dark currents which may be due to surface passivation which can reduce the amount of free charge from the ZnO defect.

Abstrak :
ABSTRAK Seng oksida (ZnO) adalah bahan semikonduktor dengan bandgap 3,3 eV yang dapat digunakan sebagai material sensing. Namun ZnO berbasis sensor kelembapan masih mempunyai kekurangan yaitu kurang sensitif. Nanokomposit ZnO dengan bahan logam transisi dikalkogen (TMD) seperti molibdenum disulfida (MoS2) adalah salah satu cara untuk menaikkan performa sensing ZnO. Adanya n-n junction pada permukaan ZnO dan MoS2 dapat meningkatkan konduksi proton didalam lapisan air. Pada penelitian ini, nanorod ZnO disintesis diatas indium tin oxide elektroda dengan metode ultrasonic spray pyrolisis dan metode hydrothermal. MoS2 di eksfoliasi dengan metode eksfoliasi fase liquid dan di deposisi ke atas nanorod ZnO dengan metode spin coat. Respon kapasitif pada sensor berupa perubahan kelembapan relatif yang didapat dengan menggunakan gas chamber yang dapat divariasikan tingkat kelembapannya. Hasil eksfoliasi menghasilkan few-layer MoS2 yang terdiri dari 3-5 lapisan dengan bandgap 2,44 eV. Selain itu terdapat 51,68% MoO3 yang menunjukkan setengah dari MoS2 telah teroksidasi. Deposisi MoS2 1x pada ZnO menghasilkan kinerja sensor RH nanorod ZnO dengan peningkatan CResponse pada RH90% dari 1083 menjadi 1767, peningkatan sensitivitas dari 0,19 pF/%RH menjadi 0,31 pF/%RH, peningkatan kurva histerisnya dan penurunan waktu respon dan waktu pemulihan. Hal ini mungkin karena terbentuknya n-n junction antara permukaan ZnO dengan MoS2 sehingga akan muncul accumulation layer yang dapat meningkatkan respon terhadap kelembapan.

---

ABSTRACT Zinc oxide (ZnO) is a semiconductor material with a bandgap of 3.3 eV which can be used as sensing material. However, ZnO-based humidity sensor still has drawbacks such as poor sensitivity. The nanocomposite of ZnO with transition metal decalchogenides (TMDs) such as molybdenum disulfide (MoS2) is one approach to enhance the ZnO sensing performance. The formation of n-n junction at the interface ZnO and MoS2, it leads to improve the proton conduction inside water layers. In this work, ZnO nanorods were synthesized on the indium tin oxide electrodes via ultrasonic spray pyrolisis and hydrothermal methods. MoS2 were exfoliated with liquid phase exfoliation method and then spin-coated method on the surface of ZnO nanorods. The exfoliation process produced a few-layer MoS2 consisting of 3-5 layers with a bandgap of 2.44 eV. In addition, there are 51.68% MoO3 indicating that half of MoS2 has been oxidized. The deposition of MoS2 one time on ZnO nanorods enhance the performance of the RH sensor with an increase in CResponse at RH90% from 1083 to 1767, an increase in sensitivity from 0.19 pF/% RH to 0.31 pF/% RH, an increase in hysteresis curve and a decrease in response time and recovery time. This is probably due to the formation of n-n junctions between the surface of ZnO and MoS2 so that an accumulation layer could increase the response of sensor to humidity.