Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200 °C, 300 °C and 400 °C- The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200 °C, 300 0C and 400 0C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 °C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C. 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400 °C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400 °C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400 °C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A.

---

Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200 0C, 300 oC dan 400 0C_ Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 'DC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200 0C, 300 oC dan 400 0C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400 oC inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A.

Abstrak :
ABSTRAK Keluarga perovskite SrNbO 3 ? merupakan photocatalysist yang baik. Dengan penambahan oksigen yang bervariasi menyebabkan sifat-sifat optis dan transportnya berubah. Sejauh informasi yang diperoleh, belum ada penelitian yang menjelaskan sifat-sifat optis berupa grafik dalam daerah energi foton. Oleh sebab itu kami ingin memberikan perhitungan berupa grafik kurva dielektrik beserta sifat transport nya. Karena itu kami termotivasi mempelajari sifat optik dari keluarga material SrNbO3 ? , yaitu SrNbO 3 dan SrN bO 3.5 dengan metode Densitiy Functional Theory DFT . Penelitian sebelumnya menunjukan bahwa SrNbO3 dan SrNbO3.5 adalah material dengan korelasi yang lemah. Dari perhitungan yang didapat, energi fermi SrN bO 3 berada di daerah conduction band yang mengindikasikan bahwa material ini bersifat metal, begitu juga pada kurva dielektrik menunjukan sifat metal.Sementara SrN bO 3.5 adalah material yang memiliki energi fermi berada di daerah band gapnya, dari kurva dielektriknya material SrN bO 3.5 bersifat insulator.

---

ABSTRACT The perovskite family of SrNbO is a good photocatalyst. With the addition of oxygen varies causing optical properties and transport changes. As far as the information obtained, there has been no research that explains the optical properties of graphs in range of photon energy. Therefore we want to give a calculation in the form of dielectric curve graph and its transport properties. We are therefore motivated to study the optical properties of the SrN bO 3 material family, ie SrN bO 3 and SrN bO 3.5 with the textit Densitiy Functional Theory DFT method.Previous research has shown that SrN bO 3 and SrN bO 3.5 are materials with weak correlations. From the calculations obtained, the fermi energy SrN bO 3 is in the conduction band area indicating that this material is metal. While SrN bO 3.5 is a material that has fermi energy in the band gap region, from its dielectric curveSrN bO 3.5 is an insulator.

Abstrak :
ABSTRAK
Bi 2 Se 3 merupakan salah satu material topologi insulator (TI) yang telah menjadi
topik yang menarik untuk menyelidiki sifat-sifat dari bahan tersebut, bukan hanya
karena sifatnya namun karena aplikasi untuk masa depan. Selama bertahun-tahun,
penelitian bahan topologi insulator telah menjadi target pengembangan fotode-
tektor untuk telekomunikasi, gambar medis, dan penciuman gas. Bahan topologi
insulator berbeda dengan metal dan insulator biasanya. Di bagian permukaan,
bahan ini bersifat seperti metal, dan di sisi luarnya, bahan ini menunjukkan ciri
seperti insulator dengan celah pita yang kecil. Dalam riset kali ini, DFT digunakan
untuk memperhitungkan sifat-sifat ground-state bahan ini. Sementara, untuk
sifat excited-state menggunakan teori many-body perturbation dikoreksi dengan
menggunakan aproksimasi GW dan perhitungan spektrum absorpsi di terapkan
melalui persamaan BSE (Bethe-Salpeter Equation)untuk melengkapi studi efek
dari interaksi elektron-elektron dan elektron-hole.

---

ABSTRACT
Bi 2 Se 3 , one of the topological insulators (TIs) has spawned a lot of interest to
further investigate properties of this material, not only because of its natural
importance, but also its applications for future devices. Over the past few years ap-
plied research on TIs has been targeted to develop photodetectors of near-infrared
wavelengths for telecommunication, medical imaging, and gas sensing. TI is
different from simple metal or insulator in the sense that the inside part is insulating
while its surface is metallic due to the presence of gapless surface states, meaning
that electrons can only move along the surface of the material. In this work, Density
functional theory (DFT) is used to calculate the ground state properties of Bi 2 Se 3
.While its excited state properties are corrected within GW approximation and the
calculation on optical spectra are implemented by Bethe-Salpeter Equation (BSE)
using many body perturbation theory (MBPT) to complete the study of the effect
of electron-electron and electron-hole interactions.

Abstrak :
Sebagai bahan semikonduktor. CuInSe2 yang berbentuk serbuk ( powder ) telah dibuat menjadi lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi thermal. Lapisan yang dihasilkan, didapat dari dua kali evaporasi dengan temperatur substrat yang berbeda masing-masing 150 °C dan 200 °C. Untuk lapisan tipis dengan temperature substrat 150 °C diannealing pada atmosfir Selenium. sedangkan lapisan tipis dengan temperatur substrat 200 °C diannealing dalam ruang vakum selama 10 menit pada temperatur 200 °C. Selanjutnya pengukuran sifat optik dan sifat listrik dilakukan terhadap ketiga bagian sampel. antara lain; sampel lapisan tipis yang belum diannealing dalam ruang vakum/diannealing pada atmosfir Selenium, yang diannealing dalam ruang vakum dan yang diannealing pada atmosfir Selenium yaitu untuk dikarakterisasi. Dari hasil pengkarakterisasian dilaporkan bahwa, dengan proses annealing pada atmosfir Se dan ruang vakum bentuk spektrum transmisi dan reflektansi terlihat lebih halus. Kedua lapisan tipis ini baik yang diannealing dalam ruang vakum maupun diannealing pada atmosfir Selenium memiliki resistivitas sekitar ( 2.2 s/d 2.5 ) ohm cm dengan type konduktivitasnya cenderung lebih banyak type - N dari pada type - P.

Abstrak :
ABSTRAK
Seng oksida (ZnO) telah diaplikasikan sebagai pemanas transparan. Namun, penelitian tentang mikrorod ZnO sebagai pemanas transparan belum dikembangkan. Pada penelitian ini dilakukan fabrikasi lapisan tipis mikrorod ZnO dengan metode chemical bath deposition. Material yang digunakan yaitu zinc nitrate tetrahydrate dan heksametilentetramine. Varibel pada penelitian ini yaitu konsentrasi larutan bibit sebesar 0.005, 0.010, 0.015, 0.025, dan 0.050 M serta perlakuan hidrotermal pada sampel 0.015 M. Karakterisasi mikrorod ZnO dilakukan dengan menggunakan XRD, FESEM, UV-Vis dan four point probe. Hasil penelitian menunjukkan peningkatan konsentrasi larutan mampu menurunkan celah pita energi, E_g mikrorod ZnO yaitu 3.60 menjadi 3.18 eV dan meningkatkan ukuran kristalit yaitu 41.541 hingga 95.076 nm. Diameter terbesar mikrorod ZnO yaitu 288.252 nm pada konsentrasi 0.015 M. Selain itu, peningkatan konsentrasi larutan menyebabkan transmitansi dan resistivitas turun yaitu masing-masing sebesar 72% menjadi 35% dan 0.787 x10^-4 menjadi 0.013 x 10^-4 Ωcm. Perlakuan hidrotermal pada sampel 0.015 M menyebabkan penurunan diameter dari 288. 252 menjadi 125.824 nm dan meningkatkan ukuran kristalit serta menurunkan E_g yaitu masing-masing 71.198 menjadi 165.696 nm dan 3.25 menjadi 3.19 eV. Selain itu, perlakuan hidrotermal menurunkan transmitansi dan resistivitas  yaitu masing-masing sebesar  50.5% menjadi 38% dan  1.126 x 10^-4 menjadi 0.833 x 10^-4 Ωcm. Perlakuan hidrotermal menghasilkan pemanas transparan yang optimum.

---

Zinc oxide (ZnO) has been applied as a transparent heater. However, research on ZnO microrod as transparent heaters has not been developed. In this study, the fabrication of microrod ZnO was carried out by using the chemical bath deposition method. The material used is zinc nitrate tetrahydrate and hexamethylentetramine. The variables in this study were the concentration of seed solutions of 0.005, 0.010, 0.015, 0.025, and 0.050 M and the hydrothermal treatment in the sample 0.015 M. The characterization of ZnO microrod was carried out using XRD, FESEM, UV-Vis and four point probes. The results showed an increase in solution concentration was able to reduce the energy band gap, E_g of ZnO microrod which is 3.60 to 3.18 eV and increase the size of the crystallite which is 41.541 to 95.076 nm. The largest diameter of ZnO microrod is 288.252 nm at a concentration of 0.015 M. In addition, an increase in the concentration of the solution causes transmittance and resistivity to decrease, from 72% to 35% and from 0.787 x10^-4 to 0.013 x 10^-4 Ωcm, respectively. The hydrothermal treatment of 0.015 M sample caused a decrease in diameter from 288. 252 to 125.824 nm and increased the size of the crystallite and lowered Eg, from 71.198 to 165.696 nm and from 3.25 to 3.19 eV, respectively. In addition, it has decreases transmittance and resistivity from 50.5% to 38% and from 1.126 x 10^-4 to 0.833 x 10^-4 Ωcm, respectively. The hydrothermal treatment produces optimum transparent heaters.

Abstrak :
Heterostruktur SnWO4/ZnO berhasil disintesis menggunakan ekstrak daun kersen (Muntingia calabura L.) dan diamati aktivitas fotokatalitiknya terhadap fotodegradasi zat warna metilen biru dibawah sinar tampak. ZnO memiliki celah pita semikonduktor lebar dan relatif murah. Sementara SnWO4 merupakan material yang sangat menjanjikan untuk aplikasi fotokatalitik di daerah sinar tampak karena celah pita semikonduktor yang sempit meskipun laju rekombinasi photogenerated electrons-holes tinggi dan mobilitas elektron rendah. Kehadiran SnWO4 untuk membentuk heterostruktur dengan ZnO berhasil meningkatkan kinerja fotodegradasi terhadap zat warna metilen biru. Ekstraksi daun kersen dilakukan dengan metode maserasi dan dilakukan uji fitokimia untuk mendeteksi adanya metabolit sekunder seperti alkaloid, flavonoid, polifenol, dan tanin yang berperan dalam pembentukan SnWO4/ZnO. Hasil karakterisasi menggunakan Spektrofotometeri UV-Vis DRS menunjukkan heterostruktur SnWO4/ZnO memiliki nilai celah pita 2,68 eV yang dihitung berdasarkan persamaan Kubelka Munk. Konfirmasi terbentuknya SnWO4/ZnO dan struktur kristalnya melalui karakterisasi XRD dan identifikasi gugus fungsi melalui Spektrofotometri FTIR. Morfologi heterostruktur dan komposisi atom penyusun diamati melalui SEM-EDS. Aktivitas fotokatalitik SnWO4 murni, ZnO murni, dan SnWO4/ZnO dilakukan terhadap reaksi fotodegradasi zat warna metilen biru sebagai model polutan zat warna di bawah kondisi penyinaran dan tanpa penyinaran sinar tampak, serta kondisi dengan fotokatalis dan tanpa fotokatalis. Aktivitas fotokatalitik heterostruktur SnWO4/ZnO menunjukkan persentase degradasi terbaik 80,86 % dengan massa optimal 1 mg. Sementara SnWO4 dan ZnO murni memiliki nilai persentase degradasi masing-masing 69,48 % dan 40,41 %. ......In this study, heterostructure SnWO4/ZnO has been successfully synthesized by Muntingia calabura L. leaf extract and it demonstrated good photocatalytic activities toward photodegradation of methylene blue under visible light. ZnO has a wide semiconductor bandgap and quite inexpensive. On the other hand, SnWO4 is a very promising material for photocatalytic applications in visible light areas due to its narrow semiconductor bandgap, despite high photogenerated electrons-holes recombination rates and low electron mobilities. The presence of SnWO4 to form heterostructures with ZnO successfully enhancing its photodegradation performance of methylene blue dyes. Muntingia calabura L. leaf extraction was performed by maceration method and a phytochemical test is conducted to detect the presence of secondary metabolites such as alkaloids, flavonoids, polyphenols, and tannins that play a role in the formation of SnWO4/ZnO. Characterization of the materials using UV-Vis DRS Spectrophotometer showed that SnWO4/ZnO has 2,68 eV bandgap value based on the Kubelka Munk equation. Confirmation of SnWO4/ZnO and its crystalline structure through XRD characterization and the identification of functional groups via FTIR Spectrophotometry. Heterostructure morphology and the atomics constituent composition of SnWO4/ZnO are observed through SEM-EDS. The photocatalytic activities of pristine SnWO4, pristine ZnO, and heterostructure SnWO4/ZnO were conducted toward degradation of methylene blue dyes as a model of dyes pollutant under irradiation conditions and without visible irradiation as well as conditions with photocatalysts and without photocatalysts. Photocatalytic activities of SnWO4/ZnO heterostructure show the best degradation percentage of 80.86 % with an optimal photocatalyst mass of 1 mg. While pristine SnWO4 and ZnO have percentage degradation values of 69.48% and 40.41% respectively.

Abstrak :
ABSTRAK
Antimony (Sb) doped tin oxide (ATO) merupakan salah satu material transparan yang telah mendapatkan popularitas lebih akhir-akhir ini karena sangat berperan penting terhadap teknologi. transparansi tinggi pada cahaya tampak, konsentrasi dan mobilitas elektron tinggi membuat ATO sebagai bahan penting untuk oksida transparan konduktif, display flat-panel, sel surya, jendela arsitektur perangkat optoelektronik dan sensor gas. Dalam penelitian ini, lapisan tipis antimony doped-tin oxide (ATO) dibuat dengan biaya rendah dan sederhana menggunakan metode ultrasonic spray pyrolysis. Lapisan tipis ATO telah ditumbuhkan dengan menvariasikan konsentrasi doping antimon (0%, 1%, 2%, 3% Sb) dan waktu deposisi (10, 20, 30 menit). Sifat struktural, morfologi, optik dan listrik dari lapisan ini telah dianalisis dengan difraksi sinar-X, mikroskop elektron, UV-VIS dan instrumen four point probe. Analisis XRD menunjukkan bahwa semua lapisan polikristalin dengan struktur kristal tetragonal. Analisis sifat optik dan listrik menunjukkan bahwa konsentrasi optimum doping Sb telah diperoleh untuk meningkatkan transparansi dan meningkatkan konduktivitas listrik lapisan tipis timah oksida

---

ABSTRACT
Antimony (Sb) doped tin oxide (ATO) is one transparent material that has gained its popularity more recently due to their great technological importance. High transparency in the visible light, high concentration and mobility of electron makes ATO as an important material for the field of transparent conducting oxide, flat-panel display, solar cell, architectural windows optoelectronic devices and gas sensor. In this study, Sb doped-tin oxide (ATO) thin films has been fabricated by low cost and simple, ultrasonic spray pyrolysis method. ATO thin films have been deposited with various antimony doping concentrations (0%, 1%, 2%, 3% Sb) and time deposition (10, 20, 30 minutes). The structural, morphological, optical and electrical properties of these films have been analyzed by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, UV-VIS and four point probe instruments. XRD studies show that all films are polycrystalline with tetragonal crystal structure. The optic and electric properties studies show that the concentration optimum of Sb doping has been obtained to increase transparency and improve the electrical conductivity of tin oxide thin film.

Abstrak :
Material low band gap baru tipe-p Poly 2,2 39;- 2,5-bis 2-octyldodecyl -3,6-dioxo-2,3,5,6- tetrahydropyrrolo[3,4-c] pyrrole-1,4-diyl dithieno[3,2-b]thiophene-5,5 39;- diyl-alt-thiophen-2,5-diyl telah menarik banyak perhatian untuk aplikasi sebagai material fotoaktif pada divais elektronik seperti pada sel surya dan fotodetektor. Modifikasi morfologi pada lapisan fotoaktif menjadi tantangan karena panjang difusi exciton pada semikonduktor organic terbatas hanya 10-20 nm. Oleh karena itu, bentuk dan struktur material semikonduktor organic menggunakan template AAO untuk membuat berbagai macam struktur nano seperti nanotube,nanorod, dan struktur nano yang lain semakin menarik perhatian peneliti. Pada penelitian ini, sintesis dan karakterisasi sifat optik dan struktur material PDPPBTT nanotube telah dilakukan. Struktur PDPPBTT nanotube telah dibuat dengan menggunakan AAO template yang diinfiltrasi dengan metode sentrifugasi. Larutan polimer dibuat dengan dua konsentrasi, yaitu 5 mg/mL dan 10 mg/mL dan dilakukan variasi kecepatan putar centrifuge yaitu 3000, 3500 dan 4000 rpm. Karakterisasi sifat optik dilakukan dengan UV-Vis spektrofotometer dan Photoluminescence, karakterisasi morfologi dengan FESEM dan analisis struktur dengan Raman. Berdasarkan hasil UV-Vis, intensitas serapan PDPPBTT 5 mg/mL pada kecepatan putar 3000 rpm menunjukkan hasil yang paling tinggi dibandingkan dengan kecepatan putar yang lain. Hal ini juga didukung dengan hasil pengujian morfologi yang memperlihatkan struktur nanotube pada 3000 rpm lebih panjang dan rapat. Selain pengaruh kecepatan putar, penelitian ini juga membahas tentang pengaruh konsentrasi larutan. Larutan dengan konsentrasi 10 mg/mL terlihat lebih baik dibandingkan dengan konsentrasi 5 mg/mL, hal tersebut dapat dilihat dari hasil pengujian morfologinya. Konsentrasi 10 mg/ml struktur nano nya sangat rapat dan kuat sehingga membentuk rumpun clump . Hal ini berkaitan dengan transfer muatan yang terjadi pada material PDPPBTT. Dari hasil Photoluminescence, konsentrasi yang besar juga berpengaruh terhadap mekanisme intra atau intermolekul pada rantai polimer, hal itu terlihat pada hasilnya yang mengalami penurunan intensitas dan redshift. Berdasarkan penelitian ini, material PDPPBTT berpotensi kuat untuk dapat diaplikasikan dalam sebuah divais optoelektronik.

---

The novel highly conductive low band gap p type materials, Poly 2,2 39 2,5 bis 2 octyldodecyl 3,6 dioxo 2,3,5,6 tetrahydropyrrolo 3,4 c pyrrole 1,4 diyl dithieno 3,2 b thiophene 5,5 39 diyl alt thiophen 2,5 diyl has attracted numerous attention for potential applications as a photoactive material of optoelectronic devices such as solar cells and photodetector. The morphological control of the photoactive layer remains a challenge due to the exciton diffusion length of organic semiconductors is limited to 10 20 nm. Therefore the patterning of organic semiconducting materials using hard templates for fabrication of nanostructures such as nanotubes, nanorods, and other novel nanostructures attracted increasing attention. In this study, synthesis and characterization of optical properties and structure of PDPPBTT nanotube have been performed. The structure of PDPPBTT nanotubes have been made using AAO templates infiltrated by centrifugation method. Polymer solution was made with two concentrations 5 mg mL and 10 mg ml. Moreover, the centrifuge rotation speed which were used varied from 3000, 3500 and 4000 rpm. The characterization of optical properties was performed with UV Vis spectrophotometers and Photoluminescence, morphological characterization with FESEM and structural analysis with Raman spectroscopy. Based on the UV Vis results, the absorbance of PDPPBTT with 5 mg mL at 3000 rpm showed the highest value compared to other rotation speed. It rsquo s also supported by the results of morphological test which showed longer length and denser distribution at 3000 rpm rotation speed. Moreover, the effect of concentration on optical property, morphology, and structure have also been studied. The solution with 10 mg mL concentration showed better result compared to 5 mg mL concentration. The morphological measurement showed that the nanostructure obtained from 10 mg ml concentration formed a dense and strong clump. This is related to the charge transfer that occurs on PDPPBTT material. Photoluminescence measurement showed that difference in concentration value affect the intra or intermolecular mechanism in the polymer chain. This could be seen from extremely decrease of intensity and redshift which is found from the result of photoluminescence measurement.

Abstrak :
ABSTRAK
Material perovskite merupakan material yang memiliki sifat fisika dan sifat kimia yang menarik, sehingga memiliki potensial sebagai bahan multiferroic. Material multiferroic merupakan material yang memiliki sifat fisika lebih dari satu. Untuk mendapatkan material multiferroic dilakukan salah satu cara yang disebut subsititusi kation parsial. Substitusi kation parsial ini dapat dilakukan dengan cara menganti setengah dari kation site -B dengan B' dan B" yang disebut dengan double perovskite. Adapun rumus umum double perovskite yaitu A2B'B"O6. Pada penelitian ini, material double perovskite Sr2FeMnO6 dengan variasi precursor Mn-Cloride dan Mn-Nitrate telah berhasil disintesis menggunakan metode sol-gel. Adapun hasil dari sintesis berupa sampel kalsinasi dan sintering. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa material double perovskite dengan variasi precursor Mn-Cloride dan Mn-Nitrate memiliki struktur dan space group yang sama yaitu cubic dengan space group Fm3m. Hasil uji Uv-Vis menunjukkan bahwa material ini memiliki dua nilai band gap energy yaitu optical gap dan fundamental energy gap. Dimana untuk nilai optical band gap berkisar diantara 3.12-3.33 eV dan nilai fundamental energy gap berkisar diantara 4.07-4.08 eV. Material double perovskite dengan Sr2FeMnO6 dengan precursor Mn-Nitrate memiliki nilai kosntanta dielektrik lebih besar dibandingkan dengan dengan precursor Mn-Cloride.

---

ABSTRACT
Perovskite material is a material that has interesting physical and chemical properties, so it has potential as a multiferroic material. Multiferroic material is a material that has more than one physical property. To get multiferroic material, one method is called partial cation substitution. This partial cation substitution can be done by replacing half of the cation site -B with B' and B" called double perovskite. The general formula for double perovskite is A2B'B"O6. In this study, the Sr2FeMnO6 double perovskite material with variations of the Mn-Cloride and Mn-Nitrate precursors was successfully synthesized using the sol-gel method. The results of the synthesis are calcined and sintering samples. The XRD characterization results show that the double perovskite material with variations of the Mn-Cloride and Mn-Nitrate precursors has the same structure and space group, namely cubic with Fm3m space group. Uv-Vis test results show that this material has two band gap energy values, namely optical gap and fundamental energy gap. Where for optical band gap values range between 3.12-3.33 eV and fundamental energy gap values range between 4.07-4.08 eV. Double perovskite material with Sr2FeMnO6 with Mn-Nitrate precursors has a greater dielectric value than Mn-Cloride precursors.