Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
ABSTRAK
Penumbuhan lapisan tipis Barium Strontium Titanat (Ba1-xSrxTiO3) dengan berbagai doping telah berhasil dilakukan di atas substrat Pt/Si menggunakan metode Chemical Solution Deposition yang disiapkan dengan spin coating. Ada tiga tahap penting dalam pembuatan lapisan tipis dengan metode ini yaitu pembuatan Iarutan, proses spin coating, dan proses annealing. Optimalisasi parameter-parameter yang terkait dengan proses pembuatan lapisan tipis telah dilakukan yang meliputi jenis substrat, jumlah lapisan, kecepatan dan waktu putar pada proses spin coating, suhu dan waktu annealing, heating rare. Optimalisasi parameter penumbuhan lapisan tipis Ba1-xSrxTiO3 di atas substrat yang disiapkan dengan spin coater adalah keoepatan putar saat proses spin coating, 3000 rpm selama 30 detik dengan suhu annealing 800°C selama 3 jam dengan heating rare 2°C/menit. Pada variasi berbagai ion dopan yang diberikan pada BST didapatkan lanthanum merupakan ion dopan yang sangat baik untuk meningkatkan sifat ferroelektrik untuk aplikasi memori karena dengan pemberian 1% mol dopan lanthanum bisa menaikkan polarisasi remanen sekitar 37% dan menurunkan medan koersif sekitar 0,8%.

---

ABSTRACT
Barium Srontium Titanate thin films (Ba1-xSrxTiO3) with variation ion dopant have been developed on Pt/Si substrates by using Chemical Solution Deposition method followed by spin coating. There are three steps for deposition of thin films: solvent preparation, spin coating process, and annealing process. Optimalisation of the parameters related to the dcpostion of thin films process have been done by varying the substrates, quantity of layers, angular velocity and time of spin coating process, temperature and time of annealing, and the heating rate. The optitmnn parameters of Ba1-xSrxTiO3; thin film deposition on substrate Pt/Si was found at 3000 rpm angular velocity of spin coating process for 30 second at annealing temperature 800°C for 3 hours with heating rate 2°C/menit. On varying the ion dopant given on BST, lanthanum was found to be the best ion dopant to increase ferroelectric properties for memory application, here 1% mol dopant lanthanum can increase remanen polarization approximately 37% and reduce coersif field approximately 0,8%.

Abstrak :
Material multi lapisan Barium Titanat (BaTiO3)/Barium Zirconium Titanat (BaZrTiO3) berhasil ditumbuhkan pada substrat silikon (Si). Lapisan tersebut disintesis dengan metode Chemical Solution Deposition yang diikuti dengan Spin Coating. Dalam sintesis lapisan BTO/BZT tersebut dilakukan variasi siklus heat treatment pada proses penambahan lapisan. Lapisan dikarakterisasi dengan XRD dan SEM guna melihat mikrostruktur serta morfologi yang terbentuk. Parameter sintesis lapisan didapatkan pada lapisan BTO/BZT dengan kecepatan putar 3000 rpm dengan proses pemanasan (1 Siklus). Terjadi peningkatan crystallite size yang sebanding dengan peningkatan kristalinitas pada lapisan dengan proses pemanasan (1Siklus). Crystallite size yang didapatkan kisaran diameter 42-48 nm.

---

A multilayered material Barium Titanate (BaTiO3)/Barium Zirconium Titanate (BaZrTiO3) has been successfully grown on a silicon substrate. The aforementioned layer was synthesized employing the Chemical Solution Deposition method and Spin Coating method. Temperature cycle variation was conducted within the synthesis process of the layer addition process. The layer was characterized using XRD and SEM in order to observe the microstructure and the morphology of the newly added layer. Layer formation of BTO has been optimized at 3000 rpm in one temperature cycle. There was a proportional increase of crystallite size in respect to the increase in the crystalinity of the layer within one temperature cycle. Crystallite size obtained ranges from 42-48nm in diameter.

Abstrak :

Laboratorium Nano Device Universitas Indonesia telah mengembangkan OLED yang difabrikasi dengan teknik laminasi. Dalam teknik laminasi, lapisan anoda (TC-07S) ditumbuhkan pada permukaan substrat plastik laminasi dan lapisan emisif (PFO) ditumbuhkan pada permukaan katoda (Al). Setelah ditumbuhkan, lapisan anoda dan lapisan emisif direkatkan dan diberikan bahan dielektrik untuk mencegah terjadinya arus singkat. Selanjutnya, divais OLED dilaminasi dengan memberikan tekanan dan suhu tertentu. Pada skripsi ini, dilakukan analisa pengaruh penggunaan bahan dielektrik kapton dan lem laminasi terhadap performa divais OLED. Pengujian lebih lanjut dilakukan dengan variasi pemberian tekanan untuk mengetahui tekanan optimal yang diperlukan dalam proses laminasi divais OLED. Hasil pengujian menunjukkan bahwa OLED dengan bahan dielektrik kapton memiliki tegangan aktif yang lebih rendah dan kemampuan hantar arus yang lebih baik dibandingkan dengan OLED berbahan dielektrik lem laminasi. Berdasarkan hasil dari pengujian lanjut yang dilakukan, didapatkan bahwa divais yang diberi gaya tekanan sebesar 245 N memiliki lifetime yang paling lama dan kemampuan hantar arus yang terbaik.

---

The University of Indonesia Nano Device Laboratory has developed OLEDs that are fabricated with lamination techniques. In the lamination technique, the anode layer (TC-07S) is grown on the surface of the laminated plastic substrate and the emissive layer (PFO) is grown on the cathode surface (Al). Once grown, the anode layer and the emissive layer are glued together and given a dielectric material to prevent a short circuit. Furthermore, the OLED device is laminated by giving a certain pressure and temperature. In this study, an analysis of the use of kapton and lamination glue on the performance of OLED devices was carried out. Further testing is carried out with variations in amount of pressure to determine the optimal pressure required in the process of laminating OLED devices. The test results showed OLED with kapton dielectric material has a lower active voltage and better current conductivity compared to OLED made with laminated dielectric glue. Based on the further results of the tests, a device with a pressure force of 245 N has the longest lifetime and greatest current conductivity.