Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Penelitian ini bertujuan untuk mengoptimalkan performance dari peralatan yang digunakan dalam pembuatan lapisan tipis (film), yang meliputi catu daya evaporator, pengukur tekanan, pengukur temperatur dan pengukur tebal lapisan tipis, agar dapat bekerja secara terintegrasi dan terkendali.Beberapa hal yang dilakukan dalam penelitian ini adalah mendisain dan membuat rangkaian pengendali temperatur, memperbaiki rangkaian pengukur tekanan, serta memodifikasi rangkaian catu daya evaporator agar dapat dikendalikan secara otomatis oleh pengukur laju evaporasi.Pada akhir penelitian ini:1. Temperatur lapisan tipis (film) selama evaporasi dapat dijaga konstan pada temperatur tertentu yang diinginkan dengan fluktuasi ± 5 %.2. Tekanan ruang vakum dapat diukur menggunakan sebuah pengukur tekanan, baik untuk mengukur tekanan yang lebih besar dari 10-3 mbar dengan metode termal maupun tekanan yang lebih kecil dari 10-3 mbar dengan metode ionisasi. Pergantian dua metode pengukuran tekanan tersebut berlangsung secara otomatis.3. Laju evaporasi, proses pemanasan awal (pre deposisi) dan tebal akhir lapisan tipis yang diinginkan dapat diprogram sebelumnya. Daya listrik yang diberikan catu daya ke evaporator diatur sepenuhnya oleh rangkaian pengendali.Oleh karena proses pembuatan lapisan tipis dengan cara evaporasi termal ini bekerja secara otomatis maka kualitas lapisan tipis yang dihasilkannya akan lebih baik dan bersifat repetitif."

"Fourier transform infrared (FTIR) microspectrometry was used to characterize thin conducting films of poly[2 methoxy-5(2-ethylhexylox)-1,4] phenyelenevinylene (MEH-PPV)....."

"Sebagai bahan semikonduktor. CuInSe2 yang berbentuk serbuk ( powder ) telah dibuat menjadi lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi thermal. Lapisan yang dihasilkan, didapat dari dua kali evaporasi dengan temperatur substrat yang berbeda masing-masing 150 °C dan 200 °C. Untuk lapisan tipis dengan temperature substrat 150 °C diannealing pada atmosfir Selenium. sedangkan lapisan tipis dengan temperatur substrat 200 °C diannealing dalam ruang vakum selama 10 menit pada temperatur 200 °C. Selanjutnya pengukuran sifat optik dan sifat listrik dilakukan terhadap ketiga bagian sampel. antara lain; sampel lapisan tipis yang belum diannealing dalam ruang vakum/diannealing pada atmosfir Selenium, yang diannealing dalam ruang vakum dan yang diannealing pada atmosfir Selenium yaitu untuk dikarakterisasi. Dari hasil pengkarakterisasian dilaporkan bahwa, dengan proses annealing pada atmosfir Se dan ruang vakum bentuk spektrum transmisi dan reflektansi terlihat lebih halus. Kedua lapisan tipis ini baik yang diannealing dalam ruang vakum maupun diannealing pada atmosfir Selenium memiliki resistivitas sekitar ( 2.2 s/d 2.5 ) ohm cm dengan type konduktivitasnya cenderung lebih banyak type - N dari pada type - P."

"Sifat ferroelektrik lapisan tipis BST yang didoping dengan In2O3 dan struktur kristal serta morfologi permukaannya telah diuji. Lapisan tipis BST 1M dan BST 1M doping In2O3 dengan variasi prosentase doping (1%, 2%, 4%) dideposisikan pada substrat Si (111). Proses penumbuhan lapisan tipis pada substrate menggunakan metode CSD (chemical solution deposition) dengan teknik spin-coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Proses annealing dilakukan pada temperatur 750ºC untuk substrat Si (111) selama 1 jam. Sistem kristal dan orientasi lapisan tipis BST dan BIST diuji dengan difraksi sinar-X dan dilakukan penghalusan (refinement) dengan analisa Rietveld menggunakan GSAS.Hasil penghalusan dengan GSAS diperoleh fasa BST yang terkandung pada Lapisan Tipis BST 1M, BIST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat silikon) bersesuaian dengan Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) dengan sistem kristal kubik dan parameter kisi (a) berturut-turut 3,947Å, 3,953Å, 3,971Å, 3,970Å. Hasil SEM lapisan tipis BST dan BIST 1M menunjukkan bahwa morfologi permukaan relatif sudah homogen. Nilai polarisasi spontan Lapisan Tipis pada substrat Si (111) untuk BIST 1M 1% adalah 22,964µC.cm-2, BIST 1M 2% adalah 14,544µC.cm-2 dan BIST 1M 4% adalah 34,768µC.cm-2.......The ferroelectrics properties of BST thin film doped by In2O3 and crystal structure and its morphologic surface have been tested. The BST 1M and BST 1M thin films doped by In2O3 with varied percentage of doping (1%, 2%, 4%) are deposited on Si substrate (111). The process of growing thin films on Si substrate uses CSD (chemical solution deposition) method with spin-coating technique at spinning speed of 3000 rpm for 30 seconds. For Si substrate (111), annealing process runs at 750ºC for one hour.Crystal system BST and BIST thin films orientation is tested using X-Ray diffraction, while refinement is conducted with rietveld analysis using GSAS. Refined items with GSAS produce BST phases contained in thin films of BST 1M, BIST 1M 1%, 2% and 4% (silicone substrate) corresponding to Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) with cubic crystal system and lattice constant (a) of 3,947Å, 3,953Å, 3,971Å, 3,970Å respectively. Results of BST and BIST thin films for SEM indicate that the surface morphology is relatively homogeneous. The values of thin film spontaneous polarization on Si substrate (111) for BIST 1M 1%, BIST 1M 2%, and BIST 1M 4% are respectively 22,964µC.cm-2, 14,544µC.cm-2, and 34,768µC.cm-2."

"Akumulasi logam berat pada tanah pertanian terus menjadi isu yang mengkhawatirkan. Salah satu sumber kontaminasi logam berat yang paling umum dapat berasal dari sumber irigasi pertanian yang tercemar, di antaranya logam Pb dan Cr. Kontaminasi logam berat dari sumber irigasi dikhawatirkan dapat terakumulasi di tanah dan tanaman. Kini, pengujian bioavailibiltas logam dalam tanah hingga ke tanaman pangan terus mengalami perkembangan, terlebih lagi pada pengamatan terhadap spesiasi senyawanya menggunakan metode ekstraksi bertahap. Teknik pengukuran sampling logam dilakukan secara in situ dengan metode diffusive gradients in thin films (DGT). Pada penelitian ini dilakukan pengukuran DGT dengan modifikasi pengunaan methylenebisacrylamide (MBA) sebagai crosslinker. Aplikasi DGT dilakukan untuk untuk mengetahui serapan Pb dan Cr pada tanaman Amaranthus hybridus. Berdasarkan hasil penelitian, diperoleh distribusi terbanyak Pb dan Cr pada tanah ada pada fraksi 3 (terikat dengan Fe-Mn) dan fraksi 4 (terikat dengan material organik) dengan kisaran 18,5-25,07% dan 62,95-73,65%. Senyawa MBA dapat digunakan sebagai crosslinker pada membran DGT dengan nilai koefisien difusi Cr 2,7 ×10−6 cm2/s dan Pb 2,15 ×10−6 cm2/s . Akumulasi Pb dan Cr pada A.hybridus terjadi pada bagian akar, batang, dan daun. Akumulasinya juga meningkat seiring dengan penambahan spike di tanah dengan dominansi di akar 0,77-3,01 mg/kg Cr dan 22,73-69,69 mg/kg Pb. Korelasi pengukuran CDGT dengan spike logam pada tanah serta akumulasinya di A.hybridus menunjukkan bahwa DGT dapat menjadi media prediksi serapan Pb dan Cr pada tanaman ini.......Accumulation of heavy metals in agricultural soils continues to be a worrying issue. One of the most common sources of heavy metal contamination can come from contaminated agricultural irrigation sources, including Pb and Cr metals. It is feared that heavy metal contamination from irrigation sources can accumulate in soil and plants. Now, testing the bioavailability of metals in the soil to food plants continues to develop, especially in observing the speciation of their compounds using the stepwise extraction method. The metal sampling measurement technique was carried out in situ using the diffusive gradients in thin films (DGT) method. In this study, the measurement of DGT was carried out with the modified use of methylenebisacrylamide (MBA) as a crosslinker. The DGT application was carried out to determine the uptake of Pb and Cr in Amaranthus hybridus plants. Based on the results of the study, the highest distribution of Pb and Cr in the soil was in fraction 3 (bound to Fe-Mn) and fraction 4 (bound to organic matter) with a range of 18.5-25.07% and 62.95-73.65 %. The MBA compound can be used as a crosslinker on DGT membranes with a diffusion coefficient of Cr 2.7 ×10−6 cm2/s and Pb 2.15 ×10−6 cm2/s . Pb and Cr accumulation in A. hybridus occurred in the roots, stems, and leaves. Its accumulation also increased with the addition of spikes in the soil with dominance in the roots of 0.77-3.01 mg/kg Cr and 22.73-69.69 mg/kg Pb. The correlation of CDGT measurements with metal spikes in the soil and its accumulation in A. hybridus showed that DGT could be a predictor of Pb and Cr uptake in this plant."

"(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 telah dihasilkan dari Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) yang doping Cu (x=1%, 2%, 4%) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan proses spin coating (3000 rpm, selama 30 detik), di atas permukaan substrat Si (1 0 0) dan Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). Proses thermal hydrolisis, pyrolisis dilanjutkan dengan annealing pada suhu 8000C untuk pembentukan kristal. Hasil karakterisasi XRD dengan penghalusan GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) sudah masuk dalam BST menjadi kristal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 dan menyebabkan perubahan jarak antar kisi dari kristal. Analisa struktur, mikrostruktur, morfologi dan topografi lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 berpengaruh terhadap hasil karakterisasi sifat listrik (polarisasi dan konstanta dielektrik). Polarisasi (spontan dan remanen) untuk BST murni lebih besar dibandingkan dengan BST yang di-doping Cu, tetapi doping Cu memperkecil medan koersif lapisan. Penggunaan substrat Pt/TiO2/SiO2/Si untuk penumbuhan lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, dapat memperkecil medan koersif dibandingkan dengan substrat Si. Telah dihasilkan konstan dielektrik dari lapisan (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 sebesar 900. Karakterisitik dielektrik dan medan koersif yang rendah dari penumbuhan lapisan BST diatas permukaan substrat, sangat baik untuk switching pada aplikasi memori ferroelektrik.......(Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 fabricated from Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) with doping Cu (x=1%, 2%, 4%) used Chemical Solution Deposition (CSD) method and spin coating (3000 rpm, 30 second) process, on substrate Si (1 0 0) and Pt/TiO2/SiO2/Si (2 0 0). The Thermal process, hydrolisis, pyrolisis and annealing at temperature 8000C for crystallization. Characterization used XRD with refinement GSAS, doping Cu (1%, 2% dan 4%) doped in BST became crystal (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 and changed lattice parameter of crystal. The structure, microstructure, morphology and topography of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 were analyzed and correlated to electronic properties of film (Polarization and Dielectric). The undoped BST had more high polarization (spontant and remanent) than BST with doping Cu, but doping Cu made decrease coersive field of film. The used substrate Pt/TiO2/SiO2/Si for growthing of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3, could more decrease coersive field than used substrate Si. The dielectric constant of film (Ba0.5Sr0.5)1-xCuxTiO3 are 900. The dielectric properties, low coersive field of growth BST films on substrate propose for utilization in switching ferroelectric memory."

"Spesiasi logam berat Pb dan Cr dengan metode ekstraksi bertahap dan migrasinya dari sedimen perairan teluk Jakarta menggunakan metode Diffusive Gradient in Thin Film (DGT), telah dilakukan di laboratorium Departemen Kimia UI, dengan sampel sedimen dari Cengkareng Drain, Kapuk, Jakarta Utara. Hasil penelitian logam berat dengan Ekstraksi bertahap diperoleh, logam Pb antara 43,473 ppm hingga 58,123 ppm, logam Cr 20,763 ppm hingga 30.219 ppm. Distribusi logam berat Pb dalam sedimen berupa senyawa karbonat ± 6 % , 5,5% oksida Mn, 21,779% oksida Fe, 29,624% dalam senyawa organik dan fraksi sisa 36,879%. Distribusi logam Cr 4,183% berupa senyawa karbonat, 4,325% terikat dalam oksida Mn , 23,713% terikat dalam oksida Fe, 30,827% terikat dalam senyawa organik dan 36,325% dalam fraksi residu. Hasil penelitian migrasi logam berat Pb dari sedimen ke badan air pada kondisi oxic penggelaran 1 hari berkisar 0,0108 ppm sampai 0,1314 ppm, pada penggelaran 4 hari diperoleh 0,042 ppm hingga 0,081 ppm. Untuk kondisi anoxic penggelaran 1 hari diperoleh 2,444 ppm , 3 hari 0,320 ppm dan 5 hari 3,432 ppm. Migrasi logam berat Cr pada kondisi oxic penggelaran 1 hari diperoleh berkisar 0,1413 ppm hingga 0,3431 ppm, 4 hari berkisar 0,0012 ppm hingga 0,0084 ppm. Untuk kondisi anoxic penggelaran 1 hari 1,5792 ppm , 3 hari 0,0545 ppm dan 5 hari 2,9629 ppm. Pengukuran dengan DGT strip gel pada kondisi anoxic, diperoleh distribusi logam berat Pb berada pada kedalaman 1-5 cm dengan kadar 0,1279 ppm hingga 3,1977 ppm dan logam berat Cr berdistribusi pada kadar 2,6649 ppm hingga 7,2668 ppm.Dari hasil ini diperoleh gambaran bahwa ketersediaan konsentrasi logam berat dalam sedimen cukup memungkinkan adanya migrasi logam ke badan air. ......Heavy metal speciation of Pb and Cr by sequential extraction and migration from sediments into the waters of Jakarta Gulf using Diffusive Gradient in Thin Films (DGT) method has been conducted using sediment samples from Cengkareng Drain Kapuk- North Jakarta. The extraction of heavy metals concentration, with sequential extraction for total Pb (sum of each fractions) is between 43.473 to 58.123 ppm, whereas for total Cr (sum of total fraction) is between 20.763 ppm to 30,219 ppm. The distribution of Pb in sediments adsorped in carbonate compounds is about 6%, manganese oxides is about 5,5%, iron oxides is about 21,779%, 29,624% in organic compounds and the residual fraction is about 36,879%. The Distribution of Cr in sedimen absorped in carbonate compounds is about 4,183%, in manganese oxides is about 4,325%, in iron oxides ia about 23,713%, 30,827% bound in organic compounds and the residual fraction is about 36,325%. The results of DGT experiments to study the migration of Pb from sediment into water column in experimental chambers show that for deployment of 1st day in oxic conditions is in the range between 0.0108 ppm to 0.1314 ppm, and 0.042 ppm to 0.081 ppm for the 4th day. Under anoxic condition the results show that the metal concentration on the DGT resin is 2.444 ppm, 0.320 ppm and 3.432 ppm, on the 1st, 3rd and 5th day incubation period respectively. The results for migration of Cr from sediment into water column in experimental chambers show that for deployment time of 1st day incubation oxic conditions is in the range between 0.3431 ppm up to 0.1413 ppm, and 0.0012 ppm to 0.0084 ppm for the 4th day. Under anoxic conditions the result show that the metal concentration on the DGT resin is 1.5792 ppm, 0.0545 ppm and 2.9629 ppm on the 1st, 3rd, and 5th day incubation period respectively. The Measurements of metal concentration by DGT gel strip in anoxic conditions, show that the distribution of Pb at a depth of 1-5 cm in the range of 0.1279 ppm to 3.1977 ppm, whereas Cr concentration is between 2.6649 ppm levels up to 7.2668 ppm. This results show the availability of heavy metal concentrations in sediment which allow for migration of metals into water bodies."

"Sintesis senyawa Cu2ZnSnS4 menggunakan pelarut etanol memiliki keunggulan dari harga yang relatif murah dan ramah lingkungan. Pada penelitian ini, diamati pengaruh perbedaan substrat soda lime glass dan mo-coated glass terhadap kristalinitas, morfologi, sifat listrik dan sifat optik lapisan tipis Cu2ZnSnS4 hasil deposisi menggunakan metode dip coating dengan pelarut etanol. Hasil uji XRD menunjukkan substrat soda lime glass memiliki kristalinitas lebih tinggi dibanding substrat mo-coated glass. Morfologi lapisan menunjukan terjadinya keretakan pada kedua sampel dan beberapa rongga yang dapat diminimalisir dengan optimalisasi sistem prekursor dan perlakuan termal yang diberikan. Substrat mo-coated glass dapat menurunkan nilai resistivitas pada lapisan tipis Cu2ZnSnS4. Nilai energi celah pita untuk kedua sampel didapatkan sekitar 2,2 eV yang kurang sesuai dikarenakan kehadiran fasa sekunder yang cukup tinggi. ......The synthesis of Cu2ZnSnS4 compounds using ethanol solvents has the advantage of a relatively cheap and environmentally friendly. In this study, we observed the effect of soda lime glass substrate and molybdenum coated glass substrate the crystallinity, morphology, electrical properties and optical properties of Cu2ZnSnS4 by dip coating with ethanol solvent. The XRD test results showed that the soda lime glass substrate has higher crystallinity than the molybdenum coated glass substrate. The morphology of the coating indicates the presence of cracks in both samples and some cavities that can be minimized by optimizing the precursor system and the thermal treatment. The molybdenum coated glass substrate can decrease the resistivity in the Cu2ZnSnS4 thin film. The band gap energy for both samples was found to be about 2.2 eV which was less suitable due to the presence of a fairly high secondary phase. "