Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Telah berhasil dilakukan sintesis semikonduktor Cu2SnS3 (CTS) sebagai absorber semikonduktor yang dilakukan dengan metode fisik menggunakan mesin high energy planetary ball mill dan bola-bola ZrO2 (zirconia) dengan variasi waktu milling dan komposisi unsur. Hasil milling kemudian dilakukan annealing pada temperatur 450oC selama 30 menit. Kehadiran fasa CTS meningkat pada setiap peningkatan waktu milling, dengan waktu milling terlama selama 240 menit menghasilkan pola difraksi yang paling mendekati referensi dan paling tinggi dari semua sampel. Penambahan unsur Sn pada sampel Sn-rich berpengaruh terhadap kehalusan hasil uji difraksi, akan tetapi mengurangi fasa CTS yang terbentuk dan meningkatkan pembentukan senyawa pengotor. Nilai energi celah pita yang lebih tinggi pada sampel Sn-rich bukan dihasilkan oleh absorbansi CTS, melainkan oleh fasa-fasa pengotor yang diduga memiliki kemampuan sebagai absorber sebagai hasil dari proses fisik dan penambahan unsur Sn pada sampel uji. Didapatkan hasil uji X-ray Diffraction yang tinggi serta nilai energi celah pita sebesar 1,1-1,2 eV yang sesuai dengan literatur. Didapatkan hasil uji scanning electron microscope yang menandai terjadinya penyatuan butir-butir CTS dan voids sebagai hasil dari proses fisik dan annealing. ......The semiconductor syntesis of Cu2SnS3 has been succesfully carried as a semiconductor absorber by physical method using high energy planetary ball mill machine and ZrO2 (zirconia) balls with milling time and powder composition variations. The results from this process then annealed in an electric furnace in 450oC for 30 minutes. The presence of CTS phase increased simultaneously with the increase of milling time, with the longest milling time 240 minutes produced the closest and the highest x-ray diffraction pattern compared to the literatures of all samples. The addition of Sn element in Sn-rich samples affected the refinement of x-ray diffraction patterns, however reduced the CTS phases formed and shown increased impurity phases. The higher value of bandgap energies from Sn-rich samples may be not produced by the absorbance of CTS, but of the impurities as the other results from physical process and the addition of Sn element to the test samples. X-ray diffraction test confirm the high peak of CTS with 1,1-1,2 eV bandgap energy. Scanning electron microscope showed fusion of CTS grains and voids as the result of physical and annealing process.

Abstrak :
Sintesis semikonduktor Cu2SnS3 (CTS) sebagai penyerap semikonduktor telah berhasil dilakukan dengan metode fisika menggunakan planetary ball mill energi tinggi dan bola ZrO2 (zirkonia) dengan variasi waktu milling dan komposisi unsur. Hasil penggilingan kemudian dianil pada suhu 450oC selama 30 menit. Keberadaan fasa CTS semakin meningkat setiap bertambahnya waktu milling, dengan waktu milling terlama 240 menit menghasilkan pola difraksi yang paling mendekati referensi dan tertinggi dari semua sampel. Penambahan Sn pada sampel yang kaya Sn mempengaruhi kelancaran hasil uji difraksi, namun mengurangi fasa CTS yang terbentuk dan meningkatkan pembentukan senyawa pengotor. Nilai energi celah pita yang lebih tinggi pada sampel kaya Sn bukan disebabkan oleh absorbansi CTS, melainkan oleh fase pengotor yang diduga memiliki kemampuan sebagai penyerap akibat proses fisik dan penambahan unsur Sn pada pengujian. Sampel. Hasil uji Difraksi sinar-X tinggi dan nilai energi celah pita adalah 1,1-1,2 eV yang sesuai dengan literatur. Hasil pengujian mikroskop elektron scanning diperoleh yang menunjukkan terjadinya penyatuan butir dan rongga CTS akibat proses fisis dan annealing.
The synthesis of Cu2SnS3 (CTS) semiconductor as a semiconductor absorber has been successfully carried out by physical methods using high energy planetary ball mill and ZrO2 (zirconia) balls with variations in milling time and elemental composition. The milled results were then annealed at 450oC for 30 minutes. The presence of the CTS phase increases with every increase in milling time, with the longest milling time of 240 minutes producing the diffraction pattern that is closest to the reference and the highest of all samples. The addition of Sn to Sn-rich samples affects the smoothness of the diffraction test results, but reduces the CTS phase formed and increases the formation of impurities. The higher band gap energy value in Sn-rich samples was not caused by the absorbance of CTS, but by the impurity phase which was thought to have the ability as an absorbent due to the physical process and the addition of Sn elements in the test. Sample. The results of the X-ray diffraction test are high and the band gap energy value is 1.1-1.2 eV which is in accordance with the literature. Scanning electron microscope test results were obtained which showed the occurrence of coalescence of CTS grains and cavities due to physical processes and annealing.