Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Penumbuhan ingot kristal tunggal CIS dengan metode Bridgman yang menggunakan tungku zona ganda (double zone) dan bahan dasarnya ingot poli kristal, dihasilkan dengan metode Bridgman yang menggunakan tungku zona tunggal (single zone). Ingot CIS yang dihasilkan dikarakterisasi dengan menggunakan X-RAY difraktometer yang menghasilkan struktur chalcopyrite dengan c = 11,595 A; a = 5,778 A dan cla = 2,006 serta orientasi kristal yang relatif besar pada bidang yang sama adalah bidang hid = 301. Komposisi ingot diperiksa dengan menggunakan SEM yang dilengkapi EDAX , diperoleh hasil komposisi yang belum stokiometri. Sifat listrik yaitu resistivitas dan tipenya diukur dengan menggunakan instrument yang menggunakan metoda Four point probe dan hot probe diperoleh hasil resistivitas hampir homogen dan sebagian besar ingotnya bertipe N.

Abstrak :
Pada eksperimen ini telah dibuat lapisan tipis CuInSe2 pada substrat kaca (n=1,51) dengan temperatur substrat 150°C dan 200°C deagan variasi ketebalan sekitar 0,2-0,45 un dengan metode evaporasi thermal dalam vakum. Kemudian dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Dari nilai-nilai transmitansi dan reflektansi yang diperoleh digunakan untuk menghitung indeks bias, koefisien absorbsi dan energi gap dari lapisan tipis CulnSe2. Pada eksperimen ini didapatkan hasilnya sebagai berikut; Indek bias ( n) sekitar 2,6 - 4,7, koefisien absorbsi (a) sekitar ( 2 - 9 ) x 104/cm dan energi gap sekitar ( 1,02 - 1,45 ) av. Untuk sifat listriknya ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis ini merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Harga resistivitas listrik dari lapisan tipis CulnSe2 ini sekitar 1,4 - 3,4 ohm cm dan semua sampel ternyata mempunyai type ? n. Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa lapisan tipis CuInSe2 ini merupakan bahan semikonduktor yang potensial untuk dapat dikembangkan, terutama penggunaannya sebagai bahan penyerap sinar matahari pada solar sel.