Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Sifat ferroelektrik lapisan tipis BST yang didoping dengan In2O3 dan struktur kristal serta morfologi permukaannya telah diuji. Lapisan tipis BST 1M dan BST 1M doping In2O3 dengan variasi prosentase doping (1%, 2%, 4%) dideposisikan pada substrat Si (111). Proses penumbuhan lapisan tipis pada substrate menggunakan metode CSD (chemical solution deposition) dengan teknik spin-coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Proses annealing dilakukan pada temperatur 750ºC untuk substrat Si (111) selama 1 jam. Sistem kristal dan orientasi lapisan tipis BST dan BIST diuji dengan difraksi sinar-X dan dilakukan penghalusan (refinement) dengan analisa Rietveld menggunakan GSAS.Hasil penghalusan dengan GSAS diperoleh fasa BST yang terkandung pada Lapisan Tipis BST 1M, BIST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat silikon) bersesuaian dengan Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) dengan sistem kristal kubik dan parameter kisi (a) berturut-turut 3,947Å, 3,953Å, 3,971Å, 3,970Å. Hasil SEM lapisan tipis BST dan BIST 1M menunjukkan bahwa morfologi permukaan relatif sudah homogen. Nilai polarisasi spontan Lapisan Tipis pada substrat Si (111) untuk BIST 1M 1% adalah 22,964µC.cm-2, BIST 1M 2% adalah 14,544µC.cm-2 dan BIST 1M 4% adalah 34,768µC.cm-2.......The ferroelectrics properties of BST thin film doped by In2O3 and crystal structure and its morphologic surface have been tested. The BST 1M and BST 1M thin films doped by In2O3 with varied percentage of doping (1%, 2%, 4%) are deposited on Si substrate (111). The process of growing thin films on Si substrate uses CSD (chemical solution deposition) method with spin-coating technique at spinning speed of 3000 rpm for 30 seconds. For Si substrate (111), annealing process runs at 750ºC for one hour.Crystal system BST and BIST thin films orientation is tested using X-Ray diffraction, while refinement is conducted with rietveld analysis using GSAS. Refined items with GSAS produce BST phases contained in thin films of BST 1M, BIST 1M 1%, 2% and 4% (silicone substrate) corresponding to Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) with cubic crystal system and lattice constant (a) of 3,947Å, 3,953Å, 3,971Å, 3,970Å respectively. Results of BST and BIST thin films for SEM indicate that the surface morphology is relatively homogeneous. The values of thin film spontaneous polarization on Si substrate (111) for BIST 1M 1%, BIST 1M 2%, and BIST 1M 4% are respectively 22,964µC.cm-2, 14,544µC.cm-2, and 34,768µC.cm-2."

"Telah dilakukan penelitian terhadap bahan ZnO dengan doping Litium dan Nikel menggunakan metode Sol-Gel. Prekusor yang digunakan adalah Zinc Acetate dengan 2-Propanol sebagai bahan bakar. Nikel acetate dan Litium acetate digunakan sebagai bahan dopan. Temperatur proses sol-gel dijaga tetap 70-80oC. Proses kalsinasi dilakukan pada temperatur 300oC selama 2 jam. Sedangkan proses sintering dilakukan pada temperatur 600oC selama 4 jam. Material ZnO dan ZnO dengan doping Litium menghasilkan fasa tunggal, sedangkan ZnO dengan doping Nikel menghasilkan fasa lain yaitu NiO. Semua material yang dihasilkan meiliki sifat ferroelektrik. Kurva P-E hysterisis menunjukkan bahwa ZnO memiliki polarisasi remanen 0.032 ?C/cm2dan medan koersivitas listrik 0.88 kV/cm. ZnO doping Litium dengan berbagai konsentrasi terjadi peningkatan nilai polarisasi remanen dan penurunan medan koersivitas listrik. ZnO doping Nikel dengan konsentrasi at 1 dan 3 terjadi kenaikan remanen dan penurunan medan koersivitas namun pada ZnO doping Nikel dengan konsentrasi at 6 nilai polarisasi remanen menurun dan nilai koersifitas meningkat. Pada ZnO doping Nikel dan Litium dengan konsentrasi yang sama mengalami kenaikan remanen dan penurunan koersifitas, sedangkan pada ZnO doping Nikel dan Litium dengan konsentrasi berbeda mengalami penurunan remanen dan koersifitas meningkat dibandingkan dengan didoping dengan satu pendopingan.

---

Synthesis Li Ni co doped ZnO have been done with Sol Gel method. Zinc Acetate used as percussors materials and 2 propanol as fuel. Nickel Acetate and Lithium acetate used as dopant. Temperature Sol Gel process has been maintained between 60 80oC. The calcination process was performed at temperature 300oC for 2 hours and sintering process was performed at 600oC for 4 hours. The resulting materials ZnO and Li doped ZnO result single phase materials, but Ni doped ZnO has secondary phase NiO. All Synthesis materials has ferroelectric properties. P E loop hysteresis shows that ZnO have remnant polarization of 0.032 C cm2 and coercive field of 0.88 kV cm. Li doped ZnO showed an increase in the polarization remnant and a decrease in the coercive field. Ni doped ZnO on 1 at 3 at concentration showed an increase in the polarization remnant and decerease in the coercive field, howerver 6 at Ni doped ZnO showed an decrease in the polarization remnant and a increase in the coercive field. Li, Ni co doped ZnO with same concentration showed an increase in the polarization remnant and decerease in the coercive field, however Li, Ni co doped ZnO with different concentration showed a decreased in the polarization remnant and increaed in the coercive field compared by single doped ZnO."

"Telah dilakukan penelitian tentang studi sifat listrik dan optis bahan perovskite Ba(Fe,Ti)O3. Pada studi ini kami menguji sifat material multiferroik lewat difraksi sinar X dan spektroskopi impedansi. Hasil difraksi sinar X (XRD) menunjukkan bahan memiliki fasa tunggal dengan sistem kristal heksagonal dan space group P63/mmc. Struktur kristal Ba(Fe,Ti)O3 menjadi random perovskite ketika sampel dibuat dengan komposisi Fe dan Ti yang seimbang, sehingga mempengaruhi seluruh sifat bahan BaFe0,5Ti0,5O3. Pengukuran impedansi yang dinyatakan dalam bentuk Nyquist plot dan bode plot memperlihatkan bahwa penambahan Fe menyebabkan peningkatan konduktivitas ac dan melemahkan feroelektrisitas. Fitting rangkaian ekivalen dengan program Zsimpwin menunjukkan kemunculan induktansi (L) dan Constant Phase element (CPE) sebagai akibat penambahan ion magnetik Fe dan dispersi frekuensi pada sampel. Data hasil pengukuran reflektansi dengan menggunakan spektrofotometer UV VIS menunjukkan nilai celah energi berada dalam rentang 0,85 - 3,37 eV yang membuat bahan berpotensi menjadi semikonduktor. ......We have been investigating Study of electrical and Optical Properties Sample Perovskite Ba(Fe,Ti)O3. In this study, we have systematically measured the multiferroic material properties using XRD and impedance simulation. The result of X-ray diffraction (XRD) indicates that the material has a single phase with hexagonal crystal and space group P63/mmc. Random perovskite structure is shaped when the sample made with balanced composition between Fe and Ti and thus affecting the whole nature of the material BaFe0, 5Ti0,5O3. Impedance measurements which are signed in form of nyquist and bode plot show that the addition of Fe leds to an increase of ac conductivity and weakend ferroelectricity. Fitting the equivalent circuit with Zsimpwin program pilots the appearance of inductance (L) and constant phase element (CPE) as a result of adding magnetic Fe ions and frequency dispersion of the sample. Reflectance measurement data using a UV VIS spectrophotometer showed the value of the energy gap is in the range 0.85 to 3.37 eV which could potentially be a semiconductor."

"Film BST 1M dan BST 1M doping Nb2O5 dengan variasi % doping (1%, 2%, 4%) dideposisikan pada substrat Si (111) dan gelas corning dengan metode penumbuhan CSD (chemical solution deposition) dengan teknik spin-coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Film yang terbentuk dilanjutkan dengan proses sintering pada temperatur 450ºC untuk substrat corning dan 850ºC untuk substrat Si (111) selama 3 jam. Sistem kristal dan orientasi film BST dan BNST diuji dengan difraksi sinar-X dan dilakukan penghalusan (refinement) dengan analisa Rietveld yaitu menggunakan GSAS.Hasil penghalusan dengan GSAS diperoleh fasa BST yang terkandung pada film BST 1M, BNST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat silikon) bersesuaian dengan Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) dengan sistem kristal kubik dan parameter kisi (a) berturut-turut 3,944Å, 3,949Å, 3,950Å, 3,904Å. Sedangkan untuk film BNST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat corning) bersesuaian dengan BaTiO3 (ICDD) dengan sistem kristal tetragonal dan parameter kisi (a=b) berturut-turut 3,997Å, 3,987Å, 3,996Å, parameter kisi (c) 4,051Å, 4,041Å, 4,058Å.Hasil SEM film BST dan BNST 1M menunjukkan bahwa morfologi permukaan belum merata dan belum homogen. Harga polarisasi spontan film pada substrat Si (111) untuk BNST 1M 1% adalah 72,100µC.cm-2, BNST 1M 2% adalah 71,680µC.cm-2 dan BNST 1M 4% adalah 51,440µC.cm-2. Sedangkan harga polarisasi spontan film pada substrat corning untuk BNST 1M 1% adalah 121,440µC.cm-2, BNST 1M 2% adalah 121,450µC.cm-2 dan BNST 1M 4% adalah 119,690µC.cm-2.......1M BST film and 1M Nb2O5 doped BST film with various Nb2O5 content (1%, 2% and 4%) are deposited on both silicon substrate and corning glass substrate, using CSD (chemical solution deposition) growth method by means of spin-coating technique with spin velocity 3000 rpm for 30 second. The resulted film is then followed by sintering process at 450ºC for corning glass substrate and 850ºC for silicon substrate for 3 hours. The crystal system and orientation of BST and BNST film are observed with X-ray diffraction and then the results are refined using Rietveld analysis feature in GSAS.After refinement process using GSAS, the BST phase contained within the 1M BST film and 1M Nb2O5 doped BST films (Nb2O5 content: 1%, 2% and 4%) on silicon substrate is found to be equal to Ba0.5Sr0.5TiO3 phase (ICDD) with cubic crystal system and lattice parameter (a) respectively as follow: 3,944Å, 3,949Å, 3,950Å, 3,904Å. Whereas for 1M BNST films (Nb2O5 content: 1%, 2% and 4%) on corning glass substrate, the BST phase contained is found to be equal to BaTiO3 phase (ICDD) with tetragonal crystal system and lattice parameter (a=b) respectively as follow: 3,997Å, 3,987Å, 3,996Å and lattice parameter (c) respectively as follow: 4,051Å, 4,041Å, 4,058Å.The SEM result of 1M BST and 1M BNST films show that the surface morphologies are not yet smooth and still heterogen. The spontaneous polarization value of the film on silicon substrate for BNST 1M 1% is 72,100µC.cm-2, BNST 1M 2% is 71,680µC.cm-2 and BNST 1M 4% is 51,440µC.cm-2. Whereas the spontaneous polarization value of the film on corning glass substrate for BNST 1M 1% is 121,440µC.cm-2, BNST 1M 2% is 121,450µC.cm-2 and BNST 1M 4% is 119,690µC.cm-2."

"Telah dilakukan penelitian mengenai Pengaruh Penambahan Mn Pada Spektroskopi Impedansi Bahan Ba(Ti,Mn)O₃ Untuk Aplikasi PTC. Pada penelitian ini akan diuji sifat bahan ferroelektrik dimana struktur kristal dari sampel Ba(Ti,Mn)O₃ dibuat dengan komposisi Mn dan Ti yang seimbang dengan menggunakan metode solid state, yang hasilnya dapat dilihat dengan melakukan pengujian difraksi sinar X (XRD), RLC meter dan pengukuran SEM.......It have done research on the "Effect of Mn Addition At Impedance Spectroscopy Materials Ba(Ti,Mn)O₃ For PTC Applications. In this study will be tested properties of ferroelectric materials in which the crystal structure of a sample of Ba(Ti,Mn)O₃ is made with the composition of the Mn and Ti by using solid state methods, the results can be seen by testing the X-ray diffraction (XRD), RLC meter and SEM measurements."

"Dalam penelitian ini telah dilakukan pembuatan material ferroelektrik Ba0.5Sr0.5TiO3 yang didoping dengan Mg asetat (BSMT) dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan teknik spin coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik . Proses annealing dilakukan pada temperatur 800oC selama 3 jam. Variabel penelitian adalah persentase doping (0%, 1%, 2% dan 4% berat) dan jenis subtrat (Si dan Pt).Material lapisan tipis BSMT yang terdeposisi pada substrat Si dan Pt diuji komposisinya dengan XRF dan sistem kristalnya dengan XRD. Data XRF membuktikan bahwa material BSMT yang dibuat terdiri atas komponen Ba, Sr Ti dan Mg. Hasil penghalusan data dengan GSAS menunjukkan adanya kesesuaian dengan Ba0.5Sr0.5TiO3 dari ICDD dengan sistem kristal kubik. Hasil SEM menunjukkan adanya crack pada permukaan yang terjadi pada saat annealing akibat adanya perbedaan thermal expansion coefficient antara BST/BSMT dan substrat.Plot hasil pengukuran polarisasi BST dan BMST membentuk kurva histeresis yang berarti bahwa material tersebut mempunyai sifat ferroelektrik. Doping Mg mengakibatkan adanya kenaikan nilai medan koersif (Ec) pada lapisan dengan substart Pt, sedangkan pada lapisan dengan substrat Si terjadi sebaliknya.......In this research, ferroelectric material Ba0.5Sr0.5TiO3 doped Mg have been manufactured by Chemical Solution Deposition (CSD) method with spin coating technique on 3000 rpm for 30 seconds. The process of annealing was done by temperature 800oC for 3 hours. The variation of doping are 0%, 1%, 2% and 4% weight of Mg and substrate types are Si and Pt.Composition of thin film material BSMT deposited on Si and Pt substrate were determined by XRF and crystal system are determined by XRD. XRF data indicates that the film are composed by Ba, Sr, Ti and Mg element. Result of refining XRD data by GSAS corespond to material Ba0.5Sr0.5TiO3 from ICDD with cubic crystal system. SEM photogragh indicate that there are crack on surface of film that happend during annealing because of differential of thermal expansion coefficient between BST/BSMT dan substrate.Plot of result of polarisation measurement draw hysteresis. It is mean that the material has ferroelectric caracterization. Doping Mg effects Coersief Field (Ec) increase for substrat Pt, but decrease for substrat Si."